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長(zhǎng)光華芯發(fā)布56G PAM4 EML光通信芯片

來(lái)源:長(zhǎng)光華芯2023-05-19 我要評(píng)論(0 )   

2023年5月16-18日,第十九屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇在中國(guó)光谷科技會(huì)展中心舉辦,長(zhǎng)光華芯攜一系列最新產(chǎn)品亮相,并發(fā)布56G PAM4 EML光通信芯片,進(jìn)入光芯...

2023年5月16-18日,第十九屆“中國(guó)光谷”國(guó)際光電子博覽會(huì)暨論壇在中國(guó)光谷科技會(huì)展中心舉辦,長(zhǎng)光華芯攜一系列最新產(chǎn)品亮相,并發(fā)布56G PAM4 EML光通信芯片,進(jìn)入光芯片高端市場(chǎng),開(kāi)啟廣闊增長(zhǎng)空間。


算力時(shí)代 光通信市場(chǎng)需求向好

2022年11月30日,ChatGPT橫空出世,一石激起千層浪,截至2023年2月,ChatGPT這個(gè)基于大規(guī)模語(yǔ)言模型的超智能對(duì)話AI產(chǎn)品,在全球狂攬1億名用戶。無(wú)論是討論當(dāng)下互聯(lián)網(wǎng)最新的內(nèi)容創(chuàng)作方式AIGC(AI Generated Content AI生產(chǎn)內(nèi)容),還是爆火的ChatGPT,其本質(zhì)都是在探討其背后的AI產(chǎn)業(yè)鏈。

 

數(shù)據(jù)、算法、算力是AI發(fā)展的三大要素,基于OpenAI的第三代大模型GPT-3升級(jí)而來(lái)的ChatGPT,其算力的最終來(lái)源也就是芯片,算力作為一種新的基礎(chǔ)設(shè)施,正成為當(dāng)前及未來(lái)數(shù)字經(jīng)濟(jì)的核心支撐,跟算力相關(guān)的GPU、CPU、SoC、儲(chǔ)存芯片等都具備較為明晰的成長(zhǎng)機(jī)遇。


長(zhǎng)光華芯發(fā)布56G PAM4 EML

數(shù)據(jù)中心是算力的載體,AI服務(wù)器對(duì)于底層數(shù)據(jù)的傳輸速率和時(shí)延要求非常高,對(duì)應(yīng)的架頂交換機(jī)需匹配底層較大的數(shù)據(jù)傳輸帶寬,且極低的時(shí)延冗余,這需要高速率的光模塊進(jìn)行匹配。長(zhǎng)光華芯發(fā)布的單波100Gbps (56Gbaud四電平脈沖幅度調(diào)制(PAM4))電吸收調(diào)制器激光二極管(EML)芯片,支持四個(gè)波長(zhǎng)的粗波分復(fù)用(CWDM),達(dá)到了使用4顆芯片實(shí)現(xiàn)400Gbps傳輸速率,或8顆芯片實(shí)現(xiàn)800Gbps傳輸速率的應(yīng)用目標(biāo)。該芯片采用脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu),支持4個(gè)CWDM波長(zhǎng)-1271、1291、1311和1331nm,允許不同波長(zhǎng)的光信號(hào)在單個(gè)光纖中復(fù)用,從而減少所需要的光纖數(shù)量。電吸收調(diào)制區(qū)調(diào)制速率達(dá)56GBd,可使用56GBd PAM4信號(hào)支持112Gb/s,具有閾值電流低、工作溫度范圍寬的優(yōu)點(diǎn)。該芯片符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)和Telcordia GR-468標(biāo)準(zhǔn),為當(dāng)前400G/800G 超算數(shù)據(jù)中心互連光模塊的核心器件。


從2010年,長(zhǎng)光華芯就已經(jīng)布局了磷化銦激光芯片產(chǎn)線,初期具備2.5G FP的批量出貨能力。在2020年,公司開(kāi)展10G APD 和L波段高功率EML的產(chǎn)品研發(fā),全面建成了高速光通信芯片的研發(fā)生產(chǎn)產(chǎn)線,兩款產(chǎn)品在2022年初通過(guò)大廠(客戶)認(rèn)證,并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的批量供貨。此次56G PAM4 EML芯片的發(fā)布,意味著長(zhǎng)光華芯已全面實(shí)現(xiàn)在光通信領(lǐng)域的橫向擴(kuò)展。


長(zhǎng)光華芯采用IDM模式,突破外延生長(zhǎng)、芯片制造、封測(cè)各環(huán)節(jié)關(guān)鍵技術(shù)及工藝,擁有半導(dǎo)體激光行業(yè)中最大的6吋生產(chǎn)線。構(gòu)建了砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)和氮化鎵(GaN)三大材料體系,具備邊發(fā)射和面發(fā)射兩大芯片結(jié)構(gòu)技術(shù)和工藝生產(chǎn)平臺(tái)。自2018年起布局高速光通信芯片領(lǐng)域,先后引進(jìn)行業(yè)資深專家,組建專業(yè)研發(fā)團(tuán)隊(duì),建成完整的光通信工藝平臺(tái)和量產(chǎn)產(chǎn)線,包含芯片設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、臺(tái)面刻蝕、氧化工藝、電鍍金、性能測(cè)試等,攻克了材料外延生長(zhǎng)的精確控制和穩(wěn)定性難題以及激光電流的氧化限制控制難題,致力于高速率光通信芯片的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)及銷售。


未來(lái),長(zhǎng)光華芯將充分利用IDM企業(yè)優(yōu)勢(shì)和自身雄厚的技術(shù)積累,精準(zhǔn)把握市場(chǎng)需求,持續(xù)推出更多更具市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的光通信產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)光芯片國(guó)產(chǎn)化從1到N的突破。中國(guó)激光芯,光耀美好生活。



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長(zhǎng)光華芯通信芯片
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