36 氪獨(dú)家獲悉，北京晶飛半導(dǎo)體科技有限公司（下文簡稱：晶飛半導(dǎo)體）于 2023 年 9 月完成天使輪融資，該輪融資金額為數(shù)千萬元。本次融資由無限基金 See Fund 領(lǐng)投，德聯(lián)資本和中科神光跟投。

該輪融資籌集到的資金將主要用于公司的技術(shù)研發(fā)、市場拓展以及團(tuán)隊(duì)建設(shè)。這一投資將進(jìn)一步加速晶飛半導(dǎo)體在半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新步伐，為推動公司技術(shù)和產(chǎn)品的不斷升級提供了有力支持。

成立于 2023 年 7 月，晶飛半導(dǎo)體的創(chuàng)業(yè)契機(jī)源于第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅。

碳化硅相較于上一代半導(dǎo)體材料硅，具備 " 高功率密度、高開關(guān)頻率、高工作溫度和高耐壓 " 等特點(diǎn)，因此是高壓功率器件的演進(jìn)方向，在新能源汽車、光伏、軌道交通等各類場景下?lián)碛袕V泛的使用前景。

然而，全球制約碳化硅在功率器件滲透率的核心要素便是成本。盡管碳化硅具備大帶隙、大載流子漂移速率和大熱導(dǎo)率的優(yōu)勢，但是其硬度遠(yuǎn)比傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅更硬，導(dǎo)致切割碳化硅損耗極高。從成本結(jié)構(gòu)來看，襯底成本占比在碳化硅器件中高達(dá) 47%，傳統(tǒng)硅基器件僅有 7%。因此其襯底降本是實(shí)現(xiàn)碳化硅器件快速滲透的重要途徑。

綜上所述，晶飛科技致力于研究激光垂直剝離技術(shù)研究，以實(shí)現(xiàn)對第三代半導(dǎo)體材料的精準(zhǔn)剝離，以有效降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本。在 6 英寸和 8 英寸碳化硅襯底激光垂直剝離技術(shù)的研發(fā)方面，創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)深耕于激光精細(xì)微加工領(lǐng)域，利用超快激光技術(shù)，為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，積極推動激光精細(xì)加工在制造業(yè)的國產(chǎn)化和傳統(tǒng)工藝替代。

晶飛半導(dǎo)體目前的主打產(chǎn)品，是碳化硅晶圓激光垂直剝離設(shè)備。此前，碳化硅普遍使用金剛線剝離，激光垂直剝離特點(diǎn)在于，此前技術(shù)模式的線損為 200 μ m，研磨和拋光的損失為 100 μ m；激光垂直剝離晶圓的線損為 0，脈沖激光在晶錠內(nèi)部形成爆破層，在分離后由于裂紋延伸的存在，在后續(xù)拋光加工后材料損失可控制在 80~100 μ m。

傳統(tǒng)多線切割導(dǎo)致珍貴的襯底材料在加工過程中的浪費(fèi)

晶飛在半導(dǎo)體剝離上的新技術(shù)模式相比于金剛線剝離損失的 1/3，這大大節(jié)約了剝離損失；對于厚度為 2 cm 的晶錠，使用金剛線切割晶圓產(chǎn)出量約為 30 片，然而采用激光剝離技術(shù)晶圓產(chǎn)出量約為 45 片，增加了約 50 %。

碳化硅激光剝離技術(shù)演示圖

團(tuán)隊(duì)構(gòu)成方面，晶飛半導(dǎo)體本科及以上學(xué)歷人員占比 90%、研發(fā)人員占比 80%， 其中 40% 以上的人員具備博士學(xué)位，團(tuán)隊(duì)具備機(jī)械、電氣、軟件和光學(xué)的融合背景。

關(guān)于晶飛剝離技術(shù)的商業(yè)價(jià)值，德聯(lián)資本投資經(jīng)理康乾熙對 36 氪表示，" 新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市場潛力巨大。第三代半導(dǎo)體是功率半導(dǎo)體材料的重要演進(jìn)方向，但受制于成本，行業(yè)的滲透一直存在挑戰(zhàn)。激光剝片這一新技術(shù)的出現(xiàn)可以顯著降低襯底成本，通過在切片加工新技術(shù)的部署，可以大幅降低碳化硅襯底成本從而完成下游，如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業(yè)的進(jìn)一步滲透，降低損耗，推動未來能源系統(tǒng)變革。"