據(jù)麥姆斯咨詢報道，新加坡Advanced Micro Foundry（AMF）近日宣布推出基于硅基鍺雪崩光電探測器陣列（Ge－on－Si APD）技術(shù)的1550 nm波長激光雷達（LiDAR）傳感器。該公司稱其LiDAR傳感器與傳統(tǒng)固態(tài)傳感器相比具有卓越的性能和成本優(yōu)勢。據(jù)報道，傳統(tǒng)固態(tài)傳感器通常由成本昂貴的材料制造，并且由于905nm短波長激光低功率的限制，而面臨探測距離短的問題。

過去二十年來，高增益、低噪聲硅基APD和硅光電倍增管（SiPM）已經(jīng)開發(fā)并商業(yè)化用于可見光波段。然而，由于透鏡會將激光聚焦到眼睛的視網(wǎng)膜上而引起潛在危險，因此即使在相對較低的功率下，905nm及更短波長的準直激光束對行人也是有風險的。

據(jù)AMF稱，因此，最大允許暴露（MPE）方面的安全要求，限制了LiDAR在這些波長下的探測范圍和發(fā)射器能量。相反，在1550nm波段，大部分光在到達視網(wǎng)膜之前就會被眼球的透明部分吸收，這降低了近紅外（NIR）LiDAR的MPE要求。寬容度更大的MPE吸引了行業(yè)對1550nm 波長LiDAR及其APD接收組件的關(guān)注。

目前，最先進的市售1550nm波長APD主要是III－V族APD，它們對CMOS不兼容且成本較高。早在2013年，AMF就報道了310－GHz增益帶寬產(chǎn)品SACM Ge APD。不過，在LiDAR應(yīng)用中，接收器僅探測來自目標的弱散射光，因而要求APD具有高靈敏度和大探測范圍，以增強散射光捕獲能力和更好的信噪比。

最近，AMF針對LiDAR應(yīng)用開發(fā)了1550nm波段運行的Ge－on－Si APD陣列。其單個APD像素在90％擊穿電壓的正常工作電壓下顯示出3．2A／W的響應(yīng)度，暗電流為2．2 mA，擊穿熱系數(shù)為0．029 V／℃，3 dB帶寬為9 GHz。5 x 5 APD陣列上的25個像素顯示出了高一致性，響應(yīng)度變化小于5％，帶寬高達1GHz，非常適用于LiDAR應(yīng)用。

面向下一代光學產(chǎn)品的創(chuàng)新技術(shù)平臺

AMF專注于廣泛應(yīng)用的新技術(shù)平臺的原型設(shè)計服務(wù)和批量生產(chǎn)。AMF合作伙伴可以利用這些世界級的平臺來開發(fā)他們的產(chǎn)品。AMF服務(wù)包括定制平臺開發(fā)，200mm晶圓批量生產(chǎn)，集成MEMS光學組件，封裝和光電測試。

新加坡AMF發(fā)布1550 nm波長激光雷達傳感器

AMF還通過即用型IP設(shè)計模塊為關(guān)鍵構(gòu)建模塊提供設(shè)計支持。這些IP模塊可以顯著縮短客戶產(chǎn)品上市時間。