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半導體所授權專利榮獲第二十屆中國專利金獎

rongpuiwing 來源:中科院半導體所2018-12-26 我要評論(0 )   

12月25日,第二十屆中國專利獎頒獎大會在北京隆重召開,半導體研究所鄭婉華課題組授權專利“低發(fā)散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體

12月25日,第二十屆中國專利獎頒獎大會在北京隆重召開,半導體研究所鄭婉華課題組授權專利“低發(fā)散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體邊發(fā)射激光器陣列”榮獲第二十屆中國專利金獎,這是我所首次榮獲中國專利金獎。


“低發(fā)散角近衍射極限輸出啁啾光子晶體邊發(fā)射激光器陣列”專利是基于半導體光子晶體激光芯片,通過在傳統(tǒng)半導體激光外延中引入垂直方向和水平方向的啁啾光子晶體結構,在保證激光高輸出效率的同時,有效解決了傳統(tǒng)半導體激光芯片發(fā)散角大,亮度低等共性問題,該發(fā)明與傳統(tǒng)光電子芯片制備技術相兼容,適合于廣泛推廣。獲獎專利技術采用人工微結構功能材料,屬未來高端半導體激光芯片發(fā)展的新方向,為我國突破高端激光芯片壁壘提供了自主制造新方案。


  據(jù)悉,"中國專利獎"由國家知識產(chǎn)權局于1989年設立,每年評選一次,是中國唯一的專門對授予專利權的發(fā)明創(chuàng)造給予獎勵的政府部門獎,得到聯(lián)合國世界知識產(chǎn)權組織(WIPO)的認可,在國際上有一定的影響。第二十屆中國專利獎共評選出中國專利金獎30項,中國外觀設計金獎10項,中國專利銀獎60項,中國外觀設計銀獎15項,中國專利優(yōu)秀獎預獲獎項目698項,中國外觀設計優(yōu)秀獎預獲獎項目61項。


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半導體專利金獎
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