半導體激光器是什么？

半導體激光器是一種把電能轉換為光能的新型器件。1962年有人研究成功在液氮溫度下，正向偏置的砷化鎵PN結激光器。以后又研究成功了雙異質結的半導體激光器，使半導體激光器的性能有了進一步的提高。半導體激光器具有體積小、牢固可靠、效率高可以直接由注入電流激勵或調制等優(yōu)點。它在光纖通訊、工業(yè)、醫(yī)學等許多領域有著重要的應用。

一、什么叫激光

假設一個原子有兩個能量狀態(tài)E1和E2。處在E1的原子能量較低，我們稱它為基態(tài)；處在E2的原子能量較高，稱為激發(fā)態(tài)。在通常情況下，大部分原子都處于能量較低的E1狀態(tài)。如果該原子受到光照，而且光波的頻率v與這兩個能量狀態(tài)的能量具有關系，那末，原子會吸收光子的能量從基態(tài)激發(fā)到激發(fā)態(tài)，這就是吸收過程。處在激發(fā)態(tài)的原子是不穩(wěn)定的，經過一定時間后，它會從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)，同時放出一個能量為h的光子，這個過程稱為自發(fā)射。但也有可能發(fā)生另一種情況，當原子還處在激發(fā)態(tài)時，又有一個能量為M的光子作用于它，這時，這個原子會受到光子的激勵立即從激發(fā)態(tài)回到基態(tài)同時能放出兩個光子，這個過程稱為受激發(fā)射。我們注意到，受激發(fā)射所產生的光子是激勵后產生的，所以它的頻率、相位等都與激勵它的光子完全相同。

可以用一定的辦法使處在激發(fā)態(tài)的原子數比處在基態(tài)的原子數還要多。我們把處在這種情況下的系統分布稱為粒子數反轉分布。如果一束能量的光子作用于一個已經達到粒子數反轉的系統上，那末，受激發(fā)射的過程將超過吸收過程。也就是說離開這個系統的、能量的光子將比進入這個系統的光子多。這種現象稱為光量子放大。人們把受激發(fā)射光量子放大所產生的光稱為激光。與普通光相比，激光具有許多特殊的性質。它是一種亮度極高，方向性和單色性很好的相干光輻射。

二、半導體激光器

與上述原理相似，利用半導體材料中的電子能級以及它們之間的躍遷發(fā)光，可以制成半導體激光器。用擴散的方法形成PN結，垂直于PN結的一對平行平面是光學平面，它們是利用砷化鎵材料兩個平行的解理面形成的，構成所謂諧振腔，前后是兩個粗糙的平面在PN結上加正向偏壓，并且使正向偏壓足夠大。由于大量的少數載流子注入，在PN結的空間電荷區(qū)附近存在一個粒子數反轉分布的區(qū)域，我們稱為“有源區(qū)”。一對平行的光學平面限制了部分光的透射。光在內部來回反射，逐漸增強，最后形成激光輸出。粗糙表面的作用是使激光輸出限制在一個方向上。

半導體激光器的主要特性參數有閾值電流、功率效率、峰值發(fā)射波長和譜線寬度。閾值電流表示激光器產生激光所需的最小工作電流。功率效率表示輸出的光功率與注入的電功率之比。峰值發(fā)射波長是激光輻射強度最大處的波長。光譜線最大強度的一半所對應的兩個波長之差稱為譜線寬度。

由同一種半導體材料構成的PN結稱為同質結。由兩種不同材料構成的PN結稱為異質結。為了提高半導體激光器的性能，已經改進和研制了不同結構的激光器?，F在正在積極發(fā)展與研究適用于光纖通訊的長波長（工作波長為1.3微米和1.5微米）的雙異質結激光器。制造在室溫下連續(xù)工作的長壽命半導體激光器是半導體激光器研制的重要課題。隨著對激光器退化機理的研究以及材料和工藝的改進，半導體激光器將開拓更廣闊的道路。