8月20日，2025年中國科學院院士增選推薦工作已經(jīng)結(jié)束。經(jīng)中國科學院學部主席團審議，中國科學院黨組審定，確認2025年中國科學院院士增選有效候選人639人。根據(jù)《中國科學院院士增選工作實施辦法（試行）》的規(guī)定，中國科學院將有效候選人名單予以公布。

山東大學徐現(xiàn)剛在列。

徐現(xiàn)剛，男，59歲，山東大學講席教授、博士生導師，現(xiàn)任山東大學晶體材料全國重點實驗室主任、新一代半導體材料研究院院長。教育部“長江計劃”特聘教授，國家杰出青年科學基金獲得者，獲得全國優(yōu)秀科技工作者。曾任國務院學位委員會委員、國家“863”計劃半導體照明工程重大項目總體專家組專家，享受國務院政府特殊津貼。

徐現(xiàn)剛教授自2000年開始進行寬禁帶半導體碳化硅單晶的研究，在碳化硅生長機理、高純半絕緣創(chuàng)制、裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化方面取得了系列創(chuàng)造性成果。針對碳化硅單晶“長不出、長不好、難加工”的重大挑戰(zhàn)，提出了成核控制、能級補償和位錯復合的學術思想，發(fā)展了氣相單晶生長和寬禁帶半導體能級調(diào)控理論，先后突破了2-12英寸碳化硅單晶生長技術，在我國首次攻克了高純半絕緣碳化硅晶體制備系列技術壁壘，獲得了高純半絕緣碳化硅，應用于雷達系統(tǒng)的核心器件，已全面列裝到殲-20戰(zhàn)機、空警500A預警機、航空母艦和東風導彈等我軍主力裝備。專利成果先后轉(zhuǎn)讓天岳先進和南砂晶圓等龍頭企業(yè),培養(yǎng)了本領域一批產(chǎn)業(yè)領軍人才，打破國外封鎖，實現(xiàn)自主可控，為我軍武器裝備建設做出重大貢獻。承擔科技部重大攻關***任務、核心電子器件重大專項、973計劃、重點研發(fā)計劃及自然科學基金等項目。

自1989年至今一直從事化合物半導體薄膜材料外延及器件研究工作，應用到半導體激光器、發(fā)光二極管、異質(zhì)結(jié)晶體管等多種半導體器件，攻克了高功率半導體激光器腔面災變損傷及熱飽和兩大難題，實現(xiàn)了砷化鎵基高功率半導體激光外延材料和芯片的國產(chǎn)化，服務激光武器等國家重大工程。

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