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中國工程院外籍院士團隊實現(xiàn)世界首次室溫下深紫外二極管連續(xù)波激光發(fā)射

激光制造網(wǎng) 來源:老ONE2022-12-02 我要評論(0 )   

研究團隊成功進行了全球首次深紫外激光二極管的室溫連續(xù)波激光發(fā)射。據(jù)《激光制造網(wǎng)》了解,近日,《Applied Physics Letters(應用物理學快報)》發(fā)表了兩篇關(guān)于室溫下...

研究團隊成功進行了全球首次深紫外激光二極管的室溫連續(xù)波激光發(fā)射。

 

據(jù)《激光制造網(wǎng)》了解,近日,《Applied Physics Letters(應用物理學快報)》發(fā)表了兩篇關(guān)于室溫下連續(xù)發(fā)射深紫外激光二極管的研究論文,由中國工程院外籍院士、日本工程院院士、美國國家工程院院士、2014年諾貝爾物理獎得主、名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩領導的研究小姐與日本化工企業(yè)旭化成公司合作,在室溫狀態(tài)下,首次成功進行了世界上連續(xù)波深-紫外激光二極管(波長低至UV-C區(qū)域)的發(fā)射。

這些結(jié)果標志著一項具有廣泛應用潛力的技術(shù)朝著應用邁出了一步,比如消毒和醫(yī)藥領域。

2014年諾貝爾物理獎得主、中國工程院外籍院士、日本工程院院士、美國國家工程院院士、名古屋大學未來材料與系統(tǒng)研究所教授天野浩

 

自20世紀60年代推出以來,經(jīng)過數(shù)十年的研究和開發(fā),激光二極管(LD)終于成功實現(xiàn)了商業(yè)化,適用于從紅外到藍紫的多種應用。該技術(shù)的示例包括具有紅外LD的光通信設備和使用藍紫LD的藍光光盤。然而,盡管世界各地的研究小組做出了努力,但沒有人能夠開發(fā)出深紫外激光二極管。關(guān)鍵的突破發(fā)生在2007年之后,因為制造氮化鋁基板制造技術(shù)(AlN)出現(xiàn)了——氮化鋁基板是生產(chǎn)紫外發(fā)光器件用氮化鋁鎵(AlGaN)膜的理想材料。

 

從2017年開始,天野浩教授的研究小組與提供2英寸AlN襯底的旭化成公司合作,開始開發(fā)深紫外LD。起初,向裝置中注入足夠的電流太困難,阻礙了UV-C激光二極管的進一步發(fā)展。但在2019年,該研究小組使用極化誘導摻雜技術(shù)成功解決了這一問題。他們第一次制造了一種短波長紫外-可見光(UV-C)激光器,該激光器以短脈沖電流工作。然而,這些電流脈沖所需的輸入功率為5.2W。這對于連續(xù)波激光來說太高了,因為該功率會導致二極管快速升溫并停止激射。

 

但現(xiàn)在,名古屋大學和旭化成公司的研究人員已經(jīng)重造了設備本身的結(jié)構(gòu),將激光器在室溫下運行所需的驅(qū)動功率降低至僅 1.1W。早期的器件被發(fā)現(xiàn)需要高水平的工作功率,這是因為激光條紋處出現(xiàn)的晶體缺陷,導致無法提供有效的電流路徑。但在這項研究中,研究人員發(fā)現(xiàn),強晶體應變造成了這些缺陷。通過巧妙地剪裁激光條紋的側(cè)壁,它們抑制了缺陷,實現(xiàn)了流向激光二極管有源區(qū)的有效電流,并降低了工作功率。

 

名古屋大學的產(chǎn)學合作平臺——未來電子集成研究中心的轉(zhuǎn)換電子設施(C-TEF)使新的紫外激光技術(shù)的發(fā)展成為可能。在C-TEF下,旭化成公司等合作伙伴的研究人員可以共享名古屋大學校園內(nèi)最先進的設施,為他們提供制造可復制的高質(zhì)量設備所需的人員和工具。

 

這項研究在所有波長范圍的半導體激光器的實際應用和發(fā)展中具有里程碑意義。未來,UV-C激光二極管可以應用于醫(yī)療保健、病毒檢測、顆粒物測量、氣體分析和高清激光處理?!八跉⒕夹g(shù)上的應用可能是開創(chuàng)性的,”一位團隊成員說,“與當前的LED消毒方法不同,激光可以在短時間內(nèi)遠距離對大面積區(qū)域進行消毒”。

 

參考文獻:

“Key temperature-dependent characteristics of AlGaN-based UV-C laser diode and demonstration of room-temperature continuous-wave lasing” by Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Chiaki Sasaoka, Leo J. Schowalter and Hiroshi Amano, 24 November 2022, Applied Physics Letters.DOI: 10.1063/5.0124480

 

“Local stress control to suppress dislocation generation for pseudomorphically grown AlGaN UV-C laser diodes” by Maki Kushimoto, Ziyi Zhang, Akira Yoshikawa, Koji Aoto, Yoshio Honda, Chiaki Sasaoka, Leo J. Schowalter and Hiroshi Amano, 24 November 2022, Applied Physics Letters.DOI: 10.1063/5.0124512

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