光伏技術(shù) 降低本錢是戰(zhàn)略方向
晶體硅光伏技術(shù)占據(jù)市場的主要份額。全世界裝置的所有太陽能陣列中,約87%由晶體硅構(gòu)成。但當(dāng)前晶體硅光伏技術(shù)的利息過于高貴,需要不時減少第一代光伏電池—晶體硅光伏電池的硅片厚度。雖然過去幾年中,硅片平均厚度已從300350微米變?yōu)?50微米左右,但尚未進入市場可承受的范圍。
與晶體硅電池相比,第二代光伏電池—薄膜光伏電池的效率較低,大多數(shù)的轉(zhuǎn)化效率為5%~10%。此外,薄膜太陽能電池不夠穩(wěn)定,資料會因流露于太陽光下而變質(zhì)。但是薄膜太陽能電池所需要的原材料要比晶體硅電池少,且不那么昂貴。褚君浩預(yù)測,2012年,晶體硅光伏電池設(shè)備所占比例將從目前的87%跌落到75%,而其余的25%將由薄膜基占據(jù)。
褚君浩還提到第三代新概念太陽能電池技術(shù)—染料敏化太陽能電池(DSSCDSSC用染料分子來吸收入射光,比晶體硅電池便宜,但效率比前兩者都低,而且也存在穩(wěn)定性問題。中國科學(xué)院孟慶波博士指出,DSSC一大優(yōu)點是較容易生產(chǎn)。中國,研究人員正在考察DSSC中使用的激進電解質(zhì)資料碘化鋰是否可以用更便宜的碘化鋁來代替,以進一步降低本錢。
對于地球是否能提供足夠的資料以滿足大規(guī)模太陽能發(fā)電的需要,參與第一屆CS3研討會的英國巴斯大學(xué)的勞里·彼得博士認(rèn)為,化學(xué)家們需要重新審視過去的工作,采用更適于長期、規(guī)?;瘧?yīng)用的新資料來進行替代實驗。
具有半導(dǎo)體性質(zhì),是極為重要的優(yōu)良半導(dǎo)體材料。
多晶硅是生產(chǎn)單晶硅的直接原料,是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件的電子信息基礎(chǔ)材料;被稱為“微電子大廈的基石”。
當(dāng)前,晶體硅材料(包括多晶硅和單晶硅)是最主要的光伏材料,其市場占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長的一段時期也依然是太陽能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長期以來掌握在美、日、德等3個國家7個公司的10家工廠手中,形成技術(shù)封鎖、市場壟斷的狀況。
目前國際上多晶硅生產(chǎn)主要的傳統(tǒng)工藝有:改良西門子法、硅烷法和流化床法。其中改良西門子工藝生產(chǎn)的多晶硅的產(chǎn)能約占世界總產(chǎn)能的80%,短期內(nèi)產(chǎn)業(yè)化技術(shù)壟斷封鎖的局面不會改變。
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