可集成固態(tài)量子存儲實驗示意圖。

中國科學技術大學8日消息：該校郭光燦院士團隊在量子存儲領域取得重要進展——用飛秒激光技術制備出高性能可集成固態(tài)量子存儲器。

相關成果分別于近日發(fā)表在著名物理學期刊Optica和Physical Review Applied上。

據介紹，團隊李傳鋒、周宗權等人采用飛秒激光微加工技術制備出高保真度的可集成固態(tài)量子存儲器，并基于自主研制設備首次實現(xiàn)稀土離子的電子自旋及核自旋相干壽命的全面提升。

量子存儲器是構建量子網絡的核心器件，它可以有效地克服信道損耗從而拓展量子通信的工作距離并且可以整合分處異地的量子計算及量子傳感資源。

當前固態(tài)量子存儲器研究面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面，已有的固態(tài)量子存儲實驗使用的存儲介質大多是塊狀晶體，這種材料不能直接對接光纖網絡或集成光學芯片，難以實現(xiàn)大規(guī)模擴展性應用；另一方面，稀土離子的電子自旋及核自旋與晶體內聲子相互作用，導致量子存儲器的相干壽命嚴重受限。為了推進量子存儲器的實用化，研究組從材料加工與測試裝備著手對以上問題展開系統(tǒng)性研究。

為解決擴展性問題，研究組采用飛秒激光微加工技術首次在摻銪硅酸釔晶體中刻蝕出光波導，研制出可集成的固態(tài)量子存儲器。實驗測定兩種方案對應的保真度分別超過99%和97%，表明這種可集成量子存儲器具有很高的可靠性。

針對相干壽命受限的問題，此前國際學術界普遍認為深低溫(<0.5K)的脈沖式電子與核自旋雙共振譜儀是個無法實現(xiàn)的任務。研究組在解決了系列技術難題后，成功搭建出國際首個深低溫脈沖式電子與核自旋雙共振譜儀，并嚴格標定其最低工作溫度為0.1K。

在0.1K溫度下，測得摻釹硅酸釔晶體的自旋回波信號的信噪比相比4K溫度下提升了20倍，電子自旋的布居數壽命和相干壽命分別達到15秒和2毫秒，同時核自旋的布居數壽命和相干壽命則分別達到10分鐘和40毫秒，這四項壽命指標相比4K溫度下均實現(xiàn)超過一個數量級的提升。

Physical Review Applied審稿人評價認為，從4K到100mK，電子自旋及核自旋的相干壽命都實現(xiàn)超過一個數量級的提升。這是首次在稀土離子中通過深低溫觀察到自旋相干壽命的顯著增強。