光電子技術(shù)是光子技術(shù)和電子技術(shù)結(jié)合而成，通過光子激發(fā)電子或者電子躍遷產(chǎn)生光子，實(shí)現(xiàn)光能與電能轉(zhuǎn)換的新技術(shù)。光電子技術(shù)按照應(yīng)用領(lǐng)域主要分為信息光電子（通信、大數(shù)據(jù)計(jì)算、人工智能、智能駕駛、無人機(jī)等）、能量光電子（固體、氣體、光纖激光器、光伏系統(tǒng)等）、消費(fèi)光電子（光顯示、光照明等）、軍用光電子（紅外傳感、激光引像等）四大領(lǐng)域，其技術(shù)水平和產(chǎn)業(yè)能力已經(jīng)成為衡量一個(gè)國(guó)家綜合實(shí)力和國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的重要標(biāo)志。

在光電子四大應(yīng)用領(lǐng)域中，消費(fèi)光電子在我國(guó)已經(jīng)形成成熟產(chǎn)業(yè)鏈條，軍用光電子具有特殊性，因此在這里不做贅述。信息光電子是光電子技術(shù)的主流，它采用光作為信息傳輸載體，擔(dān)當(dāng)此任務(wù)的基礎(chǔ)是光收發(fā)模塊。光收發(fā)模塊中的核心器件是基于半導(dǎo)體技術(shù)的光電子器件（激光器和探測(cè)器等）。能量光電子的核心技術(shù)與信息光電子相似?？傮w來講，高端光電子器件是光電子技術(shù)發(fā)展的核心，也是制約光電子各大應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)瓶頸。

一 國(guó)內(nèi)外光電子技術(shù)政策布局

國(guó)外從20世紀(jì)80年代開始在光子學(xué)領(lǐng)域投入了大量精力。美國(guó)國(guó)防部和能源部把光子學(xué)列為美國(guó)20項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)之一，2014年10月美國(guó)總統(tǒng)奧巴馬宣布光子集成技術(shù)國(guó)家戰(zhàn)略（AIM Photonics），投入6.5億美元打造光子集成器件研發(fā)制備平臺(tái)，其中包括以南加州大學(xué)為核心的光子工藝中心；日本目前正在實(shí)施First Program（先端研究開發(fā)計(jì)劃），部署了“光電子融合系統(tǒng)技術(shù)開發(fā)項(xiàng)目”；德國(guó)政府將光子學(xué)確定為21世紀(jì)保持其在國(guó)際市場(chǎng)上先進(jìn)地位的九大關(guān)鍵技術(shù)之一，投入35億歐元用于紅外監(jiān)測(cè)、激光表面處理等與光電子技術(shù)相關(guān)的產(chǎn)業(yè)與研發(fā)，其中“地平線 2020”計(jì)劃更是集中部署了光電子集成研究項(xiàng)目，旨在實(shí)現(xiàn)基于半導(dǎo)體材料和二維晶體材料的光電混合集成芯片。

我國(guó)也對(duì)光電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)進(jìn)行了政策重點(diǎn)布局。2011年科技部《國(guó)家重大科學(xué)研發(fā)計(jì)劃》對(duì)高性能納米光電子器件進(jìn)行重點(diǎn)支持；2017年發(fā)布的《十三五材料創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》指出大力研發(fā)新型納米光電器件及集成技術(shù)，加強(qiáng)示范應(yīng)用；2017年工信部正式公布智能制造試點(diǎn)示范項(xiàng)目名單，加快發(fā)展光電子器件與系統(tǒng)集成產(chǎn)業(yè)，推動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能和實(shí)體經(jīng)濟(jì)深度融合；2018年3月科技部“十三五”《國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃》在光電子領(lǐng)域進(jìn)行部署。

二 國(guó)內(nèi)外光電子核心技術(shù)發(fā)展現(xiàn)在分析

高端光電子器件做為光電子技術(shù)發(fā)展的核心，其性能的提升依賴于打通從模擬設(shè)計(jì)、材料生長(zhǎng)、器件制備到封裝測(cè)試的技術(shù)鏈條。位于產(chǎn)業(yè)鏈源頭的光電子材料、核心光電子器件的制備，與發(fā)達(dá)國(guó)家相比存在較大差距，且生長(zhǎng)工藝復(fù)雜、對(duì)外技術(shù)依存度高，平均成本和利潤(rùn)率超過整個(gè)產(chǎn)品的50%甚至達(dá)到70%，已成為制約我國(guó)下一代光電子技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。同時(shí)，將多個(gè)不同功能的光電子器件集成到單個(gè)芯片上，實(shí)現(xiàn)功能更為復(fù)雜的光、電信號(hào)處理系統(tǒng)是未來光電子技術(shù)的發(fā)展方向。以硅基光電子集成技術(shù)為主要代表的熱點(diǎn)技術(shù)將成為21世紀(jì)光電子技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向。

01 光電子材料發(fā)展現(xiàn)狀

按照光波的不同波段，光電子材料未來發(fā)展的重點(diǎn)方向包括：從紫外到可見光的發(fā)光材料，近紅外到中遠(yuǎn)紅外及太赫茲的激光材料、中遠(yuǎn)紅外高靈敏探測(cè)材料、寬帶高速光纖通信材料等。目前光電子分立器件用材料主要有以砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）為代表的III-V族化合物半導(dǎo)體材料；光電子集成用主要材料為絕緣體上的硅（SOI）及氮化硅，目前主流為SOI。（見圖1）

圖1 對(duì)應(yīng)不同光波段的光電子材料及主要應(yīng)用領(lǐng)域

光電子材料制備包括襯底制備和外延工藝兩大環(huán)節(jié)。襯底是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。外延生長(zhǎng)工藝目前主要采用MOCVD（化學(xué)氣相沉積）以及MBE（分子束外延）兩種技術(shù)。

（1）III-V族化合物

GaAs、InP等III-V族化合物材料適用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件，目前廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通訊、移動(dòng)通訊、光通訊、GPS導(dǎo)航等領(lǐng)域。GaAs襯底目前由日本住友電工、德國(guó)Freiberg、美國(guó)AXT、日本住友化學(xué)四家占據(jù)，主流尺寸為3英寸和4英寸。GaAs外延材料目前主要由英國(guó)的IQE、美國(guó)的Intelliepi，中國(guó)臺(tái)灣的全新光電三家占據(jù)，市場(chǎng)份額達(dá)到90%。InP襯底目前由美國(guó)AXT、日本住友占據(jù)大部分市場(chǎng)，中國(guó)大陸以云南鑫耀等企業(yè)為主，近年來市場(chǎng)擴(kuò)展迅速，主流尺寸為2英寸和3英寸。InP外延材料市場(chǎng)目前主要由英國(guó)IQE、中國(guó)臺(tái)灣聯(lián)亞光電占據(jù)，中國(guó)大陸主要有中科芯電（ACS），中國(guó)大陸還未開始量產(chǎn)。

（2）氮化鎵（GaN）

在光電子學(xué)領(lǐng)域，GaN基材料可以實(shí)現(xiàn)綠光、藍(lán)光和紫外多個(gè)波段的激射發(fā)光，一般采用氰化物氣相外延（HVPE）方法制備，在激光顯示、激光照明、激光加工等領(lǐng)域有非常重要的應(yīng)用。目前GaN基外延材料生長(zhǎng)技術(shù)難度大，國(guó)際上僅有日本的日亞公司、德國(guó)的歐司朗公司能夠?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，中國(guó)大陸只有中科院半導(dǎo)體所、中科院蘇州納米所、南昌大學(xué)等極少數(shù)單位能夠研制外延生長(zhǎng)高質(zhì)量光電子用薄膜。

（3）SOI

SOI是光電子集成領(lǐng)域未來應(yīng)用最廣的材料。目前， SOI晶圓主要生產(chǎn)廠商有日本信越、日本SUMCO、中國(guó)臺(tái)灣環(huán)球，此外還有法國(guó)Soitec、中國(guó)臺(tái)灣臺(tái)勝科、合晶、嘉晶等企業(yè)。中國(guó)大陸主要生產(chǎn)廠商為上海新升。SOI晶圓襯底主流尺寸為8英寸。

02 高端光電子器件發(fā)展現(xiàn)狀

高端光電子器件主要包括化合物半導(dǎo)體激光器、光電探測(cè)器及硅基集成有源光子器件。

（1）化合物半導(dǎo)體激光器

化合物半導(dǎo)體激光器是以GaAs、InP等為增益介質(zhì)，在各類激光器中擁有最佳的能量轉(zhuǎn)化效率，是當(dāng)今最重要的激光光源，包括垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、分布式反饋激光器（DFB）、電吸收調(diào)制激光器（EML），超輻射發(fā)光二極管（SLED）、激光二極管（LD），分別適用于不同的傳輸距離和速度。

①VCSEL激光器：能夠?qū)崿F(xiàn)芯片表面的激光發(fā)射，具有體積小、功耗低、可單縱模輸出、價(jià)格低廉、易大面積集成等優(yōu)點(diǎn)。VCSEL芯片是主要材料為GaAs體系。其中，850nm 波段VCSEL適用于短距離(小于500米)光通信領(lǐng)域，可以用在光纖網(wǎng)絡(luò)中高速傳輸數(shù)據(jù)。940nm波段VCSEL適用于3D傳感。隨著2017年蘋果iphone X發(fā)布，3D人臉識(shí)別系統(tǒng)大規(guī)模應(yīng)用，940nm VCSEL激光光源引起了廣泛的關(guān)注。

VCSEL國(guó)外廠商主要有Broadcom、Lumentum、Finisar等，中國(guó)大陸主要有江蘇華芯、武漢光迅科技、三安光電等公司。Broadcom、Lumentum等國(guó)外公司已經(jīng)陸續(xù)推出通信用25G以上速率的850nm VCSEL激光器芯片。目前中國(guó)大陸已經(jīng)能夠自主完成10G 850nm VCSEL激光器芯片外延及芯片工藝制造。隨著人臉識(shí)別VCSEL市場(chǎng)規(guī)模的爆發(fā)增長(zhǎng)，使得各個(gè)VCSEL制造廠商開始重點(diǎn)布局940 nm，江蘇華芯在原有光通訊用850nm VCSEL芯片外延技術(shù)的基礎(chǔ)上上成功實(shí)現(xiàn)了手機(jī)用940nm VCSEL高功率TOF和結(jié)構(gòu)光芯片的國(guó)產(chǎn)化，其性能可與國(guó)外頂尖公司產(chǎn)品相媲美。

②DFB激光器：能夠?qū)崿F(xiàn)邊發(fā)射的單縱模激光器，具有非常好的單色性。DFB激光器芯片通常由InP、GaAs等半導(dǎo)體材料制成，其主要應(yīng)用為1310nm，1550nm光通信，可實(shí)現(xiàn)高速率、大距離的中長(zhǎng)距離傳輸，也適用于數(shù)據(jù)中心、城域網(wǎng)及接入網(wǎng)。

DFB激光器芯片技術(shù)基本上由德國(guó)、美國(guó)、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家掌握，如德國(guó)Nanoplus、Sacher、Eagleyard、Toptica公司，美國(guó)Thorlabs、EM4、Power Technology、Sarnoff公司，日本NTT、Oclaro等公司。廠商非常多，但能夠?qū)崿F(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)的廠家并不多，部分國(guó)家對(duì)中國(guó)禁售25G以上DFB激光器芯片。中國(guó)大陸公司主要有華為海思、光迅科技、仕佳光子公司、源芯等，研究機(jī)構(gòu)包括中科院半導(dǎo)體所、清華大學(xué)等。目前國(guó)內(nèi)芯片廠商只占據(jù)10%以下的市場(chǎng)份額，光迅、海思等廠商僅在10G以下低端激光器商用芯片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化。當(dāng)前部分研究機(jī)構(gòu)和廠商已完成了25G DFB激光器芯片的研發(fā)，但還未實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

③EML激光器：EML為電吸收調(diào)制器（EAM）與DFB集成器件。與直接調(diào)制的DFB激光器比，EML的傳輸特性和傳輸效果要比DFB激光器好，具有高功率、窄線寬以及寬波長(zhǎng)調(diào)諧范圍等優(yōu)點(diǎn)，可以廣泛應(yīng)用于高速、遠(yuǎn)距離的骨干網(wǎng)和城域網(wǎng)。EML廠家有Finisar，JDSU、日本三菱、英飛凌等，國(guó)內(nèi)研究機(jī)構(gòu)有清華大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所等。

④紫外激光器：半導(dǎo)體紫外激光器（波長(zhǎng)＜400nm）在激光加工、紫外固化、紫外殺菌、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用。與紅外激光器相比，紫外激光器具有波長(zhǎng)短、光子能量大等優(yōu)點(diǎn)，不僅可以聚焦更小、實(shí)現(xiàn)更高精度加工，而且可以把熱效應(yīng)降到最低、實(shí)現(xiàn)冷加工。GaN材料是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體紫外激光器的理想材料，但是由于紫外量子阱發(fā)光效率低、光損耗大等問題，GaN紫外激光器技術(shù)難度極大。目前國(guó)際上只有日本的日亞公司能夠提供商用產(chǎn)品，中國(guó)大陸只有中科院半導(dǎo)體所能夠研制室溫電注入連續(xù)激射的紫外激光器。

⑤量子級(jí)聯(lián)激光器（QCL）：QCL激射波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)于兩個(gè)重要大氣窗口和絕大多數(shù)氣體分子的基頻吸收峰，同時(shí)具備多波長(zhǎng)可調(diào)諧的特點(diǎn)，使其在激光雷達(dá)和測(cè)距、高靈敏度氣體檢測(cè)等應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)揮重大作用。QCL國(guó)外廠商主要有美國(guó)Pranalytica Inc.、Daylight Solution、Thorlab、Cascade Technologies、 AKELA laser等，日本Hamamatsu，瑞士Alpes Lasers，德國(guó)Nanoplus。中國(guó)大陸中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所具有小批量QCL生產(chǎn)能力、已提供給50個(gè)國(guó)內(nèi)外用戶使用。目前國(guó)內(nèi)QCL仍然受外延材料本身的效率和一些工藝、封裝設(shè)備的限制，當(dāng)前最核心的工作是提高QCL的單管輸出功率。

⑥大功率半導(dǎo)體激光器：一般指的是功率大于1W，GaAs基808nm、980nm、915nm、1064nm等波段的激光器。大功率半導(dǎo)體激光器主要用于泵浦源（固體激光器/光纖激光器）。目前大功率半導(dǎo)體激光器市場(chǎng)每年以20%以上的速度增加。國(guó)外的公司有美國(guó)Ⅱ-Ⅵ photonics、3SP Technologies 、lumentum、德國(guó)FBH、日本Hamamatsu Photonics等。中國(guó)大陸研究機(jī)構(gòu)包括中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國(guó)科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械等，公司有山東華光光電子股份有限公司等。國(guó)內(nèi)的研究水平和產(chǎn)品實(shí)力均弱于國(guó)外公司，包括功率、壽命、光束質(zhì)量、合束技術(shù)等方面，并且由于該方面的應(yīng)用較為敏感，國(guó)外公司進(jìn)行技術(shù)封鎖。

（2）光電探測(cè)器

光電探測(cè)器能夠檢測(cè)出入射在其上面的光功率，并完成光信號(hào)向電信號(hào)的轉(zhuǎn)換。目前，常用的光電探測(cè)器包括光電二極管（PIN）檢測(cè)器和雪崩光電二極管（APD）檢測(cè)器。

PIN用于短距離、對(duì)靈敏度要求不高的光通信系統(tǒng)中，響應(yīng)帶寬為2.5Gb/s，10Gb/s，25GGb/s，40Gb/s；APD靈敏度高于PIN，響應(yīng)帶寬為2.5Gb/s，10Gb/s，20Gb/s，主要應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng)、單光子探測(cè)、航天探測(cè)。生產(chǎn)兩種探測(cè)器的國(guó)外廠商主要有OCLARO, Discovery, BOOKHAM, Finisar, JDSU；中國(guó)大陸有光迅、三安、光森、華芯。國(guó)際廠家可提供25G及以上速率光探測(cè)器芯片，國(guó)內(nèi)25Gb/s PIN接近開發(fā)成功，25Gb/s APD還不成熟。研究機(jī)構(gòu)有北京郵電大學(xué)，中科院物理所，中科院微系統(tǒng)所，中科院半導(dǎo)體所，清華大學(xué)、南京大學(xué)等。國(guó)內(nèi)部分技術(shù)領(lǐng)先的光模塊制造商已在這個(gè)器件上進(jìn)行技術(shù)布局，有待市場(chǎng)驗(yàn)證。

（3）硅基光電子集成芯片及硅基集成有源光子器件

硅基光電子集成芯片主要由硅基光電子器件和微電子器件兩大部分組成。硅基光電子器件分為無源器件和有源器件。其中無源器件包括：波導(dǎo)及耦合器件、振蕩器、濾波器、復(fù)用器和解復(fù)用器等。有源器件包括：硅基光源、探測(cè)器、調(diào)制器和放大器等。硅基光子集成芯片制備工藝相對(duì)成熟，但受限于材料性質(zhì)，目前尚難以實(shí)現(xiàn)硅基有源（發(fā)光）器件。

近十年來，硅基光電子集成的關(guān)鍵材料和器件研究引起了科學(xué)界（如美國(guó)麻省理工學(xué)院、哈佛大學(xué)、加州大學(xué)）和工業(yè)界（如英特爾、IBM、意法半導(dǎo)體）的廣泛關(guān)注，僅英特爾公司對(duì)硅基光電子的研發(fā)投入就高達(dá)數(shù)十億美元。2015年IBM宣布已成功研制出實(shí)用化的硅基光學(xué)芯片，將一個(gè)硅基光集成芯片封裝到了與CPU大小相同的尺寸中，這無疑將硅基光子技術(shù)提升到了更高的層次。此外，英特爾和加州大學(xué)圣巴巴拉團(tuán)隊(duì)于2016年末實(shí)現(xiàn)了100G硅基光收發(fā)器的產(chǎn)品研發(fā)，目前已進(jìn)入服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)。

我國(guó)在硅基集成芯片的研發(fā)領(lǐng)域緊跟世界發(fā)展，在單一硅光器件如片上光源、光調(diào)制器、探測(cè)器以及無源硅光集成芯片如光開關(guān)等領(lǐng)域均有突破性研究成果發(fā)表。硅基有源光子器件方面，中科院物理研究所研究團(tuán)隊(duì)通過硅基圖形襯底上III-V族混合集成的外延生長(zhǎng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量的硅基片上光源（閾值電流小于190mA、連續(xù)激射溫度高于65°C），完成了中國(guó)硅基可集成激光器零的突破。

綜上所述，未來期望通過硅基可集成光源、高速調(diào)制器和高響應(yīng)探測(cè)器的研發(fā)，全面推動(dòng)硅基光電子集成芯片的迅速發(fā)展。

三 我國(guó)光電子產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀

十三五期間，隨著大數(shù)據(jù)、云計(jì)算、第5代移動(dòng)通信、物聯(lián)網(wǎng)以及人工智能等應(yīng)用市場(chǎng)快速發(fā)展，汽車、能源、通信等垂直行業(yè)對(duì)光電子產(chǎn)品與服務(wù)的需求也必將進(jìn)一步擴(kuò)大，行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)保持快速的增長(zhǎng)，2017年行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)8028億美元，行業(yè)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到10.8%，2018年行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模可達(dá)8831億美元。預(yù)計(jì)2024年行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將突破萬億，達(dá)到10781億元。

01 光通信應(yīng)用領(lǐng)域（通信、大數(shù)據(jù)計(jì)算）

受益于我國(guó)通信網(wǎng)絡(luò)的全面推進(jìn)建設(shè)，我國(guó)光通信器件市場(chǎng)規(guī)模保持著快速的增長(zhǎng)趨勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，2012年，我國(guó)光通信器件市場(chǎng)規(guī)模為100億美元，2017年行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為203億美元，復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到15.2%，在全球光通信器件市場(chǎng)規(guī)模占比接近30%。

       但我國(guó)光通信領(lǐng)域企業(yè)整體實(shí)力仍然偏弱，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)不夠合理，大部分企業(yè)徘徊在中低端領(lǐng)域，同質(zhì)化嚴(yán)重，主要依靠?jī)r(jià)格優(yōu)勢(shì)維持生存。以光傳輸領(lǐng)域?yàn)槔?，?guó)內(nèi)三大系統(tǒng)設(shè)備商（華為、中興和烽火）在光傳送設(shè)備領(lǐng)域的國(guó)際市場(chǎng)份額的占比已經(jīng)超過50%；在光接入設(shè)備領(lǐng)域，占比更是超過70%，但是在10G以上速率的有源光器件、100G光模塊等高速產(chǎn)品方面，核心技術(shù)缺失，供給能力上接近為“零”?？傮w上上游材料和芯片的薄弱導(dǎo)致相應(yīng)的光器件、組件及模塊發(fā)展受到制約，不僅高端產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，甚至部分中低端產(chǎn)品亦無法實(shí)現(xiàn)完全國(guó)產(chǎn)化，采購(gòu)渠道受日、美等發(fā)達(dá)國(guó)家控制。

02 光傳感領(lǐng)域（人工智能、智能駕駛、無人機(jī)）

根據(jù)中國(guó)電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)信息中心的數(shù)據(jù)，2016年，全球光傳感器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1370億元。中國(guó)光傳感器市場(chǎng)規(guī)模達(dá)778億元，約占全球市場(chǎng)規(guī)模的57%。近年來，在智慧城市、物聯(lián)網(wǎng)、智能移動(dòng)終端、智能制造、機(jī)器人、智能電網(wǎng)等下游應(yīng)用市場(chǎng)的推動(dòng)下，中國(guó)光電傳感器市場(chǎng)快速成長(zhǎng)，成為拉動(dòng)全球光傳感器市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要力量。

       預(yù)計(jì)到2022年，全球光傳感器市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)至1836億元，2016-2022年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)5%，中國(guó)光傳感器市場(chǎng)規(guī)模將成長(zhǎng)至1180億元，2016-2022年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)7%。盡管未來中國(guó)光傳感器市場(chǎng)的增速可觀，但目前我國(guó)光傳感器行業(yè)的現(xiàn)狀主要是企業(yè)規(guī)模偏小、產(chǎn)品檔次低、市場(chǎng)份額低。