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長光華芯科創(chuàng)板IPO獲受理 募資13.48億元投建激光芯片等項目

來源:愛集微APP2021-06-25 我要評論(0 )   

6月24日,上交所正式受理了蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(以下簡稱:長光華芯)科創(chuàng)板上市申請。長光華芯聚焦半導體激光行業(yè),始終專注于半導體激光芯片、器件及模...

6月24日,上交所正式受理了蘇州長光華芯光電技術股份有限公司(以下簡稱:長光華芯)科創(chuàng)板上市申請。



長光華芯聚焦半導體激光行業(yè),始終專注于半導體激光芯片、器件及模塊等激光 行業(yè)核心元器件的研發(fā)、制造及銷售,緊跟下游市場發(fā)展趨勢,不斷創(chuàng)新生產工 藝,布局產品線,已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構 成的四大類、多系列產品矩陣,為半導體激光行業(yè)的垂直產業(yè)鏈公司,主要產品 包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率 VCSEL 系列產品及光 通信芯片系列產品等。



目前,長光華芯產品可廣泛應用于光纖激光器、固體激光器及超快 激光器等光泵浦激光器泵浦源、激光智能制造裝備、國家戰(zhàn)略高技術、科學研究、 醫(yī)學美容、激光雷達、3D 傳感、人工智能、高速光通信等領域,逐步實現(xiàn)了半 導體激光芯片的國產化及進口替代。



客戶集中度較高



2018-2020年,長光華芯實現(xiàn)營業(yè)收入分別為9243.44萬元、13851.01萬元、24717.86萬元,對應的凈利潤分別為-1438.57萬元、-12889.02萬元、5.39萬元??梢钥闯銎錉I收呈現(xiàn)逐年增長的態(tài)勢,但凈利潤卻陷入虧損狀態(tài)。



長光華芯稱,凈利潤為負主要是由于公司目前仍處于快速成長階段,業(yè)績規(guī)模相對較小,業(yè)務利潤不足以覆蓋以研發(fā)費用為主的期間費用所致。若公司未能進一步拓展業(yè)績規(guī)模,或產品下游應用領域需求發(fā)生重大不利變化,將可能導致公司收入無法按計劃增長,無法及時扭虧為盈,有可能造成公司現(xiàn)金流緊張,對公司市場拓展、人才吸引、團隊穩(wěn)定性、研發(fā)投入、戰(zhàn)略性投入等方面造成不利影響。預計首次公開發(fā)行股票并上市后,公司短期內無法進行現(xiàn)金分紅,將對股東的投資收益造成一定程度的不利影響。



由于長光華芯產品主要應用于國內工業(yè)激光器領域,下游行業(yè)集中度較高,并且公司產能有限,大部分產能被用于滿足下游主要客戶的訂單需求。受此影響,長光華芯來自主要客戶的收入較為集中。2018-2020年,公司來自前五大客戶的銷售收入占營業(yè)收入的比例分別為 86.36%、81.74%和 78.90%,主要客戶包括飛博激光、創(chuàng)鑫激光、銳科激光、大族激光、光惠激光等知名激光器廠商,以及客戶A2、客戶B等科研機構。



其稱,若公司因產品和服務質量不符合主要客戶要求導致雙方合作關系發(fā)生重大不利變化,或主要客戶未來因經營狀況惡化導致對公司的直接訂單需求大幅下滑,將可能對公司的經營業(yè)績產生重大不利影響。



另外,報告期各期末,長光華芯存貨賬面價值分別為3,948.40萬元、7,041.71萬元及9,905.94萬元,呈現(xiàn)逐年增加趨勢。值得注意的是,受產業(yè)鏈整體價格下降以及國內外廠商的競爭策略影響,長光華芯主要產品價格呈下滑趨勢。



2018-2020年,長光華芯單管芯片產品價格分別為42.44元/顆、31.95元/顆和18.95元/顆,光纖耦合模塊產品價格分別為3,511.26元/個、3,176.64元/個和2,758.52元/個,價格呈下降趨勢。若未來產品價格持續(xù)下降,而其未能采取有效措施,鞏固和增強產品的綜合競爭力、降低產品生產成本,長光華芯可能難以有效應對產品價格下降的風險,導致利潤率水平有所降低。



募資13.48億元投建激光芯片等項目



招股書顯示,長光華芯此次IPO擬募資13.48億元,投建于“高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充項目”、“垂直腔面發(fā)射半導體激光器(VCSEL)及光通信激光芯片產業(yè)化項目”及“研發(fā)中心建設項目”。


長光華芯表示,高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充項目主要是為了擴大高功率半導體激光芯片系列產品的生產,產能擴充能夠提高公司經營規(guī)模,是對公司現(xiàn)有業(yè)務的合理延伸和拓展。


而垂直腔面發(fā)射半導體 激光器(VCSEL)及光通信激光芯片產業(yè)化項目主要通過對生產基地的建設及配套設備的購置,研發(fā)并生產垂直腔面發(fā)射半導體激光芯片及光通信激光芯片系列產品,擴大公司在消費電子、激光雷達及光通信領域的激光芯片輸出。


另外,研發(fā)中心建設項目旨在對半導體激光芯片及高效泵浦技術、高能固體激光泵浦源技術、光纖耦合半導體激光器泵浦源模塊技術和大功率高可靠性半導體激光器封裝技術等激光領域前沿技術進行研究。該項目基于公司現(xiàn)有業(yè)務及未來發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃,對激光領域前沿技術進行深度研究,研發(fā)高功率半導體激光芯片產品并優(yōu)化其生產工藝,是在現(xiàn)有技術基礎上,順應行業(yè)技術發(fā)展趨勢進行的前瞻性研究儲備,項目建設與公司主營業(yè)務高度相關,是公司主營業(yè)務發(fā)展的必要措施和重要保障。


關于戰(zhàn)略規(guī)劃,長光華芯稱,公司未來將繼續(xù)專注于半導體激光行業(yè),秉承“一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發(fā)展戰(zhàn)略?!耙黄脚_”是指以公司與蘇州高新區(qū)政府共建的蘇州半導體激光創(chuàng)新研究院為平臺,吸引全球頂尖人才,聚集內外部創(chuàng)新資源,圍繞半導體激光芯片及應用,打造可持續(xù)領先的研發(fā)能力和新方向拓展能力;“一支點”是指公司已具備高功率半導體激光芯片的核心技術及全流程制造工藝,持續(xù)進行研發(fā)投入,保持核心技術競爭力,提升經營規(guī)模。


“橫向擴展”是指依托在高功率半導體激光芯片的研發(fā)、技術及產業(yè)化的“支點”優(yōu)勢,從高功率半導體激光芯片擴展至VCSEL芯片及光通信芯片,將產品應用領域拓展至消費電子、激光雷達等;縱向延伸是指為更好貼近客戶、滿足客戶需求及適應眾多激光應用,結合公司高功率半導體激光芯片的優(yōu)勢,縱向延伸至激光器件、模塊及直接半導體激光器。結合公司在激光芯片、器件及模塊、VCSEL、光通信芯片等橫向、縱向產業(yè)布局形成的綜合服務能力,不斷提升公司在國內及國際市場的競爭力。

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