昨（19）日，微源光子（深圳）科技有限公司發(fā)生工商變更，新增華為關(guān)聯(lián)公司 深圳哈勃科技投資合伙企業(yè) (有限合伙) 為股東，同時(shí)公司注冊(cè)資本由84.93萬元人民幣增加至90.82萬元人民幣，增幅6.93%。

Source：企查查

此前，小米關(guān)聯(lián)公司海南極目創(chuàng)業(yè)投資有限公司已入股該公司，持股6.48%。

企查查信息顯示，該公司成立于2018年，經(jīng)營(yíng)范圍包含：混合集成電路、片式元器件、光電子器件及傳感器等新型電子元器件的技術(shù)開發(fā)等。

公開資料顯示，微源光子專注于高性能激光器芯片及配套光電模組的研發(fā)、生產(chǎn)，核心技術(shù)擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，產(chǎn)品技術(shù)在國(guó)內(nèi)有唯一性。據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，微源光子主要專注于激光器、窄線寬、增益芯片、光子芯片、激光雷達(dá)等技術(shù)領(lǐng)域。

華為、小米擴(kuò)大激光雷達(dá)投資版圖！

此前，華為哈勃就投資過長(zhǎng)光華芯、源杰半導(dǎo)體等激光芯片廠商。其中長(zhǎng)光華芯已于4月1日正式登陸科創(chuàng)板。

實(shí)際上，早在2016年，華為就開始布局激光雷達(dá)市場(chǎng)，進(jìn)軍汽車芯片領(lǐng)域。

2020年11月，T10 ICV CTO峰會(huì)上，華為首次面向行業(yè)正式發(fā)布了其車規(guī)級(jí)高性能激光雷達(dá)產(chǎn)品和解決方案。

小米方面，截止目前，小米系資本投資了四家公司，順為資本投資了北醒光子和圖達(dá)通；小米長(zhǎng)江產(chǎn)業(yè)基金投資了力策科技，小米集團(tuán)投資了禾賽科技。

隨著汽車朝著智能化的快速發(fā)展，自動(dòng)駕駛概念火熱。而雷達(dá)在汽車自動(dòng)駕駛中扮演著重要的角色，其中激光雷達(dá)的性能尤為突出。

激光雷達(dá)通過激光束能夠精準(zhǔn)地探測(cè)目標(biāo)的位置、速度、和方向等，在汽車上應(yīng)用可高效的感知周邊三維空間的實(shí)時(shí)信息。同時(shí)，激光雷達(dá)的探測(cè)精度達(dá)到了厘米級(jí)，且工作性能受環(huán)境干擾較小，大幅提升了自動(dòng)駕駛的行車安全。車載激光雷達(dá)已成車企必爭(zhēng)之地。

氮化鎵進(jìn)入激光雷達(dá)市場(chǎng)

激光雷達(dá)的激光器是由專門設(shè)計(jì)的電路所驅(qū)動(dòng)的，它能夠在短時(shí)間內(nèi)提供大量電流。普通的驅(qū)動(dòng)器是由一個(gè)與激光器串聯(lián)、充當(dāng)電流開關(guān)的元件所構(gòu)成。在實(shí)際的系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的Si器件（例如MOSFET）無法實(shí)現(xiàn)激光驅(qū)動(dòng)器的高性能輸出，其圖像獲取速度慢且較為模糊。

為了增強(qiáng)控制并提升相應(yīng)性能，MOSFET的溝道必須足夠大，這會(huì)增加寄生電容的充電時(shí)間，從而導(dǎo)致開關(guān)頻率太低而不滿足應(yīng)用所需。此外，散熱管理要達(dá)到良好的效果，就需要使用大體積、大重量的散熱器，這使得激光雷達(dá)發(fā)展一度受阻。

近年來，極具成本效益的第三代半導(dǎo)體GaN技術(shù)陸續(xù)商用化，其優(yōu)越的性能可以更快地觸發(fā)激光信號(hào)，讓自動(dòng)駕駛汽車看得更遠(yuǎn)、更快速、更清晰。

與Si MOSFET器件相比，

GaN FET在LiDAR應(yīng)用中具備多種優(yōu)勢(shì)

（1）與具有相同額定電流的Si MOSFET器件相比，這些GaN器件的輸入電容CISS低出10倍，從而使得GaN FET的開啟速度更快；

（2）GaN FET是一種橫向器件，使用晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝（WLCSP）。WLCSP具有極低的電感、卓越的散熱性能、高可靠性和最小的附加成本；

（3）GaN FET芯片的尺寸比具有相同電壓和額定電流的Si MOSFET小得多，從而進(jìn)一步降低了電感，并使得相鄰的激光器的相互間距可以很窄，對(duì)于多種應(yīng)用來說非常有利，例如適用于多通道的LiDAR應(yīng)用。