近日，2016年國家重點研發(fā)計劃戰(zhàn)略性先進電子材料重點專項—“低維半導體異質(zhì)結構材料及激光器研究”項目啟動會在北京召開。項目牽頭單位中國科學院半導體研究所相關領導、項目負責人及各課題負責人、項目咨詢專家、科技部高技術中心相關人員等40余人參加了會議。

“低維半導體異質(zhì)結構材料及激光器研究”項目旨在面向國家信息技術領域?qū)?zhàn)略性高端光電子材料和器件的迫切需求，以實現(xiàn)低能耗、高帶寬的接入網(wǎng)/傳輸網(wǎng)、光互聯(lián)及空間通信應用的高性能低維半導體異質(zhì)結構材料和激光光源為目標，最終實現(xiàn)基于低維半導體異質(zhì)結構材料的高性能半導體激光光源。

會上，科技部高技術研究發(fā)展中心相關人員介紹了“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項2016年度部署和立項情況、專項管理規(guī)則流程以及執(zhí)行過程中常見的問題，對項目管理、質(zhì)量管控、宣傳、經(jīng)費使用以及咨詢專家職能等方面提出了新的要求和建議。半導體所副所長陳宏達研究員介紹了半導體所在承擔科技部重點研發(fā)計劃項目等方面的情況，并表示將積極協(xié)調(diào)好項目的組織實施、經(jīng)費管理和支撐保障工作，確保項目各項任務目標圓滿完成。

項目負責人楊濤研究員詳細介紹了項目的總體情況、各課題的研究方向和預期目標，落實了各課題參加單位的具體任務，對項目組內(nèi)部溝通協(xié)調(diào)、經(jīng)費使用與管理、成果產(chǎn)業(yè)化、人才的培養(yǎng)等方面進行了部署。項目咨詢專家就項目與課題的具體實施方案提出了意見和建議。