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總投資8億,這一激光芯片項目投產!

激光制造網 來源:功率半導體技術實驗室2024-12-18 我要評論(0 )   

據(jù)“勢能資本”官微消息,芯辰半導體(蘇州)有限公司(下文簡稱“芯辰半導體”)外延設備已于近日投產,覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系...

據(jù)“勢能資本”官微消息,芯辰半導體(蘇州)有限公司(下文簡稱“芯辰半導體”)外延設備已于近日投產,覆蓋砷化鎵(GaAs)及磷化銦(InP)光芯片四元化合物全材料體系。

據(jù)介紹,芯辰半導體目前已實現(xiàn)波長范圍760nm~1700nm外延片的量產,外延均勻性為激射中心波長外2nm之內。其中典型波長的激光芯片外延片,如808、850、905、940、1064、1550、1654nm,已在自主產線實現(xiàn)VCSEL或DFB芯片驗證。

Imagesource:芯辰半導體
此外,相關外延片已獲客戶長期合作訂單,其中砷化鎵外延片最大可支持6英寸晶圓、磷化銦外延片最大可支持4英寸晶圓,同時配套有相關晶圓質量檢測設備。
公開資料顯示,芯辰半導體專注于生產VCSEL和EEL激光器芯片。其產品廣泛應用于光通信、激光雷達、生物醫(yī)學和先進裝備等多個領域。公司采用IDM模式,致力于在太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地。
今年9月初,芯辰半導體旗下砷化鎵、磷化銦高端光電子芯片IDM生產線完成試運行。該產線包含了從芯片設計、材料外延、光刻、刻蝕、鍍膜等芯片工藝到封裝測試的完整工藝研發(fā)平臺和產品生產線。同月,公司光芯片封測平臺建設完成并對外開放。   
10月底,總投資達8億元的芯辰半導體項目一期在江蘇太倉實現(xiàn)了投產,預計達產后可實現(xiàn)年產8000萬顆光芯片、產值10億元。

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