伴隨著AI突飛猛進(jìn)的跨越式發(fā)展，除了數(shù)據(jù)中心帶寬爆發(fā)性增長(zhǎng)外，接入帶寬需求不斷攀升，固網(wǎng)接入主流應(yīng)用速率將從10Gbps跨步到50Gbps， 50G PON將是有線寬帶接入下一階段的部署趨勢(shì)，并有機(jī)會(huì)在AI的推動(dòng)下實(shí)現(xiàn)加速。

作為行業(yè)領(lǐng)先的高速光芯片供應(yīng)商，源杰科技基于10+年激光器芯片研發(fā)積累，借助10G 1577nm EML+SOA大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，成功研發(fā)并批量出貨集成SOA的大光功率50G 1342nm EML+SOA激光器芯片，適用于下一代高速PON網(wǎng)絡(luò)的50G PON OLT系列EML光芯片解決方案。同時(shí)，2025年源杰科技計(jì)劃推出滿足更高功率版本OLT端的50G 1342nm EML+SOA產(chǎn)品。

針對(duì)50G PON應(yīng)用，源杰科技提供全套解決方案，非對(duì)稱ONU端(1286波段)采取DML方案，目前在客戶端已實(shí)現(xiàn)批量;對(duì)稱ONU(1286波段)和OLT端(1342波段)均采取EML+SOA 方案，滿足ITU標(biāo)準(zhǔn)C+標(biāo)準(zhǔn)，已實(shí)現(xiàn)批量發(fā)貨下游客戶。

圖1：50Gbps 1342nm EML+SOA 激光器 S21曲線；測(cè)試條件：50℃, LD=100mA, SOA=100mA, EA=-0.6V
圖2：50Gbps 1342nm EML+SOA 激光器眼圖；測(cè)試條件：50℃, LD=100mA, SOA=100mA, EA=-0.7V，Vpp=1.5V
圖3：50G 1342nm EML+SOA激光器DC Characteristic；測(cè)試條件：IDFB = 100mA, ISOA = 100mA
該系列芯片具備高帶寬、大消光比、大功率、低噪聲等特點(diǎn)，成熟的DFB+EA對(duì)接結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與工藝實(shí)現(xiàn)低損耗、高可靠性，助力50G PON產(chǎn)業(yè)化落地。
來(lái)源：源杰科技

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源杰科技發(fā)布量產(chǎn)50G EML+SOA激光器