日前，長(zhǎng)光華芯科創(chuàng)板IPO提交注冊(cè)。公司主要產(chǎn)品包括高功率單管系列產(chǎn)品、高功率巴條系列產(chǎn)品、高效率VCSEL系列產(chǎn)品及光通信芯片系列產(chǎn)品等，可應(yīng)用于激光智能制造裝備、國(guó)家戰(zhàn)略高技術(shù)、科學(xué)研究、醫(yī)學(xué)美容等領(lǐng)域，逐步實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光芯片自主可控。公司本次擬募資13.48億元，用于高功率激光芯片、器件、模塊產(chǎn)能擴(kuò)充等項(xiàng)目。

擁有多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)

長(zhǎng)光華芯聚焦半導(dǎo)體激光行業(yè)，經(jīng)多年發(fā)展，目前已形成由半導(dǎo)體激光芯片、器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器構(gòu)成的四大類、多系列產(chǎn)品矩陣，為半導(dǎo)體激光行業(yè)的垂直產(chǎn)業(yè)鏈公司。

公司表示，經(jīng)過多年的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化積累，針對(duì)半導(dǎo)體激光行業(yè)核心的芯片環(huán)節(jié)，公司已建成覆蓋芯片設(shè)計(jì)、外延、光刻、解理/鍍膜、封裝測(cè)試、光纖耦合等IDM全流程工藝平臺(tái)和3吋、6吋量產(chǎn)線。

據(jù)介紹，目前3吋量產(chǎn)線為半導(dǎo)體激光行業(yè)內(nèi)的主流產(chǎn)線規(guī)格，而6吋量產(chǎn)線為該行業(yè)內(nèi)最大尺寸的產(chǎn)線，相當(dāng)于硅基半導(dǎo)體的12吋量產(chǎn)線，應(yīng)用于多款半導(dǎo)體激光芯片開發(fā)，突破一系列關(guān)鍵技術(shù)。同時(shí)，依托公司半導(dǎo)體激光芯片的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，公司業(yè)務(wù)向下游延伸，開發(fā)器件、模塊及終端直接半導(dǎo)體激光器，上下游協(xié)同發(fā)展，在半導(dǎo)體激光行業(yè)的綜合實(shí)力逐步提升。

公司擁有多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)，包括器件設(shè)計(jì)及外延生長(zhǎng)技術(shù)、FAB晶圓工藝技術(shù)、腔面鈍化處理技術(shù)、高亮度合束及光纖耦合技術(shù)等。公司產(chǎn)品在功率、電光轉(zhuǎn)換效率、壽命等方面屢次實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。隨著生產(chǎn)技術(shù)不斷提高及生產(chǎn)工藝不斷改進(jìn)，2018年至2020年，公司激光芯片生產(chǎn)的良率不斷提高，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到33.40%。良率是提高芯片產(chǎn)量、降低生產(chǎn)成本的重要因素。

招股書顯示，公司本次擬募資13.84億元，主要用于高功率激光芯片、器件、模塊產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目；垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器（VCSEL）及光通訊激光芯片產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目等。公司表示，募集資金項(xiàng)目的建設(shè)達(dá)產(chǎn)將進(jìn)一步擴(kuò)大公司產(chǎn)能，提高公司的銷售規(guī)模和市場(chǎng)占有率，提升公司競(jìng)爭(zhēng)力。

半導(dǎo)體激光芯片技術(shù)領(lǐng)先

招股書顯示，公司系半導(dǎo)體激光行業(yè)全球少數(shù)具備高功率激光芯片量產(chǎn)能力的企業(yè)之一，打破了我國(guó)激光行業(yè)上游核心環(huán)節(jié)半導(dǎo)體激光芯片依賴國(guó)外進(jìn)口的局面，逐步實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光芯片的自主可控。

自設(shè)立以來(lái)，公司獨(dú)立承擔(dān)、牽頭主持或參與國(guó)家科技部“十三五”國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目等眾多國(guó)家級(jí)科技攻關(guān)項(xiàng)目，設(shè)立了國(guó)家級(jí)博士后工作站、江蘇省博士后創(chuàng)新實(shí)踐基地、江蘇省工程技術(shù)中心、江蘇省研究生工作站及蘇州市工程技術(shù)中心等。

公司表示，針對(duì)半導(dǎo)體激光行業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景多元化、復(fù)雜化的發(fā)展趨勢(shì)，公司憑借在高功率半導(dǎo)體激光芯片領(lǐng)域的技術(shù)積累，構(gòu)建了GaAs（砷化鎵）和InP（磷化銦）兩大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)平臺(tái)，縱向延伸開發(fā)器件、模塊及直接半導(dǎo)體激光器等下游產(chǎn)品，橫向擴(kuò)展VCSEL芯片及光通信芯片領(lǐng)域。

在外延方面，公司通過非對(duì)稱的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，解決了一次外延技術(shù)的難點(diǎn)，并率先提出并采用分布式載流子注入技術(shù)，進(jìn)一步提升半導(dǎo)體激光器的輸出功率。

此外，公司采用腔面鈍化處理技術(shù)率先提出自主創(chuàng)新的腔面鈍化及窗口制備方案，制備高穩(wěn)定性及高重復(fù)性的寬帶隙腔面無(wú)吸收窗口結(jié)構(gòu)，大幅降低了激光器腔面的激光吸收從而減少熱量產(chǎn)生，提高芯片抗損傷閾值，最終實(shí)現(xiàn)芯片輸出功率及可靠性的提升。

目前，公司半導(dǎo)體激光單管芯片可實(shí)現(xiàn)30W的高功率激光輸出，半導(dǎo)體激光巴條芯片可實(shí)現(xiàn)50W-250W的連續(xù)激光輸出及500W-1000W的準(zhǔn)連續(xù)激光輸出，產(chǎn)品性能指標(biāo)居于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。

存在產(chǎn)品價(jià)格下降等風(fēng)險(xiǎn)

報(bào)告期內(nèi)（2018年-2020年及2021年1-6月），公司分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9243.44萬(wàn)元、1.39億元、2.47億元及1.91億元；凈利潤(rùn)分別為-1.44億元、-1.29億元、5.39萬(wàn)元、5580萬(wàn)元。

公司在招股書中表示，報(bào)告期內(nèi)，受產(chǎn)業(yè)鏈整體價(jià)格下降以及國(guó)內(nèi)外廠商的競(jìng)爭(zhēng)策略影響，公司單管芯片產(chǎn)品價(jià)格分別為42.44元/顆、31.95元/顆、18.95元/顆和14.10元/顆，光纖耦合模塊產(chǎn)品價(jià)格分別為3511.26元/個(gè)、3176.64元/個(gè)、2758.52元/個(gè)和2641.23元/個(gè)，呈下降趨勢(shì)。

公司表示，若未來(lái)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下降，而公司未能采取有效措施，鞏固和增強(qiáng)產(chǎn)品的綜合競(jìng)爭(zhēng)力、降低產(chǎn)品生產(chǎn)成本，公司可能難以有效應(yīng)對(duì)產(chǎn)品價(jià)格下降的風(fēng)險(xiǎn)，導(dǎo)致利潤(rùn)率水平有所降低。

同時(shí)，公司提示，報(bào)告期各期末，公司存貨賬面價(jià)值分別為3948.4萬(wàn)元、7041.71萬(wàn)元、9905.94萬(wàn)元及12055.04萬(wàn)元，占凈資產(chǎn)的比例分別為39.39%、27.69%、19.40%和21.42%。

公司表示，若客戶單方面取消訂單，或因客戶自身需求變更等因素減少訂單計(jì)劃，可能導(dǎo)致公司存貨的可變現(xiàn)凈值低于成本；另一方面，公司近年來(lái)新建廠房和購(gòu)置生產(chǎn)相關(guān)設(shè)備資產(chǎn)，投入較大，使得固定成本提高較多，若公司產(chǎn)品產(chǎn)量因市場(chǎng)需求波動(dòng)出現(xiàn)大幅減少，或因下游競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈而出現(xiàn)大幅降價(jià)，將可能使得該產(chǎn)品可變現(xiàn)凈值低于成本，對(duì)公司的經(jīng)營(yíng)業(yè)績(jī)產(chǎn)生不利影響。

此外，公司股權(quán)相對(duì)分散，不存在控股股東和實(shí)際控制人。