據(jù)悉，高功率高亮度半導(dǎo)體激光芯片是激光產(chǎn)業(yè)鏈的基石與源頭，激光芯片的功率、亮度、可靠性作為核心指標(biāo)，直接影響激光系統(tǒng)的性能、體積與成本，是實(shí)現(xiàn)激光系統(tǒng)小型化、輕量化、智能化的前提和保證。長(zhǎng)光華芯致力于更高功率、更高亮度單管芯片的研發(fā)與生產(chǎn)，日前單管芯片功率突破性的達(dá)到66W。

　　2023年1月，在photonics west 2023會(huì)議上， 長(zhǎng)光華芯首次報(bào)道了在亮度保持不變的條件下(芯片條寬230μm)，芯片出光功率提升20%(功率從32W提升到40W)，最大功率超過(guò)51W.該芯片的功率亮度性能是230μm條寬下高功率激光芯片已知報(bào)道的最高水平，長(zhǎng)光華芯為實(shí)現(xiàn)高亮度條件下芯片功率的持續(xù)提升而不斷探索。

　　2023年2月，基于在photonics west報(bào)道的芯片技術(shù)長(zhǎng)光華芯開(kāi)發(fā)了更高功率芯片寬條寬半導(dǎo)體激光芯片，在業(yè)內(nèi)首次推出最大功率超過(guò)66W的單管芯片(熱沉溫度為室溫)，芯片條寬290μm，最大效率超過(guò)70%，工作效率超過(guò)63%，這是迄今已知報(bào)道的條寬在400μm以下高功率激光芯片的最高水平。

　　長(zhǎng)光華芯專注于研發(fā)和生產(chǎn)半導(dǎo)體激光芯片，核心技術(shù)覆蓋半導(dǎo)體激光行業(yè)最核心領(lǐng)域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長(zhǎng)、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術(shù)難題，建成了完全自研的芯片設(shè)計(jì)、MOCVD(外延)、FAB晶圓流片、解理/鍍膜、封裝、測(cè)試、光學(xué)耦合、直接半導(dǎo)體激光器等完整的工藝平臺(tái)和量產(chǎn)線，是全球少數(shù)幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導(dǎo)體激光器企業(yè)，有力推動(dòng)了我國(guó)超高功率激光技術(shù)及其應(yīng)用的快速發(fā)展。