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深度解讀

“火眼金睛”!高功率便攜式太赫茲激光器問世

星之球科技 來源:Techweb2020-11-18 我要評(píng)論(0 )   

Science 1在技術(shù)欄目深度報(bào)道了一篇來自Nature Photonics 2的最新進(jìn)展。隨著激光器的不斷發(fā)展,在紫外到紅外的大部分電磁光譜中已實(shí)現(xiàn)小型化、高功率和工業(yè)應(yīng)用,使數(shù)...

Science 1 在技術(shù)欄目深度報(bào)道了一篇來自Nature Photonics 2 的最新進(jìn)展。隨著激光器的不斷發(fā)展,在紫外到紅外的大部分電磁光譜中已實(shí)現(xiàn)小型化、高功率和工業(yè)應(yīng)用,使數(shù)字通信、條形碼讀取器、激光筆以及打印機(jī)等技術(shù)成為可能。但是光譜的一個(gè)關(guān)鍵區(qū)域仍然沒有被馴服,即紅外波與微波之間的太赫茲波段。

目前,這項(xiàng)工作有了巨大突破,研究人員已經(jīng)研發(fā)出高功率便攜性的THz QCL,并將繼續(xù)研發(fā)可以在室溫下工作的太赫茲探測(cè)器,將兩者結(jié)合使用便可使太赫茲成像等相關(guān)技術(shù)能夠在沒有活檢的情況下區(qū)分皮膚癌和正常組織,亦可檢測(cè)航空公司乘客和貨物中隱藏的爆炸物、非法藥物,甚至是假藥。

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圖源:中國科學(xué)院長春光機(jī)所,Light出版中心,新媒體工作組

太赫茲(Terahertz,THz)是頻率在0.1~10THz范圍內(nèi)產(chǎn)生的一種電磁輻射,其波段位于微波和紅外波之間,是宏觀經(jīng)典理論向微觀量子理論的過渡區(qū),也是電子學(xué)向光子學(xué)的過渡區(qū),被稱為電磁波譜的“太赫茲空隙”。并且由于太赫茲具有頻帶寬、光子能量低、安全性好、光譜分辨能力強(qiáng)、相干性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),使其在無線通信、雷達(dá)和成像、醫(yī)學(xué)診斷、材料表征、安全檢測(cè)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

在實(shí)際工作中,諸如晶體管和倍頻器之類的電子設(shè)備可以在

為了將THz-QCL的工作溫度升高,使其可以應(yīng)用于實(shí)際生產(chǎn)工作中,麻省理工學(xué)院的胡青教授團(tuán)隊(duì)等人通過一種新型的設(shè)計(jì)方案,開發(fā)了最高工作溫度為250K的高功率便攜式THz-QCL,如圖1所示,該系統(tǒng)對(duì)醫(yī)學(xué)成像、通信、質(zhì)量監(jiān)測(cè)、安全檢測(cè)和生物化學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用產(chǎn)生了至關(guān)重要的影響,相關(guān)研究成果以“High-power portable terahertz laser systems”為題發(fā)表在Nature Photonics中。

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圖1 位于小型冷卻器上的太赫茲激光器

圖源:MIT

QCL是基于半導(dǎo)體耦合量子阱子帶(一般為導(dǎo)帶)間的電子躍遷所產(chǎn)生的一種單極性光源,由貝爾實(shí)驗(yàn)室的研究人員于1994年首次實(shí)現(xiàn),其發(fā)射波長不僅僅取決于半導(dǎo)體材料的化學(xué)性質(zhì)和帶隙,而且取決于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。

在此基礎(chǔ)上,2002年,意大利和英國的研究人員首次實(shí)現(xiàn)了太赫茲波段的QCL,但長期以來這種緊湊型的THz-QCL只能在超低溫下工作,隨著研究人員不斷的深入研究,在2012年的工作溫度已經(jīng)提高至200K(-73℃),而在接下來的很長時(shí)間中,Tmax的提升問題卻一直處于停滯的狀態(tài),使得研究人員紛紛懷疑是否存在根本的物理原因?qū)е耇Hz-QCL不能在200K以上的溫度工作。

在2002~2018年器件,幾乎所有的Tmax記錄都是使用具有相對(duì)較低勢(shì)壘Al0.15Ga0.85As的GaAs/AlGaAs有源區(qū)實(shí)現(xiàn)的,隨著科研人員對(duì)其不斷的研究發(fā)現(xiàn),在溫度較高時(shí),載流子會(huì)越過這些勢(shì)壘形成泄露,進(jìn)而成為影響THz-QCL工作的主要原因。

為了抑制這種泄露,需要鋁的占比超過15%而獲得更高的勢(shì)壘,但采用該方式獲得的Tmax均沒有達(dá)到較為理想的效果,因此當(dāng)時(shí)得出的普遍結(jié)論是:增加電子散射或提高勢(shì)壘會(huì)降低器件的性能。

但后來,人們發(fā)現(xiàn)這些高勢(shì)壘器件通過其較高的束縛態(tài)在高溫下具有先前被忽視的泄漏通道,并且通過設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)以最小化泄露通道后,可以使得Al0.3Ga0.7As勢(shì)壘的器件在室溫下獲得理想的非線性電流-電壓的特性。

另外,在之前THz-QCL研究中為了減少高溫下電子分布的熱尾散射,經(jīng)常使用一種對(duì)角結(jié)構(gòu),但這種結(jié)構(gòu)會(huì)產(chǎn)生一定的電荷效應(yīng),從而會(huì)導(dǎo)致能帶的明顯彎曲,這點(diǎn)一直以來都被人們所忽略。

而緩解這種效應(yīng)的一種解決方案是直接聲子方案:該方案使激光器通過一種結(jié)構(gòu),即每個(gè)模塊的較低激光能級(jí)或結(jié)構(gòu)階梯的臺(tái)階,通過聲子散射到基態(tài),使電子迅速減載,然后作為電子注入到下一步的上層并重復(fù)進(jìn)行該過程,并且它還有一個(gè)額外的優(yōu)點(diǎn),即對(duì)界面粗糙度和雜質(zhì)引起的退相不敏感。

因此,基于以上特性,Ali Khalatpour等人將高勢(shì)壘的帶結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與直接聲子方案結(jié)合,提出了一種新穎的設(shè)計(jì)優(yōu)化方案:在AlGaAs勢(shì)壘中添加了更多的Al成分以防止載流子泄露,并通過精確地調(diào)整其分層結(jié)構(gòu)(某些層僅有7個(gè)原子厚),使得THz-QCL的溫度可以達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)緊湊型熱電冷卻器(TEC)所能達(dá)到的溫度。如圖2所示,為不同溫度下,使用室溫?zé)後岆娞綔y(cè)器和THz相機(jī)對(duì)TEC冷卻的THz-QCL器件的光束圖像測(cè)量示意圖。

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圖2 TEC冷卻的THz-QCL器件的光束圖像測(cè)量示意圖

圖源:Nature Photonics, 2020: 1-5 Fig3 (b、c、d、e)

從圖中可以看出,該QCL器件產(chǎn)生的激光源功率水平足以對(duì)光束方向圖進(jìn)行實(shí)時(shí)成像和快速光譜測(cè)量。且這種TEC冷卻的THz-QCL與室溫探測(cè)器、相機(jī)結(jié)合可以使得便攜式THz激光系統(tǒng)在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境之外操作,極大的提高了太赫茲在眾多領(lǐng)域中的應(yīng)用潛力。

文章信息

【論文】Khalatpour, A., Paulsen, A.K., Deimert, C. et al. High-power portable terahertz laser systems. Nat. Photonics (2020).


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