半導(dǎo)體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝，但電壓和電流特性基本相同。在工作點(diǎn)時，小電壓變化會導(dǎo)致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)定。二極管激光器對它的驅(qū)動電源有十分嚴(yán)格的要求；輸出的直流電流要高、電流穩(wěn)定及低紋波系數(shù)、高功率因數(shù)等。隨著激光器的輸出功率不斷加大，需要高性能大電流的穩(wěn)流電源來驅(qū)動。為了保證半導(dǎo)體激光器正常工作，需要對其驅(qū)動電源進(jìn)行合理設(shè)計。并且隨著高頻、低開關(guān)阻抗的MOSFET技術(shù)的發(fā)展，采用以MOSFET為核心的開關(guān)電源出現(xiàn)，開關(guān)電源在輸出大電流時，紋波過大的問題得到了解決。

      由于大電流激光二極管價格昂貴，而且很容易受到過電壓，過電流損傷，所以高功率僅僅有大電流開關(guān)模塊還不能滿足高功率二極管激光器的要求，還需要相應(yīng)的保護(hù)電路。要保證電壓、電流不要過沖。因此，需要提出一整套切實(shí)可行的技術(shù)措施，來滿足高功率二極管激光器的需要。

      1 系統(tǒng)構(gòu)成

      裝置輸入電壓為24 V，輸出最大電流為20 A，根據(jù)串聯(lián)激光管的數(shù)量輸出不同電壓。如果采用交流供電，前端應(yīng)該采用AC／DC作相應(yīng)的變換。該裝置主要部分為同步DC／DC變換器，其原理圖如圖1所示。
 

      Vin為輸入電壓，VM1、VM2為MOSFET，VM1導(dǎo)通寬度決定輸出電壓大小，快恢復(fù)二極管和VM2共同續(xù)流電路，整流管的導(dǎo)通損耗占據(jù)最主要的部分，因此它的選擇至關(guān)重要，試驗(yàn)中選用通態(tài)電阻很低的M0SFET。電感、電容組成濾波電路。測量電阻兩端電壓與給定值比較后，通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生相應(yīng)的脈寬，保持負(fù)載電流穩(wěn)定。VM1關(guān)斷，快恢復(fù)二極管工作，快恢復(fù)二極管通態(tài)損耗大，VM2接著開通續(xù)流，減少系統(tǒng)損耗。