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Inp基大功率半導(dǎo)體激光器(二)

來(lái)源:klein Lightigo2021-12-27 我要評(píng)論(0 )   

非對(duì)稱(chēng)包層就是將n層和p層的折射率設(shè)置的不一樣,將光場(chǎng)分布偏移到n層,損耗較小,下圖的稀釋波導(dǎo)也起到非對(duì)稱(chēng)包層的作用,可以看到光場(chǎng)分布有一定的變化,稀釋波導(dǎo)采用...

非對(duì)稱(chēng)包層就是將n層和p層的折射率設(shè)置的不一樣,將光場(chǎng)分布偏移到n層,損耗較小,下圖的稀釋波導(dǎo)也起到非對(duì)稱(chēng)包層的作用,可以看到光場(chǎng)分布有一定的變化,稀釋波導(dǎo)采用InP和InGaAs交替生長(zhǎng),一是散熱效果比較好,二是可以優(yōu)化折射率降低限制因子減小損耗。

還有一些其他的大功率的半導(dǎo)體激光器,一是采用大光腔結(jié)構(gòu),波導(dǎo)寬度很寬,二是FP的一些激光器,三是采用外腔的激光器,用一些分立的透鏡光柵之類(lèi)的。

目前的單管半導(dǎo)體激光器的大功率提升主要還是研究如何提升飽和電流,一是增加散熱,二是如何減小半導(dǎo)體激光器的電阻,還有端面災(zāi)變損傷等。如果要設(shè)計(jì),目前考慮到的有,摻雜濃度、非對(duì)稱(chēng)包層、稀釋波導(dǎo)、寬脊波導(dǎo)、電極設(shè)計(jì)電阻、端面鍍膜。當(dāng)然有的電阻小了,斜率效率就會(huì)下降,還需要具體優(yōu)化分析,如果要做可以用lastip軟件仿真分析。


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Inp大功率半導(dǎo)體激光器
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