日前，中科院光電技術(shù)研究所微光刻技術(shù)與微光學實驗室首次提出基于微結(jié)構(gòu)邊際的LSP超分辨光刻技術(shù)。該技術(shù)利用微納結(jié)構(gòu)邊際作為掩模圖形，對表面等離子體進行有效激發(fā)，其采用普通I-line、G-line光源獲得了特征尺寸小于30納米的超分辨光刻圖形。

據(jù)相關(guān)負責人介紹，傳統(tǒng)的微光刻工藝采用盡可能短的曝光波長，期望獲得百納米甚至幾十納米級別的光刻分辨率。然而，隨著曝光波長的縮短，整個光刻裝備的成本也急劇上升。以目前主流的193光刻機為例，其售價為幾千萬美元。如此高昂的成本嚴重限制了短波長光源光刻技術(shù)的應(yīng)用。

近年來，表面等離子體光學的提出為微光刻技術(shù)的發(fā)展提供了新的選擇。利用表面等離子體波的短波長，通過合理的設(shè)計掩模圖形和工藝參數(shù)，超分辨的納米光刻技術(shù)有望形成。

在此背景下，該所研究員提出了基于微結(jié)構(gòu)邊際的LSP超分辨光刻技術(shù)。理論研究表明，該技術(shù)可獲得特征尺寸小于1/10曝光波長的納米結(jié)構(gòu)，并利用365納米光源從實驗上獲得了超越衍射極限的光刻分辨率。這將為我國正在迅猛發(fā)展的信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)及納米科技提供堅實的加工制備基礎(chǔ)