在華為遭受制裁之后，我們都明白了光刻機(jī)與芯片制造的重要性及技術(shù)難度。光刻機(jī)雖然是荷蘭ASML公司生產(chǎn)制造，但實(shí)際上設(shè)備中凝聚了世界科技之精華，比如光源的設(shè)計(jì)與生產(chǎn)是美國(guó)為主、高功率激光部件與鏡頭是德國(guó)工藝、部分核心電子設(shè)備又有愛(ài)爾蘭、荷蘭等國(guó)家的技術(shù)支持。

別看美國(guó)成天拿著光刻機(jī)對(duì)著他國(guó)又是威脅又是制裁，實(shí)際上雖然光刻機(jī)的生產(chǎn)制造依賴美國(guó)技術(shù)，可如果荷蘭、德國(guó)哪一天對(duì)美國(guó)進(jìn)行技術(shù)封鎖，美國(guó)自己也造不出光刻機(jī)。換句話來(lái)說(shuō)，目前世界上還沒(méi)有一個(gè)國(guó)家能夠獨(dú)立制造光刻機(jī)。

光刻機(jī)如此難造，那其中到底又有何奧妙呢？我們是做激光板卡的，就從激光部件說(shuō)說(shuō)相關(guān)知識(shí)吧

目前我們所說(shuō)的光刻機(jī)一般指EUV光刻機(jī)，EUV指的是極紫外光，這是光刻機(jī)的第五代技術(shù)，也是目前最先進(jìn)的技術(shù)。此前的DUV光刻機(jī)等前代產(chǎn)品，都是用深紫外光來(lái)進(jìn)行加工處理的，隨著芯片制造工藝發(fā)展到5nm、3nm這一步，原先的光刻技術(shù)面臨考驗(yàn)，新一代的EUV光刻機(jī)就成了半導(dǎo)體制造不可或缺的兵器。

在激光部件方面，EUV光刻機(jī)與DUV光刻機(jī)最大的不同之處在于光源，前幾代DUV用的光源是深紫外光，其波長(zhǎng)為193nm，新一代EUV使用的是波長(zhǎng)極短的13.5nm極紫外激光。極紫外激光的產(chǎn)生條件非常苛刻，需要將等離子體加熱到近22萬(wàn)攝氏度，幾乎是太陽(yáng)表面溫度的40倍，同時(shí)，極紫外光能夠電離幾乎所有組成普通物質(zhì)的原子和分子，這種光不能與空氣接觸，只能在真空中傳播，所以極紫外光也被成為真空紫外光。

為制作極紫外激光相關(guān)部件，光刻機(jī)制造商荷蘭ASML公司與德國(guó)鏡頭制造商Zeiss以及德國(guó)光源制造商Trumpf通過(guò)多年合作，研制出了一套獨(dú)一無(wú)二的CO2激光系統(tǒng)。

這套系統(tǒng)能夠每秒發(fā)射出5萬(wàn)粒錫珠，通過(guò)真空室并被激光脈沖擊中，當(dāng)脈沖擊中錫珠時(shí)，錫被電離并產(chǎn)生高強(qiáng)度的等離子體，同時(shí)發(fā)出13.5nm極紫外激光，隨后的收集系統(tǒng)將其收集并輸出（13.5nm波長(zhǎng)導(dǎo)致激光無(wú)法穿過(guò)透鏡，所以EUV系統(tǒng)為全反射，包括光罩、掩膜），從而開(kāi)始對(duì)晶圓雕刻。

這套復(fù)雜的激光系統(tǒng)包含了極紫外光源、高功率放大鏈路、光束傳輸系統(tǒng)、光學(xué)平臺(tái)等多個(gè)精密合作的核心部件，輸出的激光脈沖超過(guò)3萬(wàn)瓦的平均脈沖功率，峰值功率高達(dá)數(shù)兆瓦，是當(dāng)代激光工藝的頂尖之作。

當(dāng)然，EUV光刻機(jī)包含的先進(jìn)科技雖然高深神秘，但也并非無(wú)法超越，科技發(fā)展風(fēng)云變幻，沒(méi)人可以預(yù)測(cè)下一個(gè)十年的制造業(yè)風(fēng)向，未來(lái)會(huì)走向何處如何，還需我們努力向前，沖破阻礙。