堺顯示器產品公司（SDP）在使用全球最大尺寸（2880mm×3130mm）玻璃基板的該公司第10代液晶工廠，成功試制了低溫多晶硅（LTPS）TFT液晶面板。該公司在日前舉行的顯示器學會“SID 2016”的開發(fā)人員見面會上首次公開了試制品（發(fā)表序號：67.1）。據介紹，這是在堺工廠制作的第一款低溫多晶硅TFT液晶面板，屏幕尺寸為19.5英寸，像素數為4K（3840×2160），精細度為226ppi。
SDP計劃2017年初開始制造采用該技術的柵極驅動電路一體型8K高精細（326ppi）液晶面板。此次發(fā)布的LTPS技術設想在堺的第10代工廠導入，用于量產8K等大型高精細液晶電視和大型有機EL電視使用的面板。據介紹，從現有的非晶硅TFT工廠進行轉換所需的追加投資成本較少，還有望實現高生產效率。追加投資成本只有向采用以往技術的LTPS TFT生產線轉換時的1/9，向IGZO TFT生產線轉換時的1/2。
那么，為何采用LTPS呢？原因是，與現在的大型面板使用的非晶硅TFT相比，LTPS TFT的載流子遷移率高，容易驅動8K等高精細液晶面板和元件通電的有機EL面板。不過，LTPS此前只被用于利用第6代以下基板制造的中小型面板。原因在于制造裝置。LTPS是通過向大型液晶面板使用的非晶硅膜照射激光進行退火，使熔化的硅重新結晶制作而成的。但以往的激光退火技術沒有支持第10代大型玻璃基板的裝置，最多只能支持第6代基板。
因此，SDP導入了能支持第10代大型玻璃基板的全新激光退火技術，也就是能夠精密地局部照射激光的局部激光退火技術。該公司把利用該技術制作的多晶硅稱為“PLAS（Partial Laser Anneal Silicon）”?，F在的LTPS工廠都是采用通過光束線對整面基板進行退火的準分子激光退火技術。
局部激光退火技術的特點是，無需像以往技術那樣向整面基板照射激光，因此激光退火工序的處理時間可以縮短一位數。另外，以往的LTPS采用頂柵結構，而采用局部激光退火技術的LTPS可以直接使用非晶硅TFT的底柵結構。而且無需導入像IGZO那樣的新材料。因此，堺第10代工廠等非晶硅TFT生產線實現“LTPS化”時，優(yōu)點是追加的成膜工序、光刻工序以及相應的制造裝置比較少。
利用局部激光退火技術制作的LTPS TFT的載流子遷移率遠遠高于非晶硅，與IGZO為同等水平。利用第2.5代試產線制作的TFT的載流子遷移率為28.1cm2。
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