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深度解讀

研究人員構(gòu)建超低損耗集成光子電路的創(chuàng)新技術(shù)

來源:cnBeta.COM2021-04-17 我要評論(0 )   

將信息編碼為光,并通過光纖進行傳輸是光通信的核心原理。以二氧化硅為原料的光纖具有0.2dB/km的超低損耗,為今天的全球通信網(wǎng)絡(luò)和信息社會奠定了基礎(chǔ)。這種超低的光損...

將信息編碼為光,并通過光纖進行傳輸是光通信的核心原理。以二氧化硅為原料的光纖具有0.2dB/km的超低損耗,為今天的全球通信網(wǎng)絡(luò)和信息社會奠定了基礎(chǔ)。這種超低的光損耗對于集成光子學來說同樣是必不可少的,它可以利用片上波導對光信號進行合成、處理和檢測。

如今,許多創(chuàng)新技術(shù)都是基于集成光子學,包括半導體激光器、調(diào)制器和光電探測器,并廣泛應用于數(shù)據(jù)中心、通信、傳感和計算領(lǐng)域。

集成光子芯片通常是由硅制成的,硅資源豐富,光學性能好。但硅不能滿足我們在集成光子學中的需求,因此出現(xiàn)了新的材料平臺。氮化硅(Si3N4)就是其中之一,其超低的光損(比硅的光損低幾個數(shù)量級),使其成為窄線寬激光器、光子延遲線和非線性光子學等對低損耗至關(guān)重要的應用的首選材料。

現(xiàn)在,EPFL基礎(chǔ)科學學院Tobias J. Kippenberg教授小組的科學家們已經(jīng)開發(fā)出一種新技術(shù),用于構(gòu)建具有創(chuàng)紀錄的低光損耗和小尺寸的氮化硅集成光子電路。這項工作發(fā)表在《自然-通訊》上。

該技術(shù)結(jié)合了納米加工和材料科學,基于EPFL開發(fā)的光子大馬士革工藝。利用這種工藝,該團隊制作的集成電路的光損耗僅為1 dB/m,這是任何非線性集成光子材料的記錄值。這樣的低損耗大大降低了構(gòu)建芯片級光頻梳("微梳")的功率預算,用于相干光收發(fā)器、低噪聲微波合成器、激光雷達、神經(jīng)形態(tài)計算,甚至光學原子鐘等應用。該團隊利用新技術(shù)在5×5毫米2的芯片上開發(fā)了米長的波導和高質(zhì)量因子微諧振器。他們還報告了高制造良率,這對于擴大到工業(yè)生產(chǎn)至關(guān)重要。

"這些芯片器件已經(jīng)被用于參數(shù)化光放大器、窄線寬激光器和芯片級頻率梳理器,"EPFL微納技術(shù)中心(CMi)領(lǐng)導制造的Junqiu Liu博士說。"我們也期待看到我們的技術(shù)被用于新興應用,如相干激光雷達、光子神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)和量子計算。"



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