2022年11月11-13日，第十九屆“中國光谷”國際光電子博覽會暨論壇（以下簡稱“武漢光博會”）將于中國光谷科技會展中心舉辦。同期還將舉辦“2022先進(jìn)光刻技術(shù)研討會”，屆時將邀請業(yè)內(nèi)知名專家，共同探討光刻技術(shù)的前沿進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢。

會議主題：2022先進(jìn)光刻技術(shù)研討會

會議時間：2022年11月12日9:30-16:45

會議地點(diǎn)：中國光谷科技會展中心三樓

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組織機(jī)構(gòu)

主辦單位：國家工信部、國家科技部、國家知識產(chǎn)權(quán)局、中國科學(xué)院、中國國際貿(mào)促會、湖北省人民政府

承辦單位：武漢市人民政府、武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)管委會

執(zhí)行承辦單位：中國激光雜志社、上海意桐光電科技有限公司

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大會主席

王向朝

中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所研究員

韋亞一

中國科學(xué)院微電子研究所研究員

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部分邀請嘉賓

師江柳

北京超弦存儲器研究院首席光刻科學(xué)家

報(bào)告題目及摘要

題目：先進(jìn)DRAM光刻工藝研發(fā)介紹

摘要：DRAM存儲芯片市場份額巨大，發(fā)展前景廣闊，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心支柱之一。中國的DRAM市場接近全球的60%，但自給能力嚴(yán)重不足，亟需關(guān)鍵技術(shù)的突破。當(dāng)前，北京超弦存儲器研究院積極搭平臺、引人才、建隊(duì)伍、出成果，為國產(chǎn)存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)來源、協(xié)調(diào)資源調(diào)配、培養(yǎng)專業(yè)人才、實(shí)施知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)，致力于成為國內(nèi)存儲器技術(shù)發(fā)展的“探路人”。本報(bào)告介紹先進(jìn)DRAM光刻工藝研發(fā)的理論和方法。

施偉杰

東方晶源微電子科技（北京）有限公司常務(wù)副總經(jīng)理

報(bào)告題目及摘要

題目：Practice on HPO：A Timing emphasis OPC Approach for OCV improvement

摘要：The Fabless/Fab mode has been proven successfully for IC manufacturing for decades. Fabs focused on patterning and yield while fabless concentrated on electrical performance, known as PPA. As the feature sizes continuously shrink, the design capability gap between available and realized manufacturing scaling grows larger, which eventually affects cost and time-to-market. To bridge this gap, a systematic solution namely, HPO (Holistic Processes Optimization) ,has been proposed by DFJY, which involves process variation aware physical design flow, timing and power aware OPC for electrical process window improvements and wafer defect inspection guided by timing critical paths and process-sensitive hotspots. In this talk, a timing emphasis OPC approach is practiced for OCV improvement under the HPO conception. Experiments have been performed to demo pros and cons.

王曉偉

蘇州理碩科技有限公司總經(jīng)理

報(bào)告題目及摘要

題目：延續(xù)摩爾定律下的光刻技術(shù)探討

摘要：根據(jù)經(jīng)典摩爾定律，集成電路晶體管數(shù)目大約每兩年會增加一倍，性能也隨之提高一倍，且價格下降一半。近年來，隨著光刻技術(shù)的快速發(fā)展，光刻膠的線寬已經(jīng)接近材料的極限分子尺寸，摩爾定律能否繼續(xù)延續(xù)成為半導(dǎo)體行業(yè)一個不得不面對的問題。

13.5納米EUV極紫外光刻機(jī)的出現(xiàn)，為摩爾定律的延續(xù)提供了一種可能。然而由于EUV光源強(qiáng)度過低、反射鏡片的反射率衰減及光罩缺陷難題等設(shè)備問題，以及光刻膠解像度問題、outgas問題等各種技術(shù)難題有待克服，EUV光刻機(jī)量產(chǎn)化時間被多次推遲。作為EUV光刻的替代技術(shù)，如double patterning技術(shù)、納米壓印技術(shù)、DSA技術(shù)、多電子束直寫技術(shù)等也被各大國際半導(dǎo)體組織和集成電路芯片企業(yè)深入研討，隨著近期各芯片廠家在技術(shù)上的突破，這些EUV替代技術(shù)開始逐步趨于成熟和實(shí)用。

由于光刻膠材料分子尺寸的限制和EUV光刻機(jī)的自身缺陷，EUV光刻機(jī)的解像性能依然差強(qiáng)人意，對于14納米以下小線寬來說依然很難實(shí)現(xiàn)一次曝光成形。為此EUV+double patterning 和EUV+DSA技術(shù)作為超摩爾時代光刻技術(shù)的不得已選擇，成為實(shí)現(xiàn)7納米芯片技術(shù)的主要手段。

伴隨著FinFET技術(shù)的出現(xiàn)，通過先進(jìn)封裝進(jìn)行實(shí)現(xiàn)晶體管的多層疊加也是實(shí)現(xiàn)芯片高級程度的一個可行性方向，在不需要縮小圖形線寬和提高光刻膠解像度的前提下，也能夠大幅提高晶體管的集成度。但對于拉開芯片巨頭和跟隨廠家之間技術(shù)代差并無明顯幫助，各大芯片巨頭依然對EUV技術(shù)充滿期待。

李小平

華中科技大學(xué)研究員

報(bào)告題目及摘要

題目：投影光刻機(jī)中的溫度控制技術(shù)

摘要：投影光刻機(jī)的性能易受到溫度波動的影響，超穩(wěn)定溫度控制技術(shù)是投影光刻機(jī)的關(guān)鍵技術(shù)之一。報(bào)告從投影光刻機(jī)溫度控制、投影物鏡的溫度控制、浸沒液體的溫度控制、微空氣環(huán)境溫度控制四個方面介紹投影光刻機(jī)中的固體、水和空氣的溫度控制中的傳熱結(jié)構(gòu)、控制模型和控制算法。

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聯(lián)系方式

會議咨詢：

杜虹 17771025207（微信同號）

會議贊助：

吳雅慧 18672307517（微信同號）本屆會議匯聚了光刻領(lǐng)域的一流科研機(jī)構(gòu)與企業(yè)，是展示企業(yè)以及產(chǎn)品性能的最佳時機(jī)，歡迎各大廠商前來贊助~更多會議信息持續(xù)更新中，大家可關(guān)注本公眾號的后續(xù)報(bào)道。報(bào)名鏈接：

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