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資本市場

半導體激光企業(yè)「晶飛半導體」完成數(shù)千萬天使輪融資

激光制造網(wǎng) 來源:36 氪2023-11-20 我要評論(0 )   

36 氪獨家獲悉,北京晶飛半導體科技有限公司(下文簡稱:晶飛半導體)于 2023 年 9 月完成天使輪融資,該輪融資金額為數(shù)千萬元。本次融資由無限基金 See Fund 領投,德...

36 氪獨家獲悉,北京晶飛半導體科技有限公司(下文簡稱:晶飛半導體)于 2023 年 9 月完成天使輪融資,該輪融資金額為數(shù)千萬元。本次融資由無限基金 See Fund 領投,德聯(lián)資本和中科神光跟投。

該輪融資籌集到的資金將主要用于公司的技術研發(fā)、市場拓展以及團隊建設。這一投資將進一步加速晶飛半導體在半導體領域的創(chuàng)新步伐,為推動公司技術和產(chǎn)品的不斷升級提供了有力支持。

成立于 2023 年 7 月,晶飛半導體的創(chuàng)業(yè)契機源于第三代半導體材料——碳化硅。

碳化硅相較于上一代半導體材料硅,具備 " 高功率密度、高開關頻率、高工作溫度和高耐壓 " 等特點,因此是高壓功率器件的演進方向,在新能源汽車、光伏、軌道交通等各類場景下?lián)碛袕V泛的使用前景。

然而,全球制約碳化硅在功率器件滲透率的核心要素便是成本。盡管碳化硅具備大帶隙、大載流子漂移速率和大熱導率的優(yōu)勢,但是其硬度遠比傳統(tǒng)半導體材料硅更硬,導致切割碳化硅損耗極高。從成本結構來看,襯底成本占比在碳化硅器件中高達 47%,傳統(tǒng)硅基器件僅有 7%。因此其襯底降本是實現(xiàn)碳化硅器件快速滲透的重要途徑。

綜上所述,晶飛科技致力于研究激光垂直剝離技術研究,以實現(xiàn)對第三代半導體材料的精準剝離,以有效降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本。在 6 英寸和 8 英寸碳化硅襯底激光垂直剝離技術的研發(fā)方面,創(chuàng)始團隊深耕于激光精細微加工領域,利用超快激光技術,為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案,積極推動激光精細加工在制造業(yè)的國產(chǎn)化和傳統(tǒng)工藝替代。

晶飛半導體目前的主打產(chǎn)品,是碳化硅晶圓激光垂直剝離設備。此前,碳化硅普遍使用金剛線剝離,激光垂直剝離特點在于,此前技術模式的線損為 200 μ m,研磨和拋光的損失為 100 μ m;激光垂直剝離晶圓的線損為 0,脈沖激光在晶錠內(nèi)部形成爆破層,在分離后由于裂紋延伸的存在,在后續(xù)拋光加工后材料損失可控制在 80~100 μ m。

傳統(tǒng)多線切割導致珍貴的襯底材料在加工過程中的浪費

晶飛在半導體剝離上的新技術模式相比于金剛線剝離損失的 1/3,這大大節(jié)約了剝離損失;對于厚度為 2 cm 的晶錠,使用金剛線切割晶圓產(chǎn)出量約為 30 片,然而采用激光剝離技術晶圓產(chǎn)出量約為 45 片,增加了約 50 %。

碳化硅激光剝離技術演示圖

團隊構成方面,晶飛半導體本科及以上學歷人員占比 90%、研發(fā)人員占比 80%, 其中 40% 以上的人員具備博士學位,團隊具備機械、電氣、軟件和光學的融合背景。

關于晶飛剝離技術的商業(yè)價值,德聯(lián)資本投資經(jīng)理康乾熙對 36 氪表示," 新能源革命的大背景下,碳化硅功率器件市場潛力巨大。第三代半導體是功率半導體材料的重要演進方向,但受制于成本,行業(yè)的滲透一直存在挑戰(zhàn)。激光剝片這一新技術的出現(xiàn)可以顯著降低襯底成本,通過在切片加工新技術的部署,可以大幅降低碳化硅襯底成本從而完成下游,如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業(yè)的進一步滲透,降低損耗,推動未來能源系統(tǒng)變革。"



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