 新聞中心產(chǎn)品分類 |
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| 公司名稱： |
武漢傾佳電力電子技術(shù)有限公司 |
公司類型： |
企業(yè)單位 (服務(wù)商) |
| 所在地區(qū)： |
湖北/武漢市 |
公司規(guī)模： |
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| 注冊資本： |
未填寫 |
注冊年份： |
2018 |
| 資料認(rèn)證： |
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| 保 證 金： |
已繳納 ￥0.00 元 |
| 經(jīng)營模式： |
服務(wù)商 |
| 經(jīng)營范圍： |
基半一級代理|基本半導(dǎo)一級代理|武漢國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET|BASiC基本半導(dǎo)體一級代理商|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代三菱IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代賽米控IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|武漢SiC革IGBT命|62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|傾佳SiC-MO |
| 銷售產(chǎn)品： |
基半一級代理|基本半導(dǎo)一級代理|武漢國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET|BASiC基本半導(dǎo)體一級代理商|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代三菱IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代賽米控IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|武漢SiC革IGBT命|62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|傾佳SiC-MO |
| 采購產(chǎn)品： |
基半一級代理|基本半導(dǎo)一級代理|武漢國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET|BASiC基本半導(dǎo)體一級代理商|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代三菱IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代賽米控IGBT模塊|武漢基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|武漢SiC革IGBT命|62mm基本SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本SiC碳化硅MOSFET模塊|基本SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|傾佳SiC-MO |
| 主營行業(yè)： |
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