8月21日，從江蘇通用半導(dǎo)體有限公司傳來消息，由該公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè)廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，并投入生產(chǎn)。

圖：8英寸SiC晶錠激光全自動剝離設(shè)備

該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，包含晶錠上料、晶錠研磨、激光切割、晶片分離和晶片收集，一舉填補(bǔ)了國內(nèi)碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備領(lǐng)域研發(fā)、制造的市場空白，突破了國外的技術(shù)封鎖，將極大地提升我國碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的自主化、產(chǎn)業(yè)化水平。

該設(shè)備年可剝離碳化硅襯底20000片，實(shí)現(xiàn)良率95%以上，與傳統(tǒng)的線切割工藝相比，大幅降低了產(chǎn)品損耗，而設(shè)備售價(jià)僅僅是國外同類產(chǎn)品的1/3。

近年來，碳化硅功率器件在大功率半導(dǎo)體市場中所占的份額不斷提高，并被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、城市軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、高速移動、物聯(lián)網(wǎng)等一系列領(lǐng)域。

但是，由于材料的高硬度、高脆性的特點(diǎn)，在使用傳統(tǒng)的砂漿線、金剛石線等冷切工藝切割、剝離碳化硅晶錠時(shí)，存在效率過低、損耗過高的缺點(diǎn)，導(dǎo)致襯底產(chǎn)能提升過慢，遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足市場的實(shí)際需求。由于產(chǎn)能嚴(yán)重不足，碳化硅襯底的生產(chǎn)成本一直居高不下，在器件成本構(gòu)成中，碳化硅器件中襯底要占成本的47%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅基器件的7%。

江蘇通用半導(dǎo)體有限公司董事長陶為銀介紹， 采用基于激光工具和加工技術(shù)切割、剝離碳化硅晶錠，可實(shí)現(xiàn)高效、精確和高質(zhì)量的制造，極大地降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本，減少浪費(fèi)和環(huán)境影響。

碳化硅器件屬于寬禁帶半導(dǎo)體，不但在民用領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，在國防領(lǐng)域也普遍應(yīng)用。因此對相關(guān)技術(shù)，西方發(fā)達(dá)國家都實(shí)行出口管制。目前，只有一家日本企業(yè)生產(chǎn)制造碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備，售價(jià)高達(dá)一億元，且對中國實(shí)施禁售。

江蘇通用半導(dǎo)體有限公司成立于2019年，致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造，于2020年推出國內(nèi)首臺半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī)；2022年成功推出國內(nèi)首臺18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備（針對3D Memory)；2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備（針對3D HBM）。