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深度解讀

戴慶課題組:碳納米管——超快電子顯微鏡的基礎(chǔ)

星之球科技 來源:中國激光2017-10-19 我要評論(0 )   

近日,國家納米科學(xué)中心戴慶研究員和北京大學(xué)劉開輝教授、芬蘭阿爾托大學(xué)Sun Zhipei教授等合作,首次實現(xiàn)了基于碳納米管量子隧穿

 近日,國家納米科學(xué)中心戴慶研究員和北京大學(xué)劉開輝教授、芬蘭阿爾托大學(xué)Sun Zhipei教授等合作,首次實現(xiàn)了基于碳納米管量子隧穿效應(yīng)的可見光頻場致電子發(fā)射,該工作為研制亞飛秒時間分辨相干電子源提供了新思路。相關(guān)研究成果以內(nèi)封面論文形式發(fā)表在 Advanced Materials [29,1701580(2017)] 上。
 
戴慶課題組合影
 
現(xiàn)有的超快電子顯微技術(shù)受制于電子源的性能,時間分辨率難以達到飛秒量級,對于許多關(guān)鍵的瞬態(tài)光物理化學(xué)過程,例如,與納米材料光激發(fā)和傳輸特性相關(guān)的電子躍遷、電荷轉(zhuǎn)移、電磁振蕩等,無法實現(xiàn)直接觀測。隨著超快科學(xué)研究的不斷深入,對于更高時間分辨的超快相干電子源的需求也越來越顯著。
 
目前超快電子發(fā)射主要存在兩種機制:多光子發(fā)射(相對弱光)和光場發(fā)射(相對強光)。多光子發(fā)射過程雖然可以獲得較低的能量散度(0.7 eV, Nature 521, 200, 2015),但發(fā)射時間分辨率相對較低(~100飛秒)。光場誘導(dǎo)的電子隧穿發(fā)射具有較高的時間分辨率(~100阿秒),但存在激發(fā)波長和電子能量散度相互制約的瓶頸問題。
 
金屬納米結(jié)構(gòu)場需要長波長激光(>800 nm)才能獲得足夠的有質(zhì)動力勢能以進入光場發(fā)射模式,導(dǎo)致出射電子能量散度較大(>3 eV, Nature 483, 190, 2012),遠遠落后于電子顯微技術(shù)的需求(TEM, <0.5 eV)。因此,如何在短波長實現(xiàn)光場發(fā)射,降低能量散度,是實現(xiàn)飛秒甚至阿秒時間分辨率的重要技術(shù)路線。
 
相比之下,碳納米管可以穩(wěn)定地實現(xiàn)亞納米半徑的尖端,具有超強的光場增強因子(~30),并保持良好的導(dǎo)電性和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,是潛在的高相干光場發(fā)射電子源材料。
 
戴慶課題組在掌握了碳納米材料的特性和結(jié)構(gòu)對電子隧穿影響規(guī)律的基礎(chǔ)上,采用優(yōu)化制備的尖端半徑為1 nm的碳納米管作為光場發(fā)射材料,與合作者首次利用短波長激光(可見光到近紫外)實現(xiàn)了超快光場電子隧穿,獲得了超低能量散度電子(0.25 eV)(如下圖所示)。比文獻報道的多光子發(fā)射和光場發(fā)射電子源分別低3倍和10倍以上,能夠滿足亞納米電子顯微表征對電子束能量散度的要求(<0.5 eV)。該研究工作將推動超快電子顯微鏡和光頻電子器件的發(fā)展。
 
碳納米管超快光場發(fā)射特性研究。(a) 碳納米管光場電子發(fā)射示意圖;(b) 碳納米管的透射電子顯微圖像;(c) 偏振依賴特性;(d) 光場電子發(fā)射能量散度測試,最小能量散度可到0.25 eV;(e) 與金屬發(fā)射體相比,碳納米管更容易實現(xiàn)光場發(fā)射。
 
戴慶課題組前期一直致力于碳納米材料的靜電場致電子發(fā)射研究,通過調(diào)控材料特性和功能結(jié)構(gòu),提升電子源的亮度、相干性等性能。在材料的結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面,系統(tǒng)研究了碳納米材料的表面缺陷、摻雜濃度、懸掛鍵、吸附分子等對電子隧穿的概率、方向等參數(shù)的影響(RSC Advances 5, 105111, 2016);通過優(yōu)化設(shè)計氮化硼-碳納米管異質(zhì)結(jié)構(gòu),有效避免了上述表面態(tài)對發(fā)射性能帶來的負面影響,可大幅降低表面有效功函數(shù),增加電子隧穿的概率,為場發(fā)射提供足夠的電流密度(Small 11, 3710, 2015)。
 
在材料的組裝設(shè)計方面,深入探索了靜態(tài)電場調(diào)控結(jié)構(gòu)和動態(tài)電流反饋調(diào)控結(jié)構(gòu)的性能差異(Carbon 89, 1, 2015),闡明了發(fā)射體幾何形貌、排列密度、調(diào)制電壓等對于發(fā)射電流密度、電子束發(fā)散角度等核心性能的影響(IEEE Electron Device Letters 35, 786, 2014)。
 
以此為基礎(chǔ),著手開展對光致電子發(fā)射的研究。對納米材料的光電激發(fā)機理進行了探索(Applied Physics Letters 104, 113501, 2014; ACS Applied Materials & Interfaces 7, 2452, 2015);深入分析了激發(fā)過程中電荷的躍遷和傳輸機制(Nanoscale 7, 4242, 2015),并證明碳納米材料體系具有優(yōu)異的光熱電子發(fā)射特性(Carbon 96, 641, 2016)和顯著的局域光場增強效應(yīng)(Applied Physics Letters 110, 093105, 2017, Applied Physics Letters 111, 133101 2017)。這些工作為碳納米管可見光頻場發(fā)射的研究奠定了堅實基礎(chǔ)。
 
論文鏈接:
http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201770216/full

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