撓曲電效應描述了應變梯度與極化（正撓曲電）以及電場梯度與應力（逆撓曲電）之間的力電耦合作用。由于應變梯度本身可以打破材料的中心對稱性，撓曲電效應理論上可以存在于包括中心對稱的絕大部分介電材料中。同時，撓曲電效應具有顯著的尺寸依賴性，小尺寸材料中更易產(chǎn)生大的應變梯度場。相比傳統(tǒng)壓電效應只存在于非中心對稱材料且不具有尺寸依賴性的特點，撓曲電效應在后摩爾時代的多功能、高集成度的新型器件中將扮演更加重要的角色。

如何誘導可控的大應變梯度，是撓曲電效應研究中的一個關(guān)鍵挑戰(zhàn)。相比于傳統(tǒng)體材料，新興的二維范德華材料可以承受更大的形變，研究撓曲電效應對其光電性能的影響，可以為實現(xiàn)高性能微納光電探測器提供一種新的調(diào)控手段。

研究團隊表示，通過擬合彎曲異質(zhì)結(jié)的高度曲線可以證明利用直徑為數(shù)百納米的ZnO納米線可以在二維材料中產(chǎn)生高達1 μm^?1量級的應變梯度場，比傳統(tǒng)三維柔性器件高出約3個數(shù)量級，開爾文探針力顯微鏡（KPFM）表面勢測量結(jié)果表明強應變梯度場顯著改變了異質(zhì)結(jié)區(qū)域的能帶結(jié)構(gòu)。

圖｜彎曲α-In₂Se₃/β-InSe異質(zhì)結(jié)的曲率及表面勢表征

相應的光電性能測試表明，相比平直異質(zhì)結(jié)，平均曲率為0.9 μm^?1 的彎曲異質(zhì)結(jié)的開路電壓和零偏壓響應度分別提高了2.48倍和7.62倍。證明了撓曲電效應可以有效提升二維異質(zhì)結(jié)的光電探測性能，撓曲電效應可為高性能微納光電探測器的研制提供一種新的調(diào)控手段。

圖｜光電性能與應變梯度之間的關(guān)系

相關(guān)研究成果以“Flexoelectricity-Enhanced Self-Powered Photodetection in 2D van der Waals Heterojunctions With Large Curvatures”為題發(fā)表在國際權(quán)威期刊《Advanced Functional Materials》（IF:19，Nature Index期刊）上。深圳技術(shù)大學副研究員齊魯為第一作者，深圳技術(shù)大學阮雙琛教授與深圳大學曾昱嘉教授為共同通訊作者。該項研究得到了國家自然科學基金、廣東省基礎(chǔ)與應用基礎(chǔ)研究基金和深圳市科技計劃等項目支持。