據(jù)“勢能資本”官微消息,芯辰半導體(蘇州)有限公司(下文簡稱“芯辰半導體”)外延設備已于近日投產,覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。
據(jù)介紹,芯辰半導體目前已實現(xiàn)波長范圍760nm~1700nm外延片的量產,外延均勻性為激射中心波長外2nm之內。其中典型波長的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主產線實現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗證。
轉載請注明出處。
激光制造網 來源:功率半導體技術實驗室2024-12-18 我要評論(0 )
據(jù)“勢能資本”官微消息,芯辰半導體(蘇州)有限公司(下文簡稱“芯辰半導體”)外延設備已于近日投產,覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系...
據(jù)“勢能資本”官微消息,芯辰半導體(蘇州)有限公司(下文簡稱“芯辰半導體”)外延設備已于近日投產,覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。
據(jù)介紹,芯辰半導體目前已實現(xiàn)波長范圍760nm~1700nm外延片的量產,外延均勻性為激射中心波長外2nm之內。其中典型波長的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主產線實現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗證。
轉載請注明出處。
① 凡本網未注明其他出處的作品,版權均屬于激光制造網,未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用。獲本網授權使用作品的,應在授權范圍內使
用,并注明"來源:激光制造網”。違反上述聲明者,本網將追究其相關責任。
② 凡本網注明其他來源的作品及圖片,均轉載自其它媒體,轉載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點和對其真實性負責,版權歸原作者所有,如有侵權請聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個人認為本網內容可能涉嫌侵犯其合法權益,請及時向本網提出書面權利通知,并提供身份證明、權屬證明、具體鏈接(URL)及詳細侵權情況證明。本網在收到上述法律文件后,將會依法盡快移除相關涉嫌侵權的內容。