英國卡迪夫大學（Cardiff University）等的研究人員成功在硅（Si）上，以異質外延生長方式形成了由III-V族化合物構成的量子點（QD）型半導體激光器，并實現(xiàn)了非常低的電流密度和長壽命。向在硅芯片上形成光電路的“硅光子”的普及邁進了一步。
此次在硅上形成的QD型半導體激光器的發(fā)光波長為1310nm。閾值電流密度只有62.5A/cm2。室溫下的發(fā)光功率為105mW，最高工作溫度為120℃。根據(jù)3100個小時連續(xù)發(fā)光試驗結果推測的發(fā)光壽命為100158小時。QD采用直徑約為20nm、厚度約為7nm的InAs和GaAs。
大幅減少貫通缺陷
以前，使III-V族化合物在硅上異質外延生長非常困難。因為在晶格常數(shù)和晶體結構上，硅與化合物有著明顯不同。即使勉強使其生長，也會產(chǎn)生很多晶格缺陷。尤其是大量貫通缺陷到達活性層時，載流子會在此產(chǎn)生不利于發(fā)光的再結合，發(fā)光效率會明顯降低。
過去，也有在硅芯片上形成III-V族化合物類激光源的例子，但這些都是采用“晶圓接合（WB）”這種貼合方法實現(xiàn)的。
不過，晶圓接合方法存在需要高真空、水分等雜質容易進入界面等課題。有的工藝下，貼合時的對位精度成為課題。如果能采用異質外延生長方法制造，就沒不必再采用晶圓接合方法了。
此次，英國卡迪夫大學及謝菲爾德大學（University of Sheffield）等的研究人員組成的研究小組通過徹底減少晶格缺陷、尤其是貫通缺陷，成功在硅上通過異質外延生長形成了高品質的半導體激光器。
減少貫通缺陷的措施之一是使硅（100）面傾斜4度。這是1986年發(fā)現(xiàn)的方法，能減少AlAs及GaAs等晶體產(chǎn)生的各種缺陷。
作為吸收晶格常數(shù)偏差的緩沖層，在硅上層疊了約6nm厚的AlAs層及約1μm厚的GaAs層。GaAs層的生長溫度分350℃、450℃、590℃三個級別，可以防止貫通缺陷在同一條件下生長。但是緩沖層表面的貫通缺陷密度仍很多，為1×109個/cm²。
還有一個措施是在GaAs層上形成了阻止貫通缺陷的“應變層超晶格（Strained-Layer Superlattices，SLS）”層。SLS層由10nm厚的InGaAs層與10nm厚的GaAs層構成。SLS層形成后在660℃的溫度下實施了約6分鐘的退火。
這種SLS層共有5層，與約60nm厚的GaAs層交替形成。每層疊一層SLS，可使貫通缺陷密度降至原來的幾分之一至十分之一，在第5層SLS的表面，貫通缺陷密度為1×105個/cm²，比形成SLS層之前大幅減少。雖然與在GaAs基板上形成GaAs類半導體激光器時的貫通缺陷密度1×10³～1×104個/cm²相比還差一些，但在在硅上異質外延生長形成激光器的實例中已是最高品質，從而實現(xiàn)了較長壽命的激光發(fā)光。
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