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長光華芯擬10億元投建先進化合物半導體光電子平臺項目

來源:激光制造網(wǎng)整理2022-12-29 我要評論(0 )   

近日,蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(簡稱“長光華芯”)公告,全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創(chuàng)新研究院有限公司(簡稱“研究院”)與蘇州科技城管理委員會簽訂項...

       近日,蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(簡稱“長光華芯”)公告,全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創(chuàng)新研究院有限公司(簡稱“研究院”)與蘇州科技城管理委員會簽訂項目投資合作協(xié)議,擬在太湖科學城新建先進化合物半導體光電子平臺項目。項目總占地面積約31畝,投資總額約10億元。


  據(jù)公告介紹,蘇州高新區(qū)聚焦光子產業(yè)發(fā)展,推動產業(yè)鏈、資金鏈、人才鏈深度融合,以加速打造千億級光子產業(yè)創(chuàng)新集群為目標,持續(xù)優(yōu)化光子產業(yè)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)。為響應蘇州太湖光子中心建設推進暨蘇州高新區(qū)產業(yè)創(chuàng)新集群發(fā)展的號召,公司全資子公司“研究院”與蘇州科技城管理委員會依據(jù)相關法律法規(guī)規(guī)定,在昨日簽訂了合作協(xié)議。


  公司擬計劃根據(jù)項目進程,合理分期投資自有資金及自籌資金10億元在太湖科學城建設先進化合物半導體光電子平臺項目(包括生產中心、研發(fā)中心和動力站及配套設施建設,設備采購及后期運營等)。項目計劃2023年開工,2025年建成投產,本項目預計年產值不低于6億元。該項目將依法依規(guī)得到蘇州科技城管理委員會及各級政府政策支持,將依法依規(guī)盡快完成辦理各項手續(xù)。


  項目內容:研究院計劃在太湖科學城新建先進化合物半導體光電子平臺項目,形成年產1億顆芯片、500萬器件的能力,具備氮化鎵、砷化鎵、磷化銦等激光器和探測器芯片的產線建設及器件封裝能力,具備其他高功率半導體激光器芯片等功率芯片研發(fā)、封測能力(包括6-8寸器件封測生產線建設)。


  長光華芯表示,本次投資的項目內容有利于提升公司的產品供應能力,進一步鞏固和擴大公司的市場份額;有利于完善公司光電子產業(yè)鏈布局;有利于公司與地方政府實現(xiàn)優(yōu)勢互補、互惠。公司擬進行的項目建設將增加公司資本開支和現(xiàn)金支出,但對公司長期的業(yè)務布局和經(jīng)營業(yè)績具有積極影響,符合公司整體戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃。


      長光華芯專注于研發(fā)和生產半導體激光芯片,核心技術覆蓋半導體激光行業(yè)最核心的領域,攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題,建成了完全自主可控的從芯片設計、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測試、光學耦合、直接半導體激光器等完整的工藝平臺和量產線,是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業(yè),有力推動了我國超高功率激光技術及其應用的快速發(fā)展。

 


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長光華芯先進化合物半導體光電子平臺
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