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激光器

垂直腔面發(fā)射半導(dǎo)體激光器的特性及其研究現(xiàn)狀

來(lái)源:激光與光電子學(xué)進(jìn)展2020-08-08 我要評(píng)論(0 )   

本文內(nèi)容轉(zhuǎn)載自《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》2018年第5期,版權(quán)歸《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》編輯部所有。作者李玉嬌,宗楠,彭欽軍,中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所中國(guó)科學(xué)院固體激光...

本文內(nèi)容轉(zhuǎn)載自《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》2018年第5期,版權(quán)歸《激光與光電子學(xué)進(jìn)展》編輯部所有。作者李玉嬌,宗楠,彭欽軍,中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所中國(guó)科學(xué)院固體激光重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,中國(guó)科學(xué)院大學(xué)。


1 引言

半導(dǎo)體激光器具有體積小、質(zhì)量輕、效率高、波長(zhǎng)范圍廣、易集成、可靠性高、可批量化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),自20世紀(jì)70年代初實(shí)現(xiàn)室溫連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)以來(lái),已成為光電子技術(shù)領(lǐng)域的重要器件。傳統(tǒng)的邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器已實(shí)現(xiàn)較大功率輸出,但其輸出光斑為橢圓形,光斑的縱橫比最差可達(dá)100 … 1,在某些應(yīng)用中須附加光束整形系統(tǒng)。

1979年,Soda等提出了垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)的概念,與傳統(tǒng)的邊發(fā)射激光器不同的是其激光出射方向垂直于襯底表面,可獲得圓形光斑。由于諧振腔長(zhǎng)與波長(zhǎng)接近,動(dòng)態(tài)單模性比較好,有望在光通信、光互連、光存儲(chǔ)、激光顯示和照明等領(lǐng)域大展身手。目前,Princeton Optronics公司獲得了VCSEL單管連續(xù)輸出的最高功率為5.5 W??墒牵捎赩CSEL的諧振腔是由頂部布拉格反射鏡(DBR)和底部布拉格反射鏡構(gòu)成,腔長(zhǎng)與波長(zhǎng)同量級(jí),導(dǎo)致器件發(fā)散角較大(半角寬度約15°)。為了獲得較小的發(fā)散角,一種垂直外腔面發(fā)射激光器(VECSEL)應(yīng)運(yùn)而生。由于采用外腔結(jié)構(gòu),其腔長(zhǎng)由波長(zhǎng)量級(jí)增加到毫米至厘米量級(jí),有效改善了光束質(zhì)量,理論極值達(dá)M2~1。

早期的垂直外腔面發(fā)射激光器依舊采用電抽運(yùn)(EP)方式,目前EP - VECSEL單管獲得了超過(guò)9 W的連續(xù)輸出。可是電抽運(yùn)VCSEL和VECSEL均因電流注入不均勻和串聯(lián)電阻熱堆積,在單橫模工作模式下高功率輸出受到限制。1997年,Kuznetsov等提出的光抽運(yùn)垂直外腔面發(fā)射激光器(OP - VECSEL),也有人稱為半導(dǎo)體盤片激光器(SDL)。其綜合了高光束質(zhì)量的垂直腔面發(fā)射激光器和高功率激光二極管抽運(yùn)的固體激光器的優(yōu)勢(shì),可同時(shí)獲得高功率和高光束質(zhì)量的激光輸出,覆蓋從深紫外到中紅外波段的廣闊波段。在紫外及藍(lán)紫光波段,半導(dǎo)體增益介質(zhì)以InGaN - GaN材料體系為主,在GaN基底材料上生長(zhǎng)出多個(gè)InGaN量子阱。在紅光至近紅外波段,半導(dǎo)體增益介質(zhì)主要采用在GaAs襯底上生長(zhǎng)InGaP – AlGaInP、GaAs - AlGaAs、InGaAs - GaAsP及GaInNAs - GaAs量子阱。1.5 μm附近波段主要在InP襯底上生長(zhǎng)AlGaInAs - InP量子阱來(lái)實(shí)現(xiàn),2~3 μm則通過(guò)在GaSb襯底上生長(zhǎng)GaInAsSb - GaSb材料系來(lái)實(shí)現(xiàn)。對(duì)于更長(zhǎng)的4~5 μm波段,襯底材料多為BaF2,增益介質(zhì)材料為PbSe - PbEuTe或PbTe - PbEuTe體系。同時(shí),得益于其外腔的存在,可以方便地進(jìn)行鎖模而獲得超短脈沖輸出;還可以實(shí)現(xiàn)高效率的激光腔內(nèi)頻—頻轉(zhuǎn)換,擴(kuò)展了輸出波長(zhǎng)范圍。

另外,OP - VECSEL的獨(dú)到之處在于半導(dǎo)體增益芯片結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、無(wú)p - n結(jié)、無(wú)電接觸,極大地簡(jiǎn)化其生長(zhǎng)過(guò)程,在提高增益芯片可靠性的同時(shí),消除附加電阻上的熱效應(yīng);抽運(yùn)波長(zhǎng)可選擇性設(shè)計(jì);可獲得百納米的波長(zhǎng)調(diào)諧范圍;半導(dǎo)體增益芯片上抽運(yùn)光斑較大,高功率時(shí)產(chǎn)生光學(xué)損傷的可能性減??;激光器體積緊湊,攜帶方便,實(shí)用程度高。在實(shí)際應(yīng)用中,方便作為儀器儀表和顯微鏡的配套光源,目前,單管OP - VECSEL連續(xù)輸出功率已高達(dá)106 W。

本文介紹了VCSEL,EP - VECSEL和OP - VECSEL的原理和特性,并綜述了其最新研究進(jìn)展、主要應(yīng)用和發(fā)展前景。

2 基本原理

2.1 VCSEL

如圖1所示,典型的VCSEL包括頂發(fā)射和底發(fā)射兩種結(jié)構(gòu)。一般來(lái)說(shuō),早期典型器件是通過(guò)金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)技術(shù)在N型GaAs襯底上生長(zhǎng)而成的。其主要由DBR作為激光腔鏡,量子阱有源區(qū)(MQWs)夾在n - DBR和p - DBR之間,由于量子阱厚度小,使單程增益很小,因此反射鏡的反射率較高,一般全反腔鏡反射率> 99.9%,輸出腔鏡反射率通過(guò)理論計(jì)算設(shè)定最佳的耦合輸出率(> 99%),然后,在襯底和p - DBR外表面制作金屬接觸層。通過(guò)在p - DBR或n - DBR上制作一個(gè)圓形出光窗口,獲得圓形光束,窗口直徑從幾微米到百微米量級(jí),再和導(dǎo)熱性好的熱沉鍵合,提高芯片的散熱性能。由于GaAs襯底對(duì)800 nm附近的光有強(qiáng)吸收,所以在這個(gè)波段的器件通常采取頂發(fā)射結(jié)構(gòu)。底發(fā)射結(jié)構(gòu)可用于產(chǎn)生976 nm和1064 nm波段,為了減少襯底的吸收損耗,通常將襯底減薄到150 μm以下,再生長(zhǎng)一層增透膜,提高激光光束質(zhì)量,最后將增益芯片安裝在熱沉上,離有源區(qū)更近,因此散熱性更好。

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圖1 VCSEL結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖。(a)頂發(fā)射結(jié)構(gòu);(b)底發(fā)射結(jié)構(gòu)

2.2 EP - VECSEL

EP - VECSEL的芯片包括電注入結(jié)構(gòu)、有源區(qū)和DBR,與傳統(tǒng)的VCSEL相比,其引入的外腔結(jié)構(gòu)增加了腔長(zhǎng),如圖2所示。諧振腔包括p - DBR、n - DBR以及外腔鏡等3個(gè)鏡面,是一種由兩個(gè)子諧振腔構(gòu)成的耦合諧振腔。激光器芯片上生長(zhǎng)的p - DBR、n - DBR以及夾在其中的有源區(qū)組成的諧振腔為有源腔,提供激射所需的增益;由p - DBR及外腔鏡組成的諧振腔可以通過(guò)控制不同傳輸模式的損耗,抑制高階橫模,從而改善光束質(zhì)量。

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圖2 EP - VECSEL器件結(jié)構(gòu)圖

2.3 OP - VECSEL

OP - VECSEL與EP - VECSEL相比,減少了電流注入部分,其結(jié)構(gòu)主要包括熱沉、增益芯片、外腔輸出鏡(OC)、抽運(yùn)光。抽運(yùn)方式通常有兩種:端面抽運(yùn)和背端抽運(yùn);圖3為端面抽運(yùn)的OP - VECSEL結(jié)構(gòu),抽運(yùn)光反向注入且與輸出光成一定夾角(一般約為45°)聚焦到增益芯片上,如果角度太大會(huì)導(dǎo)致抽運(yùn)光斑形狀不均勻,而角度太小可能阻擋激光振蕩。其增益芯片為頂發(fā)射結(jié)構(gòu),主要分為4個(gè)部分:襯底、DBR、MQWs增益區(qū)和窗口層,可在襯底上通過(guò)分子束外延技術(shù)(MBE)或者金屬化學(xué)物有機(jī)氣相沉積(MOCVD)逐層生長(zhǎng)而成。考慮激光器的散熱問(wèn)題,通常把激光器芯片的頂層與熱導(dǎo)率高的導(dǎo)熱片鍵合后使用,如光學(xué)金剛石片、光學(xué)SiC片或藍(lán)寶石片等。

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圖3 OP - VECSEL端面抽運(yùn)裝置圖

圖4為背端抽運(yùn)的OP - VECSEL及其增益芯片的結(jié)構(gòu),與端面抽運(yùn)不同,其抽運(yùn)光從后腔鏡入射與輸出光同軸同向。盡管抽運(yùn)光斑不大,但可獲得更加均勻的圓形抽運(yùn)光斑,并且抽運(yùn)光耦合系統(tǒng)相對(duì)容易架設(shè),結(jié)構(gòu)緊湊,更有利于激光的集成與封裝。其增益芯片為底發(fā)射結(jié)構(gòu),生長(zhǎng)順序與頂發(fā)射不同,先在襯底上生長(zhǎng)窗口層,再生長(zhǎng)MQWs,最后生長(zhǎng)DBR。再將DBR焊接到金剛石或SiC散熱片上。另外,由于抽運(yùn)光通過(guò)DBR后才進(jìn)入增益區(qū),因此要盡量使DBR對(duì)抽運(yùn)光透明,對(duì)激光波長(zhǎng)有高反射。

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圖4 OP - VECSEL背端抽運(yùn)裝置圖

3 研究進(jìn)展

3.1 VCSEL

近紅外波段的研究較多也較為成熟,其中808 nm波段主要集中在高功率陣列輸出方面。長(zhǎng)期以來(lái),Princeton Optronics公司致力于該方面的研究,并于2013年獲得了目前最高輸出功率的808 nm VCSEL陣列,應(yīng)用于高速成像的高功率照明模塊,其輸出功率高達(dá)4800 W,可以在準(zhǔn)連續(xù)條件下工作。

850 nm VCSEL陣列輸出功率已經(jīng)達(dá)到4 W。2015年,Watkins等報(bào)道了850 nm單管VCSEL的單頻激光輸出超過(guò)100 mW,為目前850 nm最高的單管輸出功率,據(jù)悉,該小組正在努力研制該波段輸出功率5 W的單管器件。

980 nm波段VCSEL的研究最為成熟。在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),D′Asaro等獲得的3 W 980 nm VCSEL一直是電抽運(yùn)VCSEL單管輸出的最高功率。2015年他們獲得了發(fā)射波長(zhǎng)為976 nm的高功率電抽運(yùn)VCSEL,在20 ℃連續(xù)工作條件下,功率達(dá)到5.5 W,刷新了單管VCSEL的最高功率。顯然,陣列是提高輸出功率的有效途徑。2012年,Princeton Optronics公司推出的980 nm高功率VCSEL面陣和面陣組合模塊產(chǎn)品,面陣組合模塊連續(xù)輸出超過(guò)14 kW,為目前980 nm陣列輸出的最高功率。

1 μm波段自Hou等率先在室溫下獲得1060 nm連續(xù)輸出連續(xù)輸出后發(fā)展迅速。Zhou等通過(guò)優(yōu)化DBR和增益區(qū)的設(shè)計(jì),獲得了目前VCSEL單管63.4%的最高轉(zhuǎn)換效率,高于Kageyama等獲得的62%的轉(zhuǎn)換效率。同時(shí),他們用于照明領(lǐng)域的1064 nm照明器,由8 x 16 kW的模塊組成,輸出功率高達(dá)100 kW。

1310 nm和1550 nm波段的VCSEL器件一般由InP和GaAs基材料體系來(lái)實(shí)現(xiàn)。Boehm等制作的1.3~2.0 μm AlGaInAs / InP系VCSEL,為了降低熱效應(yīng),頂部反射鏡由基于InP的化合物半導(dǎo)體組成,在MBE結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)的掩埋隧道結(jié)提供了自調(diào)節(jié)的橫向電和光限制以及穩(wěn)定的低電串聯(lián)電阻。1.315 μm器件室溫下的單模最大輸出功率為0.43 mW,多模連續(xù)工作的最大輸出功率為7 mW。Klem等在摻Si的GaAs襯底上生長(zhǎng)InGaAsN增益材料并通過(guò)增大電流注入孔徑和隧道結(jié)的形式在室溫下獲得了1300 nm的連續(xù)輸出,最大輸出功率為2.1 mW,可操作最高溫度為105 ℃。Nishida等把DBR和量子阱之間的AlGaAs空間層替換為i - GaAs隔離層,以此阻止Al擴(kuò)散到量子阱中降低表面質(zhì)量和量子阱的光致發(fā)光(PL)密度,獲得了4.2 mW的1261.5 nm輸出。Michalzik將Sb加入到GaInNAs材料中,得到的GaInNAsSb可輸出波長(zhǎng)為1530 nm,連續(xù)輸出功率為2 μW。

可見(jiàn)光波段的紫光和藍(lán)綠光主要通過(guò)GaN基材料直接激發(fā),主要難點(diǎn)是短波長(zhǎng)高反射率DBR的生長(zhǎng)、有效的電流注入以及熱管理。目前,420 nm紫光已經(jīng)獲得了0.6 mW的輸出功率。使用高反射率的全電介質(zhì)DBR的GaN基VCSEL已經(jīng)獲得了0.7 mW的451 nm藍(lán)光和0.8 mW的503 nm綠光,其輸出功率較低。Hamaguchi等考慮到n型GaN襯底的熱導(dǎo)率高于傳統(tǒng)使用的藍(lán)寶石或Si襯底,加之外延橫向過(guò)生長(zhǎng)(ELO)方法可以精確控制腔體長(zhǎng)度和形成高反射率電介質(zhì)DBR,通過(guò)兩者結(jié)合在GaN基VCSEL中獲得了1.165 mW的453 nm激光輸出,為目前電抽運(yùn)藍(lán)光VCSEL輸出的最高功率。

紅光VCSEL也在熱管理上遇到了很大的挑戰(zhàn)。較高的發(fā)射能量將DBR AlxGa1-xAs的x的組成范圍限制在0.5~1.0,限制了反射鏡中可用的折射率范圍,反過(guò)來(lái)又需要更多的DBR層數(shù)以實(shí)現(xiàn)所需的反射率,較多的DBR層數(shù)會(huì)產(chǎn)生較高的電流阻抗,而較高的熱阻會(huì)加重器件的熱效應(yīng)。Johnson等在室溫下獲得了多模673 nm的AlGaInP VCSEL最大輸出功率達(dá)到11.54 mW,轉(zhuǎn)換效率達(dá)22.9%,為目前紅光波段單管輸出的最高水平。為了提高輸出功率,Seurin等將GaAs襯底去除并將芯片焊接在高導(dǎo)熱性基座上,制造高功率二維陣列,如2 mm x 2 mm的688 nm VCSEL陣列在室溫下獲得了3 W的連續(xù)輸出功率,而4 mm x 4 mm的650 nm和688 nm VCSEL陣列在準(zhǔn)連續(xù)(QCW)運(yùn)轉(zhuǎn)中分別獲得了17和55 W的輸出功率。

3.2 EP - VECSEL

EP - VECSEL是VCSEL向OP - VECSEL發(fā)展的過(guò)渡產(chǎn)物,其研究主要集中在最初的近紅外波段(850~1550 nm),同時(shí)可以基于腔內(nèi)倍頻有效地在可見(jiàn)光區(qū)域產(chǎn)生激光輻射,易于設(shè)計(jì)為具有多個(gè)激光元件的二維陣列,大幅提高了輸出功率。因此,EP - VECSEL適合批量生產(chǎn),大大降低了制造成本。

近紅外波段的研究已有較多相關(guān)報(bào)道。Leeuwen等研制的980 nm EP - VECSEL產(chǎn)品,外腔鏡使用雙凸透鏡與平面鏡構(gòu)成擴(kuò)展腔結(jié)構(gòu),單管器件的基模和多模連續(xù)輸出功率分別為365 mW和1 W,在15 ns、1 kHz的脈沖工作條件下,基橫模峰值輸出功率達(dá)到4 W。Princeton Optronics公司亦研制出包含475個(gè)發(fā)光單元的980 nm EP - VECSEL列陣器件,連續(xù)及脈沖工作時(shí)基模輸出功率分別達(dá)到42 W和155 W,成為EP - VECSEL基橫模輸出的最高水平。1.06 μm波長(zhǎng)獲得了EP - VECSEL單管最高的輸出功率,Zhao等使用MOCVD在n型GaAs襯底上生長(zhǎng)芯片材料,為了減小吸收,襯底摻雜濃度很低(< 2 x 1017 cm-3)。增益區(qū)由InGaAs / GaAs組成,DBR由GaAs / AlGaAs組成,該器件輸出功率達(dá)9.04 W。

2004年,Kurdi等首次報(bào)道了InGaAsP EP - VECSEL室溫輸出1550 nm激光,該口徑為50 μm的InP基VECSEL連續(xù)輸出功率為0.3 mW,準(zhǔn)連續(xù)條件下輸出達(dá)2.76 mW。利用掩埋隧道結(jié)型和離子注入結(jié)型控制電流均勻性,獲得了1550 nm的3 mW脈沖輸出和0.5 mW單橫模輸出。2010年,Harkonen等利用掩埋隧道結(jié)型在GaInAsSb VECSEL中獲得了2.34 μm脈沖光輸出,設(shè)計(jì)了30~90 μm口徑的器件,并在90 μm口徑的器件中獲得最高的脈沖峰值功率為1.5 mW。

3.3 OP - VECSEL

在紅外波段,850 nm激光常采用量子阱內(nèi)抽運(yùn)方式以提高量子效率,減小熱效應(yīng)。其中,Zhang等使用806 nm光纖耦合激光二極管抽運(yùn)GaAs / AlGaAs VECSEL,得到最大功率1.02 W的855 nm輸出。Beyertt等使用833 nm抽運(yùn)光阱內(nèi)抽運(yùn)獲得了865 nm的1.6 W的激光輸出,光光轉(zhuǎn)換效率高至50%。美國(guó)相干公司研制的InGaAs / GaAs VECSEL,獲得了30 W的980 nm和19 W的920 nm的連續(xù)多模輸出,為目前980 nm單管OP - VECSEL獲得的最高功率。960 nm基模激光也獲得了數(shù)十瓦的功率輸出。Rudin等報(bào)道了20.2 W輸出的InGaAs/ GaAs VECSEL,其DBR對(duì)激光反射率R為99.95%,同時(shí)對(duì)抽運(yùn)光反射率為97%,使抽運(yùn)光得以兩次通過(guò)增益區(qū),吸收可達(dá)85%。使用808 nm激光器45°入射抽運(yùn),斜效率為49%,光光轉(zhuǎn)換效率為43%,光束質(zhì)量因子M2 ≈ 1.1,這是目前OP - VECSEL單管基模輸出的最高功率。

目前1 μm波段研究最為成熟。Lee等在背端抽運(yùn)OP - VECSEL中利用液體毛細(xì)管綁定散熱窗口獲得了9.1 W的1079 nm連續(xù)輸出,這是背端抽運(yùn)獲得的最高輸出功率。Heinen等利用熱電制冷器控制溫度,提高芯片和基底的鍵合質(zhì)量,利用金剛石作為散熱片,在3 ℃時(shí)獲得了106 W的1028 nm連續(xù)InGaAsOP - VECSEL多模激光輸出,這是目前單管最高輸出功率,在輸出功率為99.6 W時(shí),光光轉(zhuǎn)換效率達(dá)45%。Zhang等利用腔內(nèi)的雙折射濾波片和5%的輸出耦合鏡,獲得了23.6 W的1013 nm單頻輸出,為目前單頻輸出的最高功率。在更長(zhǎng)的1160~1200 nm波段,由于InGaAs / GaAs中In的組分更高,晶格應(yīng)變更嚴(yán)重,Kantola等在InGaAs / GaAs量子阱中生長(zhǎng)了GaAsP應(yīng)力補(bǔ)償層,在熱沉-15 ℃下獲得了50 W的1180 nm輸出,光光轉(zhuǎn)換效率為28%。2017年,Leinonen等在AlGaInAsOP - VECSEL中利用特制的金反射鏡將未吸收的光再次反射進(jìn)增益區(qū),增強(qiáng)吸收,在熱沉-5 ℃下獲得了33 W的1275 nm激光輸出。

Lyytikainen等和Rantamaki等合作進(jìn)行了1.3~1.55 μm的研究,先后獲得了2.7 W的1.3 μm輸出、2.6 W的1.57 μm輸出和1 W的1.56 μm單頻輸出,以及5 W的1.48 μm激光輸出。2014年他們?cè)O(shè)計(jì)了腔內(nèi)金剛石散熱芯片結(jié)構(gòu),并利用980 nm抽運(yùn)AlGaInAs / InP結(jié)構(gòu),獲得1300 nm出光功率為7.1 W,且M2< 1.25,為該波段輸出的最高功率。

2~5 μm中紅外波段已經(jīng)獲得數(shù)十瓦級(jí)輸出。Hopkins等在AlGaIn / AsSb VECSEL中獲得了5 W的2 μm激光輸出,利用雙折射濾波片可調(diào)諧波長(zhǎng)范圍為80 nm。2015年,Holl等利用1470 nm低量子虧損抽運(yùn)并結(jié)合前后散熱熱沉,在0 ℃條件下獲得了2 μm激光的最高輸出,功率達(dá)20 W,之后換用金剛石散熱片在室溫下獲得了17 W的激光輸出。Ishida等使用1.55 μm光纖激光抽運(yùn)PbSrS / PbS和PbTe / CdTe VECSEL,通過(guò)控制溫度,分別獲得了2.65~3 μm和3.3~4.2 μm的激光輸出,最高功率分別達(dá)2 W和700 mW。而在BaF2襯底上生長(zhǎng)PbTe / PbEuTe增益區(qū)并使用Al作為散熱片,亦獲得了300 mW的5 μm波長(zhǎng)輸出。

在可見(jiàn)光波段,同GaN - VCSEL,直接激發(fā)材料獲得紫光以及藍(lán)光的主要難點(diǎn)集中在生長(zhǎng)優(yōu)質(zhì)的DBR結(jié)構(gòu)、合適的抽運(yùn)源、腔結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),以及高效的熱管理。Debusmann等利用375 nm染料激光器抽運(yùn)InGaN OP - VECSEL,獲得415 nm藍(lán)光,單脈沖能量為60 nJ,相應(yīng)峰值功率22 W。2015年,Baumg?rtner等在熱沉溫度-15 ℃條件下,于GaInP / AlGaInP OP - VECSEL中獲得了1.6 W的665.5 nm連續(xù)紅光,2016年,利用多程量子阱抽運(yùn),將功率提高到2.5 W,這是目前紅光OP - VECSEL的最高輸出功率。

在紫外波段,直接從GaN基VECSEL中獲得紫外光輸出仍是一個(gè)亟待突破的難題。2000年,Zhou等利用三倍頻鎖模355 nm Nd … YAG激光器為抽運(yùn)源,采用GaN / AlGaN和SiO2 / HfO2DBR形成諧振腔,獲得了室溫準(zhǔn)連續(xù)條件下InGaN / GaN VECSEL的383 nm的紫外光,輸出功率為3 mW。

綜上所述,面發(fā)射半導(dǎo)體激光器通過(guò)直接激發(fā)已可使輸出波長(zhǎng)覆蓋從深紫外到數(shù)微米紅外的波長(zhǎng)范圍。其中1 μm波段研究較為成熟,在該波段VCSEL單管最高輸出功率達(dá)5.5 W,陣列輸出功率達(dá)100 kW;EP- VECSEL單管最高輸出功率超過(guò)9 W,陣列輸出達(dá)42 W;OP - VECSEL單管最高輸出功率106 W,單頻最高輸出功率23.6 W。另外,其突出的高轉(zhuǎn)換效率也為面發(fā)射半導(dǎo)體增彩不少,VCSEL的轉(zhuǎn)換效率最高可達(dá)63.4%。OP - VECSEL轉(zhuǎn)換效率也高達(dá)50%。


4 應(yīng)用


通過(guò)激光技術(shù)可以擴(kuò)展面發(fā)射半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用,將其優(yōu)點(diǎn)發(fā)揮到極致。利用偏硼酸鋇(BBO)、三硼酸鋰(LBO)、磷酸氧鈦鉀(KTP)等非線性晶體進(jìn)行變頻可得到更短波長(zhǎng)的激光輸出,進(jìn)一步擴(kuò)展波長(zhǎng)范圍;半導(dǎo)體增益片具有數(shù)十納米的增益帶寬,擴(kuò)展腔結(jié)構(gòu)亦可方便地插入濾波元件和調(diào)諧元件,獲得單頻和可調(diào)諧激光輸出;半導(dǎo)體可飽和吸收鏡(SESAM)被動(dòng)鎖模和克爾透鏡鎖??梢垣@得飛秒級(jí)超短脈沖,同時(shí)具有高重復(fù)頻率,這些技術(shù)使面發(fā)射激光器有更為廣闊的應(yīng)用前景。

紅外波段的808和980 nm著重于高功率面陣的研究,用于抽運(yùn)摻鉺的光纖放大器和端面抽運(yùn)Nd … YAG、Nd … YVO4等固體激光器以及紅外照明、成像等應(yīng)用。另外,Watkins等研制的單頻窄線寬780、795和850 nm VCSEL可用于原子鐘及其相關(guān)領(lǐng)域,如基于原子鐘新型傳感器等。980 nm EP - VECSEL使用SESAM被動(dòng)鎖模已經(jīng)獲得了2.5 ps脈寬的激光輸出,其平均功率為53.2 mW、峰值功率為4.73 W、重復(fù)頻率為18.2 GHz,均為目前EP - VECSEL鎖模的最高水平。980 nm OP - VECSEL利用InGaAs增益芯片的克爾透鏡效應(yīng)鎖模得到了脈寬為930 fs、重復(fù)頻率為210 MHz和峰值功率為6.8 kW的激光輸出,為目前OP - VECSEL超短脈沖最高的峰值功率,可應(yīng)用于光通信和光時(shí)鐘領(lǐng)域。

1 μm激光的超短脈沖,通過(guò)SESAM鎖模脈沖寬度已經(jīng)縮短至60 fs,重復(fù)頻率高達(dá)175 GHz,平均功率提高到6.4 W,峰值功率亦提高到4.35 kW。使用碳納米管可飽和吸收鏡(GSAM)鎖模,Husaini等獲得了脈寬為353 fs、脈沖能量為2.8 nJ、平均功率為10 W的1030 nm輸出,為目前超短脈沖最高的平均功率。在高速計(jì)算系統(tǒng)和計(jì)量學(xué)等領(lǐng)域、光時(shí)鐘、頻率轉(zhuǎn)換、高速電光采樣、時(shí)間分辨光譜學(xué)等占有一席之地。近幾年,M Squared Laser公司成功地實(shí)現(xiàn)了輸出波長(zhǎng)范圍920~1050 nm的鎖模VECSEL的商業(yè)化應(yīng)用,為日漸興起的非線性顯微鏡市場(chǎng)提供了一種低成本、易操作的激光光源。2016年,Lubeigt等再次實(shí)現(xiàn)了脈沖130 fs以下,重復(fù)頻率為200 MHz、平均功率為0.85 W的鎖模OP - VECSEL,有望代替鈦寶石超快激光器在非線性領(lǐng)域的應(yīng)用。2017年,Scheller等報(bào)道了產(chǎn)生1012和1015 nm的雙波長(zhǎng)OP - VECSEL,可用于差頻產(chǎn)生太赫茲光源。圖5是常用的2種SESAM被動(dòng)鎖模腔型,激光的一個(gè)端鏡為耦合輸出鏡,另外一個(gè)端鏡是被動(dòng)鎖模元件SESAM。圖5(a)所示的V型腔通過(guò)移動(dòng)耦合輸出鏡和SESAM的位置改變?cè)鲆娼橘|(zhì)和SESAM上激光模式大小的比例,獲得可調(diào)節(jié)的脈寬輸出,圖5(b)所示的Z型腔則具有更穩(wěn)定的鎖模輸出。

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圖5 OP – VECSEL SESAM被動(dòng)鎖模示意圖。(a)V型腔;(b)Z型腔

近紅外波段中有三個(gè)石英光纖的低損窗口,850 nm是第一個(gè)低損窗口,主要用于短距離的高速數(shù)據(jù)通訊和光互連;1330 nm是第二個(gè)低損窗口;而1550 nm是第三個(gè)低損窗口,也是損耗最低的一個(gè)窗口。因此,1310 nm和1550 nm VCSEL分別用于中距離和遠(yuǎn)距離高速數(shù)據(jù)通訊和光互連、光并行處理、光識(shí)別系統(tǒng)等。目前,850 nm VCSEL設(shè)備的傳輸速度可達(dá)160 Gb·s-1。1.3 μm VCSEL設(shè)備的傳輸速度可達(dá)到25 Gb·s-1,1.5 μm VCSEL設(shè)備的傳輸速度可達(dá)56 Gb·s-1。2011年,Gierl等利用微機(jī)械技術(shù)(MEMS)進(jìn)行調(diào)諧首次報(bào)道了1550 nm波段可調(diào)諧范圍>100 nm的單模輸出,刷新了之前1550 nm最寬可調(diào)諧范圍65 nm的記錄。2012年,Jayaraman等報(bào)道了在InP1310 nm VCSEL中利用MEMS技術(shù)獲得了150 nm的連續(xù)可調(diào)范圍,該器件在其整個(gè)調(diào)諧范圍內(nèi)掃描速度高達(dá)500 kHz,可用做光學(xué)相干斷層掃描和高速瞬態(tài)光譜掃描的光源。


1.68 μm與1.80 μm波長(zhǎng)和2~2.5 μm波段主要用于環(huán)境監(jiān)測(cè)。前者可分別用于甲烷和水的氣體檢測(cè)。后者對(duì)大氣中的污染物,如CH4、CO、NO2H2等有強(qiáng)烈的吸收譜線,可用于天然氣探測(cè)和大氣環(huán)境監(jiān)測(cè),但是CO2和H2O對(duì)其吸收率很低,因此可以對(duì)樣品進(jìn)行光譜分析從而確定其成分組成。2009年,Harkonen使用980 nm光源采用典型的V型腔結(jié)構(gòu)抽運(yùn)GaSb VECSEL,獲得了4 W的2 μm激光輸出,并使用腔內(nèi)雙折射濾光片實(shí)現(xiàn)了156 nm可調(diào)諧范圍。這是OP - VECSEL可獲得的最寬的調(diào)諧范圍。Solus Technologies公司開(kāi)發(fā)了一種中紅外1.9~2.5 μm波長(zhǎng)范圍窄線寬激光源,適用于氣體傳感器和分子光譜學(xué)。2.5~5 μm中紅外波段可基于分子振動(dòng)的模式作氣體痕量分析,因此可以用于環(huán)境檢測(cè)、高速排氣分析、化學(xué)反應(yīng)控制等領(lǐng)域。


可見(jiàn)光波段激光可用于激光顯示、激光照明、激光高密度存儲(chǔ)和激光打印等領(lǐng)域。由于直接從材料中激發(fā)獲得高功率輸出不易,更多的通過(guò)外腔變頻方法獲得。EP - VECSEL利用PPLN晶體倍頻獲得了4.7 W的531 nm綠光輸出。美國(guó)相干公司在InGaAs / GaAs OP - VECSEL中通過(guò)LBO晶體腔內(nèi)倍頻得到15 W的488 nm和5 W的460 nm倍頻藍(lán)光輸出,是目前報(bào)道的藍(lán)光最高輸出功率。和傳統(tǒng)的780 nm半導(dǎo)體激光器相比,倍頻藍(lán)光VECSEL具有波長(zhǎng)短和光束質(zhì)量好的優(yōu)點(diǎn),使聚焦光斑更小,可有效提高存儲(chǔ)密度,從而提高存儲(chǔ)的容量。另外,488 nm激光器還可用于流式細(xì)胞計(jì)來(lái)提高人類疾病的診斷準(zhǔn)確率。2007年,Hunziker等使用LBO倍頻研制的綠光OP - VECSEL,基模綠光最大輸出11.5 W。為了提高功率他們使用兩片芯片,成功獲得了24 W的531 nm輸出。隨后,采用三個(gè)InGaAs / GaAs VECSEL芯片在腔內(nèi)進(jìn)行串接及腔內(nèi)倍頻的方式,獲得了532 nm綠光基模輸出達(dá)55 W,高階模輸出達(dá)66 W,這是目前綠光輸出的最高功率。該公司還利用OP - VECSEL腔內(nèi)倍頻后得到的藍(lán)光和綠光,與二極管激光器提供的紅光相結(jié)合,構(gòu)成三基色光源,成功用于激光顯示,該光源體積小、成本低、集成度高,是激光顯示領(lǐng)域很有競(jìng)爭(zhēng)力的光源。基于530 nm綠光OP - VECSEL的小型犯罪偵查成像系統(tǒng),可以有效減小相機(jī)的光圈,從而獲得足夠大的景深,可用于檢測(cè)犯罪現(xiàn)場(chǎng)的指紋、痕跡等證據(jù)。


Rautiainen等在利用1 μm波段倍頻獲得黃紅光(580~620 nm)方面進(jìn)行研究,獲得了目前最高連續(xù)輸出功率的黃光和紅光。在研究中發(fā)現(xiàn),GaInAs中摻入N可以有效的減少GaInAs的晶格應(yīng)力,獲得1.1~1.5 μm波段的激光輸出,以便于倍頻獲得黃紅光。而利用LBO晶體倍頻獲得了20 W連續(xù)588 nm輸出,為目前黃光輸出的最高功率,展示了黃光VECSEL在醫(yī)療領(lǐng)域的巨大潛力,可為視網(wǎng)膜病變等眼科疾病提供有效的治療。另外,Hessenius等利用標(biāo)準(zhǔn)具調(diào)諧和LBO晶體倍頻獲得了可調(diào)諧單頻黃光輸出,調(diào)諧波長(zhǎng)可覆蓋鈉D2線(588.991 nm)和D1線(589.595 nm),是鈉導(dǎo)星優(yōu)質(zhì)光源。2015年,Kantola等通過(guò)控制0.5%摻N量獲得了1230 nm激光輸出,并通過(guò)LBO倍頻獲得了10.5 W的615 nm連續(xù)激光輸出,這是目前通過(guò)倍頻可獲得紅光的最高功率。在測(cè)量和非接觸檢測(cè)系統(tǒng)等領(lǐng)域憑借良好的光束質(zhì)量,可簡(jiǎn)化準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng),提高分辨率。與適當(dāng)染料耦合,是共焦顯微鏡在生物觀測(cè)領(lǐng)域的潛在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。


紫外波段在生物醫(yī)學(xué)、原子捕獲、光譜學(xué)、激光光刻、激光高密度存儲(chǔ)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。目前,由紅光倍頻獲得紫外光已獲得數(shù)百毫瓦的功率輸出。2015年,Baumg?rtner等在應(yīng)力補(bǔ)償研制的紅光OP - VECSEL中,利用BBO晶體倍頻獲得了429 mW的331.6 nm紫外光輸出。而Mateo等利用多程量子阱抽運(yùn)OP - VECSEL產(chǎn)生的665 nm紅光倍頻,獲得了820 mW的333 nm紫外光輸出,這是目前紫外波段可達(dá)到的最高功率。2017年,Yakshin等在InGaAs VECSEL獲得了936 nm的基頻光輸出,通過(guò)四次倍頻獲得190 mW的234 nm的深紫外輸出,是目前可獲得的最短波長(zhǎng)。


5 結(jié)束語(yǔ)


經(jīng)過(guò)40年的發(fā)展,面發(fā)射半導(dǎo)體激光器技術(shù)和應(yīng)用已經(jīng)取得了顯著成果,其未來(lái)發(fā)展有以下方面:1)更高輸出功率;2)擴(kuò)展輸出波長(zhǎng);3)高度集成化。


可以通過(guò)4個(gè)方面提高功率輸出:1)增加抽運(yùn)尺寸,同時(shí)控制腔內(nèi)的放大自發(fā)發(fā)射,減少增益損耗。2)進(jìn)一步改善熱管理,如使用導(dǎo)熱性高的金剛石散熱片和熱沉,利用脈沖抽運(yùn),設(shè)計(jì)和制造雙散熱結(jié)構(gòu),低熱阻半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)等等。通過(guò)以上方法,VCSEL和OP - VECSEL單管輸出功率有望增加到數(shù)十瓦和數(shù)百瓦水平并保持優(yōu)良的光束質(zhì)量。3)使用多個(gè)增益芯片(目前最多有三個(gè)芯片),同時(shí)增加增益芯片面積。4)激光合束,可通過(guò)相干合束和非相干合束來(lái)獲得,同時(shí)可保持優(yōu)異的光束質(zhì)量。


擴(kuò)展波長(zhǎng)可通過(guò)以下方式實(shí)現(xiàn):1)使用現(xiàn)有的半導(dǎo)體材料系統(tǒng),找到合適的抽運(yùn)源和抽運(yùn)方式獲得新波長(zhǎng),如GaN材料系統(tǒng)直接激發(fā)的藍(lán)光,若能同時(shí)具有高功率和良好的光束質(zhì)量將獲得諸多應(yīng)用。然而,合適的抽運(yùn)光源并不容易獲得。2)通過(guò)使用新型材料系統(tǒng)或新型非線性光學(xué)技術(shù)獲得新的波長(zhǎng)。各種非線性光學(xué)頻率轉(zhuǎn)換可擴(kuò)大波長(zhǎng)的范圍:腔內(nèi)倍頻、三倍和四倍、和頻產(chǎn)生,雙波長(zhǎng)激光器差頻產(chǎn)生等,將波長(zhǎng)擴(kuò)展到200 nm以下的深紫外和5 μm以上的中紅外波段,以此來(lái)填補(bǔ)現(xiàn)有波長(zhǎng)的空白區(qū)域。


高度集成化是指在一個(gè)半導(dǎo)體襯底上整合多個(gè)功能塊。例如抽運(yùn)源、可飽和吸收鏡等器件,抽運(yùn)源與VECSEL增益結(jié)構(gòu)的集成已有相關(guān)報(bào)道。這種集成抽運(yùn)的VECSEL可降低器件組裝難度,易于制造大功率激光器,從而降低設(shè)備成本并擴(kuò)大激光器的潛在市場(chǎng)。功能組件集成的另一個(gè)例子是鎖模集成外腔面發(fā)射激光器,其中增益區(qū)和可飽和吸收區(qū)域集成在襯底上。通過(guò)這些方式,可以產(chǎn)生更加簡(jiǎn)單、緊湊、易于制造和便宜的設(shè)備,以及實(shí)現(xiàn)更好的性能和新穎的功能。未來(lái)發(fā)展功能集成可以幫助VECSEL在商業(yè)上得到更廣泛的應(yīng)用,特別是在低成本和大批量應(yīng)用中,如移動(dòng)投影顯示器等領(lǐng)域。


總而言之,面發(fā)射半導(dǎo)體激光器正通過(guò)技術(shù)推動(dòng)和市場(chǎng)拉動(dòng)擴(kuò)大其影響力。現(xiàn)有和正在開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品在市場(chǎng)推動(dòng)下將刺激新商業(yè)的出現(xiàn),例如數(shù)瓦級(jí)紅、綠和藍(lán)VECSEL用于激光投影儀。近期,蘋果公司宣布iPhone 8即將采用VCSEL為其新的后置3D成像系統(tǒng)提供光源,可更快的實(shí)現(xiàn)攝像頭對(duì)焦。此外,還能實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的深度映射,從而有助于在增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)技術(shù)中的應(yīng)用。緊湊、高效和高性能的可定制波長(zhǎng)的激光器將會(huì)擴(kuò)大現(xiàn)有商業(yè)應(yīng)用中的使用,VCSEL將會(huì)在某些應(yīng)用領(lǐng)域替代現(xiàn)有激光技術(shù)。如可輸出藍(lán)光和綠光的Ar離子氣體激光器,在過(guò)去是共焦熒光顯微鏡和抽運(yùn)鈦寶石的唯一激光源,后來(lái)在很大程度上被全固態(tài)激光器取代,而由于VCSEL波長(zhǎng)可調(diào)諧、功率高、光束質(zhì)量高,加之器件結(jié)構(gòu)緊湊、效率高、可靠性高,逐漸取代固態(tài)激光器。VCSEL將在新型科學(xué)應(yīng)用(如分子光譜學(xué)、激光陀螺儀、微波光子學(xué)和原子鐘等)得到更加廣泛地應(yīng)用。



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