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加州大學(xué)黑科技:激光使電子設(shè)備不再依賴半導(dǎo)體材料
來源:鳳凰科技2016-11-10 我要評論(0 )
據(jù)外媒報(bào)道,美國加州大學(xué)圣地亞哥分??茖W(xué)家開發(fā)了一種新型微電子設(shè)備,未來PC中由半導(dǎo)體材料制造的處理器可能被取而代之。
據(jù)外媒報(bào)道,美國加州大學(xué)圣地亞哥分校科學(xué)家開發(fā)了一種新型微電子設(shè)備,未來PC中由半導(dǎo)體材料制造的處理器可能被取而代之。
這一新技術(shù)還處于早期的開發(fā)階段,但它牽涉一些有趣的研究和頗具科幻色彩的概念。加州大學(xué)圣地亞哥分校工程師開發(fā)了一種由光控制的微電子設(shè)備,其中包含由金納米管構(gòu)成的超穎表面。受到激光照射后,超穎表面能產(chǎn)生高強(qiáng)度電場。
這種不采用半導(dǎo)體材料的新型微電子設(shè)備,有朝一日將解決現(xiàn)代微處理器所面臨的一個(gè)難題。處理器依靠電子遷移正常運(yùn)行,問題是,這些電子會不斷與原子碰撞,其中許多電子可能遷移不到它們的目的地——在處理器運(yùn)行過程中,許多電子損耗了。
這種新型微電子設(shè)備通過“模仿”老式真空管——當(dāng)然是在微尺度上,嘗試解決這一問題。設(shè)備中的蘑菇形狀納米管,在硅晶圓上形成超穎表面,兩者用二氧化硅層隔開。當(dāng)施加低直流電壓、照射低能量紅外激光時(shí),這一結(jié)構(gòu)就能夠產(chǎn)生高強(qiáng)度電場,使電子能“自由”遷移。
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