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助推半導(dǎo)體激光芯片國(guó)產(chǎn)化 瑞波光電攜芯片新品亮相CIOE2023

激光制造網(wǎng) 來(lái)源:瑞波光電2023-08-23 我要評(píng)論(0 )   

9月6-8日,深圳瑞波光電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞波光電)將攜最新大功率半導(dǎo)體激光芯片解決方案亮相第24屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE2023),誠(chéng)摯邀請(qǐng)您蒞臨激光技術(shù)及智...

9月6-8日,深圳瑞波光電子有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞波光電)將攜最新大功率半導(dǎo)體激光芯片解決方案亮相第24屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)(CIOE2023),誠(chéng)摯邀請(qǐng)您蒞臨激光技術(shù)及智能制造展4號(hào)館4A062展位參觀、交流及業(yè)務(wù)洽談。

第24屆中國(guó)國(guó)際光電博覽會(huì)開(kāi)展在即,瑞波光電如約而至,將展示最新半導(dǎo)體激光芯片新品——225W 905nm脈沖發(fā)射芯片(EEL),905nm APD,500mW 980nm單模芯片及模組等。



5節(jié)905nm芯片功率225W:商業(yè)芯片里全球功率最高


基于激光雷達(dá)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展,瑞波光電為該應(yīng)用領(lǐng)域開(kāi)發(fā)了多款低溫漂905nm EEL芯片系列,包括65W/135W/165W單管芯片,以及1*8和1*16陣列芯片,同時(shí)在展會(huì)上發(fā)布國(guó)內(nèi)首款可商業(yè)化的5節(jié)功率225W芯片@37A, 光功率密度達(dá)到47KW/mm2,支持常規(guī)溫漂和低溫漂,所有芯片均支持TO和SF封裝;客戶(hù)通過(guò)使用瑞波迭代的新款905nm EEL芯片,可以開(kāi)發(fā)出性能更優(yōu)、成本更低的新一代激光雷達(dá)。

瑞波5節(jié)功率225W 905nm EEL芯片PIV曲線(RB-905E-300-225-0.75-SE-G90)


首推雪崩光電二極管器件APD


瑞波光電也將展示雪崩光電二極管器件APD,實(shí)現(xiàn)了在探測(cè)產(chǎn)品上的零突破,本次發(fā)布的APD型號(hào)RB-APD500-905-SMD,有源區(qū)面積500 μm,響應(yīng)度為56 A/W,擊穿電壓為130-190V,該器件主要用于測(cè)距領(lǐng)域,憑借發(fā)射和探測(cè)的齊備,可大大提升了客戶(hù)的設(shè)計(jì)彈性和便攜度。

瑞波光電APD增益-反向電壓曲線


首推大功率980nm單模芯片及模塊


目前,用于光通信和激光雷達(dá)用的大功率單模980nm激光芯片仍主要依賴(lài)進(jìn)口。多年來(lái),瑞波光電針對(duì)單模980nm激光芯片和模塊進(jìn)行全方位布局研發(fā),目前已攻克了多項(xiàng)核心技術(shù),突破了芯片和模塊研制過(guò)程中IDM體系的諸多關(guān)鍵技術(shù)和工藝,實(shí)現(xiàn)了從芯片設(shè)計(jì)、材料外延、芯片到模塊的國(guó)產(chǎn)化制造。本次展會(huì),瑞波將展示500mW級(jí)的980nm激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE,以及蝶形封裝模組RB-980-400-M。

980nm單模激光芯片RB-980-4-0.5-4-SE PIV曲線


980nm蝶形封裝模組RB-980-400-M  PIV曲線


測(cè)試表征設(shè)備助力行業(yè)升級(jí)


本屆深圳光博會(huì)上,瑞波還將展出支持50A以上的大電流老化設(shè)備,新一代全自動(dòng)COS測(cè)試機(jī),以及面向紅綠藍(lán)激光 TO器件的全自動(dòng)盤(pán)測(cè)機(jī)等新型測(cè)試設(shè)備。通過(guò)穩(wěn)定的整機(jī)性能控制、物料優(yōu)化和選型,為激光廠家提供整體智能化、高性?xún)r(jià)比的測(cè)試解決方案,滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)更大電流、更快速度測(cè)試的迫切需求。

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激光應(yīng)用激光切割焊接清洗
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