閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
市場研究

低成本高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝材料

rongpuiwing 來源:激光制造商情2019-12-30 我要評(píng)論(0 )   

供稿/秦占陽(廣東粵港澳大灣區(qū)硬科技創(chuàng)新研究院)隨著高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝技術(shù)朝多芯片組和表面貼裝技術(shù)發(fā)展,現(xiàn)有的封

供稿/秦占陽(廣東粵港澳大灣區(qū)硬科技創(chuàng)新研究院)


隨著高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝技術(shù)朝多芯片組和表面貼裝技術(shù)發(fā)展,現(xiàn)有的封裝材料已經(jīng)不能滿足日益發(fā)展的激光器封裝襯底需求,需要高導(dǎo)熱率,熱膨脹系數(shù)與SI或GaAs芯片匹配的封裝襯底,避免芯片熱應(yīng)力損傷,要有足夠的輕度,目前已投入使用的陶瓷封裝材料有AL2O3,ALN、BeO、SiC等,相比之下,性能更優(yōu)異的金屬復(fù)合材料能很好的解決高功率、高亮度激光器的封裝問題,例如CUW,金剛石銅等,開發(fā)更好的封裝襯底材料顯得尤為重要。


目前封裝工藝主要是用焊料片和襯底焊接芯片,容易造成焊料溢出,空洞等問題,導(dǎo)致激光器由于焊接不良失效;表面功能薄膜技術(shù)解決芯片與襯底的焊接問題,降低了封裝難度,提高激光器的電光轉(zhuǎn)換效率,從而提高激光器的成品率和可靠性。


常見的高功率激光器封裝中的submount/heat spreader是芯片下面重要的封裝材料(圖1 高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝結(jié)構(gòu))。一般對(duì)于submount/heat spreader 來說,典型的尺寸大小為11x2x0.3除卻其表面的粗糙度要求一般小于0.05微米,平行度小于5微米。而最難的還是緊挨芯片發(fā)光面的棱邊R小于1微米,且棱邊上不能有任何凸起(圖2 金錫膜層銅鎢)。眾所周知,一般散熱材料一般為銅、cuw等軟質(zhì)材料,這個(gè)看起來簡單的材料不是一般的精密加工技術(shù)所能解決,目前中科源升團(tuán)隊(duì)對(duì)此已有相應(yīng)的超精密加工方案來解決,但后續(xù)還需要提升效率。

圖1:高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝結(jié)構(gòu)



圖2:金錫膜層銅鎢


由于現(xiàn)在電子系統(tǒng)集成度越來越高,隨之帶來的就是電子封裝中出現(xiàn)的熱匹配、熱應(yīng)力、熱疲勞、熱失效等問題。對(duì)此,中科源升技術(shù)團(tuán)隊(duì)有相應(yīng)成熟的熱管理技術(shù)解決方案。由于各種電子材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)不同(圖3 材料特性參數(shù)),從而根據(jù)數(shù)值分析仿真根據(jù)客戶的應(yīng)用定制不同的復(fù)合功能膜層,以滿足高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝的需求。

圖3:材料特性參數(shù)


高功率半導(dǎo)體激光器封裝材料制備主要有三大核心技術(shù):材料設(shè)計(jì)、制備工藝技術(shù)和表面功能覆膜技術(shù)。材料設(shè)計(jì)主要對(duì)封裝材料的組份、形狀、摻雜濃度和厚度等關(guān)鍵尺寸參數(shù)進(jìn)行綜合設(shè)計(jì),精細(xì)化封裝材料制備工藝是確保材料特性,從而保證激光器性能的關(guān)鍵工藝的不穩(wěn)定性以及工藝中引入的雜質(zhì)和缺陷是制約影響高功率器件性能的主要因素。制備工藝技術(shù)主要是開發(fā)精細(xì)化、與芯片匹配的熱膨脹系數(shù)、高的熱導(dǎo)率的材料加工工藝技術(shù)。開發(fā)銅鎢、鉬銅、碳化硅和金剛石銅的加工工藝。加工工藝主要包括毛料開粗加工、分片加工、鏡面加工等工藝技術(shù),制備出成品率高、缺陷少的高功率器件封裝材料。封裝材料表面功能覆膜技術(shù)主要對(duì)封裝材料的表面金屬膜層進(jìn)行綜合設(shè)計(jì)和工藝研究,主要目的是解決激光芯片的焊接空洞和激光器散熱問題,實(shí)現(xiàn)器件高的電光轉(zhuǎn)換效率。高的電光轉(zhuǎn)換效率可以有效減少有源區(qū)產(chǎn)生的廢熱,提高器件高功率工作時(shí)的壽命和可靠性。


長期以來國內(nèi)高功率半導(dǎo)體器件企業(yè)封裝材料都依賴于國外進(jìn)口,這樣一來導(dǎo)致產(chǎn)品成本居高不下,近2年間國內(nèi)已經(jīng)涌現(xiàn)出幾家可以做到與國外封裝材料同等質(zhì)量而且價(jià)格低的本土企業(yè)。西安中科源升機(jī)電科技有限公司自2017年3月成立以來,依托西安光學(xué)精密機(jī)械研究所專業(yè)的技術(shù)及管理團(tuán)隊(duì),致力于高功率半導(dǎo)體激光器器件封裝材料的研究,目前已經(jīng)開發(fā)出幾十種不同規(guī)格的封裝熱沉材料,已經(jīng)取得了國內(nèi)幾家高功率半導(dǎo)體激光器器件企業(yè)的認(rèn)可。


現(xiàn)代電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展,電子產(chǎn)品向小型化、便攜化、多功能化方向發(fā)展。電子封裝材料和技術(shù)使電子器件最終成為有功能的產(chǎn)品。現(xiàn)已研發(fā)出多種新型封裝材料、技術(shù)和工藝。電子封裝正在與電子設(shè)計(jì)和制造一起,共同推動(dòng)著信息化社會(huì)的發(fā)展。在軍事、航空航天和高端民用電子器件等領(lǐng)域,未來的金屬基封裝材 料將朝著高性能、低成本、低密度和集成化的方向發(fā)展.輕質(zhì)、高導(dǎo)熱和 CTE匹配的CUW、SiAl、SiC、Al合金將有很好的前景。


轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

高功率半導(dǎo)體激光器
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點(diǎn)評(píng)
0相關(guān)評(píng)論
精彩導(dǎo)讀