由激光驅動原子、分子、或等離子體產生的遠紫外（EUV）高次諧波輻射是阿秒光譜技術的基礎，也為了解物質的基本結構和動態(tài)屬性提供了可能。最近的實驗和理論驗證了飛秒量級的中紅外場與塊狀半導體相互作用可以產生深紫外輻射并且可對其進行光學控制，從而推動了固體強場物理的發(fā)展。

　　本文展示了一個利用超薄的 sio2 薄片和脈寬為幾個光學周期甚至亞光學周期的強激光脈沖相互作用，產生寬帶的 EUV 輻射，能量達到 40 電子伏特。實驗條件如下：激光脈寬1.5個周期，波長800nm，脈沖能量0.5μJ，入射到一個厚度為 120nm的多晶 sio2 薄膜上，再通過鋁膜只讓 EUV 范圍的光通過，最后用光譜儀探測，如圖1（b）所示，得到的光譜如圖 1（c）所示?？梢钥匆姀姸确逯翟谄娲沃C波處出現(xiàn)，證明了驅動光場與發(fā)射的 EUV 場間具有相干性。

　　在最底端導帶處沿布里淵區(qū)的Γ-Μ方向由激光場驅動的電子波包如圖 2（a）所示，圖 2（b）所示的是能帶內分散的空間諧波成分，每個諧波成分對 EUV 譜的貢獻如圖 2（c）所示，總的發(fā)射譜（黑色）是所有空間諧波的貢獻總和。當利用導帶最底端處沿Γ-Μ方向的真實能量分散來計算時，利用半經典模擬可以得到與實驗獲得的光譜圖（圖 1c）相符合的結果，如圖 2（d）所示。進一步驗證了產生的輻射和帶內電流之間的相關性。

　　圖 3（a）中的 EUV 束輪廓圖的尺寸和形狀都與利用自由空間傳播和半經典模擬得到的圖 3（b）圖（藍線）吻合，并且顯示了發(fā)射的 EUV 的全空間相干性。為了進一步獲得了從激光到極紫外的轉換效率，圖 3（c）通過對比 sio2和氣體介質發(fā)射的 EUV 場發(fā)現(xiàn)從 sio2 發(fā)射的 EUV 場強度比氣體產生的高八倍。當使用更強的激光場時，EUV 譜向更高的光子能量擴展可獲得超連續(xù)譜如圖 3（d），使用更強的光場時超薄樣品由于物理融化會產生降解，但是當使用較厚的樣品時，物理融化會受到壓制則軟 X 射線的相干發(fā)射會增加。在塊狀固體中的相干非線性電子運動產生寬帶EUV 輻射，為追蹤固體中的強場電子動力學阿秒控制提供了新的可能。