UV-C激光的遠場圖案投射到熒光屏上。

名古屋大學的研究人員說，他們已經(jīng)設計出一種激光二極管，該二極管可以發(fā)出迄今為止最短波長的紫外線，在消毒，皮膚病學和DNA分析中具有潛在的應用前景。

根據(jù)發(fā)表在《應用物理快報》上的研究，名古屋大學的科學家與旭化成公司合作，成功設計了一種發(fā)射深紫外光的激光二極管。

名古屋大學未來電子綜合研究中心的Chiaki Sasaoka教授說：“在室溫下通過脈沖（電流）注入，我們的激光二極管發(fā)射的激光波長最短，為271.8納米（nm）?！?/p>

UV-C半導體激光二極管的橫截面結構。

Sasaoka解釋說，以前開發(fā)紫外線激光二極管的努力只能實現(xiàn)低至336 nm的發(fā)射。

發(fā)出波長為200至280 nm的被稱為UV-C的短波長紫外光的激光二極管可用于醫(yī)療保健消毒，治療牛皮癬等皮膚病以及分析氣體和DNA 。

名古屋大學的深紫外激光二極管克服了科學家在開發(fā)這些半導體器件的工作中遇到的幾個問題。

該團隊使用高質(zhì)量的氮化鋁（AlN）基板作為其基礎，以構建激光二極管的層。他們說，這是必要的，因為較低質(zhì)量的AlN包含大量缺陷，最終會影響激光二極管有源層將電能轉換為光能的效率。

脈沖操作下的發(fā)射特性。

在激光二極管中，“ p型”和“ n型”層被“量子阱”隔開。當電流流過激光二極管時，p型層中帶正電的空穴和n型層中帶負電的電子流向中心并結合，以稱為光子的光粒子形式釋放能量。

研究人員對量子阱進行了設計，以使其能夠發(fā)出深紫外光。p型和n型層由氮化鋁鎵（AlGaN）制成。同樣由AlGaN制成的覆層位于p型和n型層的任一側。n型層下方的包層中包含硅雜質(zhì)，該過程稱為摻雜。摻雜被用作一種修改材料特性的技術。在p型層上方的包層進行了分布式極化摻雜，該摻雜層不添加雜質(zhì)。p側覆層中的鋁含量經(jīng)過設計，使其在底部最高，而在頂部降低。研究人員認為，這種鋁梯度會增加帶正電的空穴的流動。最后添加了頂部接觸層，該頂部接觸層由摻雜有鎂的p型AlGaN制成。

研究人員發(fā)現(xiàn)，p側覆層的極化摻雜意味著發(fā)射“迄今為止報告的最短波長”需要13.8V的“非常低的工作電壓”脈沖電流。

該團隊目前正在與旭化成公司進行高級聯(lián)合研究，以實現(xiàn)持續(xù)的室溫深紫外激光照射，以開發(fā)UV-C半導體激光產(chǎn)品。