1月26日，中科院半導體所發(fā)布王圩院士訃告。

中國共產(chǎn)黨優(yōu)秀黨員、中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員、我國著名半導體光電子學家王圩先生因病醫(yī)治無效，不幸于2023年1月26日18點11分在北京逝世，享年86歲。

據(jù)介紹，王圩院士是我國著名的半導體光電子學專家，1937年12月25日生于河北文安，1960年畢業(yè)于北京大學物理系半導體專業(yè)，同年到中國科學院半導體研究所工作至今。王圩院士為我國半導體學科建設、技術創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)做出了重要貢獻。先后獲得國家“六五”攻關獎、中國科學院科學技術進步一等獎、國家科學技術進步二等獎、中國材料研究學會科學技術一等獎等。發(fā)表學術論文百余篇。1997年當選中國科學院院士。

王圩院士是我國半導體激光器的開拓者，在半導體光電子領域辛勤耕耘、造詣頗深，并取得了一系列重要科研成果。

20世紀60年代率先在國內(nèi)研制成功無位錯硅單晶，為我國硅平面型晶體管和集成電路的發(fā)展做出了貢獻。

70年代率先在國內(nèi)研制成功單異質結室溫脈沖大功率激光器和面發(fā)射高亮度發(fā)光管，并成功應用于夜視和精密測距儀等關鍵技術上；參與建立了國內(nèi)首批Ⅲ-V族化合物液相外延方法，為國內(nèi)首次研制成功GaAs基短波長脈沖激光器奠定基礎。

80年代至90年代采用大過冷度技術和量子剪裁生長技術，研制出1.3微米/1.5微米激光器和應變量子阱動態(tài)單模分布反饋激光器，為我國提供了用于研發(fā)第二、第三代長途大容量光纖通信急需的光源。

進入新世紀以來，王圩院士在半導體光電子材料和器件的前端研究領域，主持開展大應變量子阱材料以及不同帶隙量子阱材料的單片集成等關鍵技術的研究，建立了可集成半導體激光器、電吸收調制器、光放大器、探測器以及耦合器等部件的集成技術平臺，為開展多個光學部件的單片集成技術奠定了基礎，成為我國開展InP基功能集成材料及器件研究、技術輻射和應用的基地。

王圩院士甘為人梯、提攜后進，在教育戰(zhàn)線上辛勤耕耘60余年，傾注了大量心血和汗水，培養(yǎng)和造就了一大批優(yōu)秀科技人才，對我國光電子學事業(yè)的發(fā)展和光電子學領域人才的培養(yǎng)作出了重要貢獻。他嚴謹求實、奮斗不止的科學精神和愛國奉獻、淡泊名利的高尚品德，更是廣大科技工作者和師生學習的榜樣。

王圩院士的一生，是無私奉獻的一生，是光榮偉大的一生，他對國家和人民無限忠誠，將畢生精力奉獻給了我國科技與教育事業(yè)。他富有遠見卓識和開創(chuàng)精神，以國家的重大需求為目標，為我國的半導體事業(yè)作出重大貢獻。他嚴于律己，克已奉公，治學嚴謹，為人謙和。他的業(yè)績和品德，為中國科技事業(yè)樹立了一座不朽的豐碑，他崇高的科學精神和道德風范永遠值得我們學習和敬仰！

王圩院士的逝世不僅是半導體研究所的重大損失，也是我國科學界、教育界的重大損失。對王圩院士的逝世,我們表示深切的哀悼!