藍(lán)寶石市場(chǎng)前景廣闊,但目前生產(chǎn)大尺寸藍(lán)寶石晶體技術(shù)主要被俄羅斯和歐美企業(yè)壟斷。據(jù)統(tǒng)計(jì),目前全球70%的藍(lán)寶石襯底由俄羅斯企業(yè)提供,另外30%由美國(guó)和歐洲掌控。國(guó)內(nèi)尚未形成產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)的藍(lán)寶石襯底片生產(chǎn)廠家。   
      藍(lán)寶石是制作芯片的重要原料,占LED芯片原料費(fèi)的10%。2010年第三季度后,全球藍(lán)寶石產(chǎn)量居前兩名的公司紛紛漲價(jià),直接影響了LED芯片及封裝價(jià)格上漲。

    藍(lán)寶石是指非紅色的氧化鋁（Al2O3）。含有雜質(zhì)的藍(lán)寶石很早以前就被作為寶石，由于其具有多種光學(xué)、機(jī)械、電氣、熱以及化學(xué)特性，因此還被廣泛應(yīng)用于工業(yè)等多種領(lǐng)域，而且應(yīng)用范圍仍在不斷擴(kuò)大之中。其中，能夠合成制造出藍(lán)寶石更是意義重大。藍(lán)寶石的主要用途包括LED和LED底板。

　　LED市場(chǎng)在2010年經(jīng)歷了史無(wú)前例的發(fā)展。隨著市場(chǎng)的發(fā)展，制造藍(lán)色和白色GaN類(lèi)LED時(shí)使用的藍(lán)寶石底板的需求也大幅增長(zhǎng)。對(duì)底板成品的需求由每月按2英寸換算（TIE)為100萬(wàn)（2009年12月）增加到了200萬(wàn)（2010年第四季度）。

　　2009年第四季度，藍(lán)寶石的加工能力滿足需求還有余力。也就是說(shuō)，加工藍(lán)寶石的企業(yè)還能應(yīng)對(duì)當(dāng)時(shí)的需求。但是，材料的供應(yīng)能力在2009年年底就逐步達(dá)到了極限。生產(chǎn)藍(lán)寶石材料的企業(yè)大部分都因?yàn)?009年的金融危機(jī)和一直持續(xù)到09年的巨大物價(jià)壓力而陷入苦于資金周轉(zhuǎn)的困境。另外，由于新設(shè)備的導(dǎo)入和運(yùn)轉(zhuǎn)通常需要半到一年的時(shí)間，2010年產(chǎn)能緩慢上升，因而無(wú)法適應(yīng)需求的急劇增加。由此產(chǎn)生了嚴(yán)重的材料短缺，導(dǎo)致價(jià)格暴漲。

　　藍(lán)寶石芯材（Core）和坯料（Blank）由商品變身為“戰(zhàn)略性材料”，大量的藍(lán)寶石生產(chǎn)商時(shí)隔數(shù)年又重新掌握了定價(jià)的主導(dǎo)權(quán)。而且，他們可以將價(jià)格設(shè)定為能夠最大限度獲取利潤(rùn)的水平。其結(jié)果是，藍(lán)寶石晶圓的美國(guó)國(guó)內(nèi)售價(jià)超出我們的預(yù)想，上漲到了30美元，現(xiàn)金交易市場(chǎng)上的價(jià)格更是超過(guò)了30美元。很多加工藍(lán)寶石的企業(yè)和LED廠商為確保產(chǎn)能已經(jīng)預(yù)付了貨款，目的是防止生產(chǎn)線停工。

    生產(chǎn)藍(lán)寶石晶棒的工藝主要有泡生法(KY法、凱氏長(zhǎng)晶法)、提拉法(CZ法、柴氏拉晶法)、溫度梯度法(TGT法)等，其中泡生法為主流工藝，生產(chǎn)的藍(lán)寶石晶體約占70%，鉆取率約30%。

藍(lán)寶石晶體原材料為氧化鋁碎晶，生產(chǎn)利用率大于97%，已經(jīng)完全國(guó)產(chǎn)化。藍(lán)寶石單晶產(chǎn)品即為藍(lán)寶石坯料，可直接出售，不合格品可直接作為原材料再次加工。其他消耗材料如鎢鉬材料、金剛石刀具、傳感器、儀表等均國(guó)產(chǎn)化。預(yù)計(jì)由藍(lán)寶石生產(chǎn)藍(lán)寶石晶棒的原材料、耗材均可由國(guó)內(nèi)充分供應(yīng)，此環(huán)節(jié)的短板主要在于長(zhǎng)晶爐依賴進(jìn)口。

　　國(guó)內(nèi)主要的藍(lán)寶石晶體爐廠家都是高校研究機(jī)構(gòu)，包括西安理工大學(xué)、哈爾濱工業(yè)大學(xué)以及重慶第二十六研究所等。但國(guó)內(nèi)目前的生產(chǎn)技術(shù)只能生產(chǎn)2英寸以下的藍(lán)寶石晶棒，長(zhǎng)成的晶體與氮化鎵(GaN)的晶格錯(cuò)位較大，無(wú)法用于LED的藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域，大多用于手表表面外殼等。

　　藍(lán)寶石晶棒的供應(yīng)商有美國(guó)的Rubicon、Honeywell，俄羅斯的 Monocrystal、ATLAS，韓國(guó)STC 及國(guó)內(nèi)合晶光電、越峰(臺(tái)聚轉(zhuǎn)投資)、尚志(大同轉(zhuǎn)投資)及鑫晶鉆(奇美、鴻海轉(zhuǎn)投資)。

　藍(lán)寶石基板的供應(yīng)商有美國(guó)的Rubicon、Honeywell、Crystal Systems、Saint-Gobain，俄羅斯的Monocrystal、ATLAS Sapphire，日本的京都陶瓷(Kyocera)、Namiki、Mahk，及國(guó)內(nèi)兆遠(yuǎn)、兆晶(奇美轉(zhuǎn)投資)、晶美、合晶及中美晶等公司。其產(chǎn)能如下：

	2009	2010E	2011E
Rubicon(萬(wàn)毫米)	500	600	900
Monocrystsal(萬(wàn)毫米)	400	450	675
STC(萬(wàn)毫米)	300	500	750
越峰(萬(wàn)毫米)	108	160	300
其他(萬(wàn)毫米)	400	450	900
合計(jì)(萬(wàn)毫米)	1708	2160	3530

　目前，GaN基襯底包括藍(lán)寶石、SiC、GaN、Zno等，商業(yè)化的只有藍(lán)寶石、SiC襯底，除CREE外，基本都使用藍(lán)寶石襯底。

2010年全球主要LED藍(lán)寶石基板生產(chǎn)廠商2英寸基板的厚度

廠家名稱(chēng)	2英寸基板厚度
美國(guó)crystal systems	(330-430μm-25μm，330-430μm+25μm)
俄羅斯cradley crystals	(330-430μm-25μm，330-430μm+25μm)
臺(tái)灣兆晶科技股份有限公司	(330-430μm-25μm，330-430μm+25μm)
臺(tái)灣中美矽晶制品股份有限公司	(430μm-25μm，430μm+25μm)

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　對(duì)于新增設(shè)備，安裝需要3～6個(gè)月的時(shí)間。從工藝角度而言，大尺寸藍(lán)寶石晶體生產(chǎn)周期需10天左右，準(zhǔn)備和后處理需要7天左右，試件加工需要7天左右，質(zhì)量檢測(cè)、微觀結(jié)構(gòu)及光電性能需要30天左右，工藝分析、模擬需要7天左右。前后就耗去6～8個(gè)月的時(shí)間。

同時(shí)，藍(lán)寶石晶棒除了應(yīng)用于LED產(chǎn)業(yè)，還應(yīng)用于以下幾個(gè)方面：

用途	備注
航空航天大尺寸平板藍(lán)寶石光電窗口	透波窗口、護(hù)板、陀螺、耐磨軸承等
大尺品質(zhì)藍(lán)寶石軍工窗口及器件	美國(guó)洛克希德-馬丁公司估計(jì)年增長(zhǎng)率超過(guò)25%，預(yù)計(jì)超過(guò)3億美元
其他民用窗口	手機(jī)窗口、光電遙控窗口、條碼機(jī)耐磨窗口、投影儀保護(hù)棱鏡、光電管感光棱鏡，需求約2億美元，耐磨類(lèi)零部件占晶體用量35%左右

       藍(lán)寶石晶棒供不應(yīng)求的主要原因在于MOCVD的瘋狂擴(kuò)張，而并不是LED終端產(chǎn)品需求的增加。由于藍(lán)寶石晶棒、基板的緊缺，MOCVD機(jī)器只有不到50%的能夠開(kāi)工，MOCVD的過(guò)剩中短期內(nèi)將催高藍(lán)寶石晶棒、基板價(jià)格的價(jià)格，造成終端產(chǎn)品價(jià)格的上漲，降低磊晶廠的毛利率。從長(zhǎng)期看，藍(lán)寶石晶棒、基板的緊缺必將起到大浪淘沙的作用，一部分芯片質(zhì)量相對(duì)不高，成本相對(duì)較高的外延片、芯片企業(yè)將倒在普通照明市場(chǎng)打開(kāi)之前。

藍(lán)寶石晶體的生長(zhǎng)方法常用的有兩種:
 1:柴氏拉晶法(Czochralski method),簡(jiǎn)稱(chēng)CZ法.先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯，再利用一單晶晶種接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上因溫度差而形成過(guò)冷。于是熔湯開(kāi)始在晶種表面凝固并生長(zhǎng)和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶。晶種同時(shí)以極緩慢的速度往上拉升，并伴隨以一定的轉(zhuǎn)速旋轉(zhuǎn)，隨著晶種的向上拉升，熔湯逐漸凝固于晶種的液固界面上，進(jìn)而形成一軸對(duì)稱(chēng)的單晶晶錠.
 2:凱氏長(zhǎng)晶法(Kyropoulos method),簡(jiǎn)稱(chēng)KY法,大陸稱(chēng)之為泡生法.其原理與柴氏拉晶法(Czochralskimethod)類(lèi)似，先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯，再以單晶之晶種(SeedCrystal，又稱(chēng)籽晶棒)接觸到熔湯表面，在晶種與熔湯的固液界面上開(kāi)始生長(zhǎng)和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶，晶種以極緩慢的速度往上拉升，但在晶種往上拉晶一段時(shí)間以形成晶頸，待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后，晶種便不再拉升，也沒(méi)有作旋轉(zhuǎn)，僅以控制冷卻速率方式來(lái)使單晶從上方逐漸往下凝固，最后凝固成一整個(gè)單晶晶碇.

晶體提拉法

晶體提拉法(crystal pulling method) 由J .Czochral ski 于1918 年發(fā)明,故又稱(chēng)“丘克拉斯基法”,簡(jiǎn)稱(chēng)CZ 提拉法,是利用籽晶從熔體中提拉生長(zhǎng)出晶體的方法,能在短期內(nèi)生長(zhǎng)出高質(zhì)量的單晶。這是從熔體中生長(zhǎng)晶體最常用的方法之一。其優(yōu)點(diǎn)是: (1) 在生長(zhǎng)的過(guò)程中,可方便地觀察晶體生長(zhǎng)的狀況； (2) 晶體在熔體表面處生長(zhǎng),不與坩堝接觸,能顯著地減小晶體的應(yīng)力,防止坩堝壁的寄生成核； (3) 可以方便地運(yùn)用定向籽晶和“縮頸”工藝,使“縮頸”后籽晶的位錯(cuò)大大減少,降低擴(kuò)肩后生長(zhǎng)晶體的位錯(cuò)密度,從而提高晶體的完整性 。其主要缺點(diǎn)是晶體較小,直徑最多達(dá)約51～76 mm。.

泡生法
泡生法( Kyropoulos method) 于1926 年由Kyropoul s 發(fā)明,經(jīng)過(guò)科研工作者幾十年的不斷改造和完善,目前是解決晶體提拉法不能生產(chǎn)大晶體的好方法之一。其晶體生長(zhǎng)的原理和技術(shù)特點(diǎn)是:將晶體原料放入耐高溫的坩堝中加熱熔化,調(diào)整爐內(nèi)溫度場(chǎng),使熔體上部處于稍高于熔點(diǎn)的狀態(tài);使籽晶桿上的籽晶接觸熔融液面,待其表面稍熔后,降低表面溫度至熔點(diǎn),提拉并轉(zhuǎn)動(dòng)籽晶桿,使熔體頂部處于過(guò)冷狀態(tài)而結(jié)晶于籽晶上,在不斷提拉的過(guò)程中,生長(zhǎng)出圓柱狀晶體。
泡生法與提拉法生長(zhǎng)晶體在技術(shù)上的區(qū)別是: (1) 晶體直徑　在擴(kuò)肩時(shí)前者的晶體直徑較大,可生長(zhǎng)出100 mm 以上直徑的藍(lán)寶石晶體,而后者則有些難度； (2) 晶體方向　前者對(duì)生長(zhǎng)大尺寸、有方向性的藍(lán)寶石晶體擁有更大的優(yōu)勢(shì)；(3) 晶體質(zhì)量　泡生法生長(zhǎng)系統(tǒng)擁有適合藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)的最佳溫度梯度。在生長(zhǎng)的過(guò)程中或結(jié)束時(shí),晶體不與坩堝接觸,大大減少了其應(yīng)力,可獲得高質(zhì)量的大晶體,其缺陷密度遠(yuǎn)低于提拉法生長(zhǎng)的晶體,且兩者生長(zhǎng)晶體的形狀也不同。