近日,SiFotonics宣布公司首款應(yīng)用于10Gbps光通信系統(tǒng)的硅基純鍺探測(cè)器PD1503進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段,該產(chǎn)品在性能上完全達(dá)到了傳統(tǒng)III-V族材料光探測(cè)器水平(如GaAs、InGaAs 材料)。
全球光通信市場(chǎng)產(chǎn)品采用傳統(tǒng)III-V族材料光探測(cè)器產(chǎn)品已有數(shù)十年歷史,而硅鍺光探測(cè)器技術(shù)在業(yè)內(nèi)近十年卻備受關(guān)注,因其可以使用成熟的CMOS技術(shù)生產(chǎn),在成本、良率、一致性、產(chǎn)能與傳統(tǒng)III-V材料比較有著天然的優(yōu)勢(shì),對(duì)未來低成本的光通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)展起到非常重要的推動(dòng)作用,但由于純鍺材料在硅片襯底上的生長(zhǎng)技術(shù)條件限制,卻長(zhǎng)期處于實(shí)驗(yàn)室研究階段;SiFotonics公司經(jīng)過多年的研發(fā)與技術(shù)攻關(guān),克服了鍺硅光探測(cè)器制成的諸多技術(shù)難題,目前已經(jīng)將PD1503 10Gbps光探測(cè)器的各項(xiàng)性能參數(shù)提高到同類產(chǎn)品水平,同時(shí)具備低成本,多波長(zhǎng)響應(yīng)的特點(diǎn)。
PD1503目前已通過了常規(guī)可靠性測(cè)試,對(duì)1310nm波段,靈敏度達(dá)到-19.0dBm以上(ER:10.3dB; BER:10-12)。同時(shí)從850nm到1550nm的光通信全波段都有很高響應(yīng)。由于利用先進(jìn)、成熟的CMOS工藝生產(chǎn),PD1503具備低成本、高產(chǎn)量、高一致性、高可靠性、高良品率、無需氣密封裝等特點(diǎn)。
該產(chǎn)品可以提供單通道PD、1X4 PD陣列、1X12 PD陣列等多種形式樣品,將會(huì)很快進(jìn)入10G速率的850nm~1550nm波長(zhǎng)等多種光通信應(yīng)用市場(chǎng)
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