中紅外波段半導(dǎo)體光纖具備實(shí)現(xiàn)二氧化硅玻璃光纖所不能實(shí)現(xiàn)功能的潛力，例如固有光檢測(cè)和光發(fā)射等。

光電探測(cè)可以通過(guò)III-V族和IV族半導(dǎo)體完成，而光發(fā)射可以使用III-V族半導(dǎo)體完成。

日前，來(lái)自挪威科技大學(xué)的研究人員正在研制由III-V族和IV族半導(dǎo)體組成的光纖，并通過(guò)使用CO2激光加工改進(jìn)其性能。

這些設(shè)備可在紅外波段光傳輸硅（一種IV族半導(dǎo)體）光纖中將那些極具潛力的銻化鎵（GaSb，III-V半導(dǎo)體）光發(fā)射器進(jìn)行融合。

為了制造這種光纖，研究人員將熔融芯GaSb / Si纖芯混合預(yù)制棒拉制成具有150μm纖芯的光纖，其中SI中嵌入了小晶體GaSb并與光纖軸對(duì)齊。

隨后，他們用CO2激光器對(duì)該光纖進(jìn)行加熱，以進(jìn)一步隔離GaSb區(qū)域，使其周圍的光傳輸硅重新生長(zhǎng)。

激光束首先熔化GaSb，然后通過(guò)熱傳遞熔化部分硅，使GaSb斑點(diǎn)移動(dòng)并重新成形；沿著激光束的移動(dòng)焦點(diǎn)形成富含GaSb的區(qū)域，從而在硅內(nèi)產(chǎn)生長(zhǎng)達(dá)1.4mm的GaSb晶體。

研究人員使用波長(zhǎng)為1064 nm的激光實(shí)現(xiàn)了光致發(fā)光波長(zhǎng)為1600 nm的GaSb晶體，表明晶體質(zhì)量很高。

研究員表示：“我們的研究成果，是向光纖傳輸開放大部分電磁波譜邁出的第一步，也是最重要的一步。”

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