專注于半導體激光領域的初創(chuàng)公司晶飛半導體成功完成了數千萬元的天使輪融資。本次融資由無限基金SEE Fund領投，德聯資本和中科神光跟投。
本輪融資主要用于公司的技術研發(fā)、市場拓展以及團隊建設。這一投資將進一步加速晶飛在半導體領域的創(chuàng)新步伐，為推動公司技術和產品的不斷升級提供了有力支持。
德聯資本康乾熙表示：新能源革命的大背景下，碳化硅功率器件市場潛力巨大，但成本是制約其滲透率的關鍵因素。在器件層面，碳化硅襯底成本占比高達47%，且由于其材料物理特性，在切片環(huán)節(jié)中近一半的材質被無謂損耗；激光剝片這一新技術的出現可以顯著降低襯底成本，是推動碳化硅器件滲透的重要手段。晶飛團隊具有豐富的激光加工經驗，在激光器和激光物質底層理論研究方面具有較強的技術積累，在激光剝片工藝層面也有多年的經驗沉積。憑借團隊極強的技術攻關能力，公司已獲國內多家頭部碳化硅襯底廠認可，有望在切片設備領域完成工藝迭代，成為領先的供應商，為新能源革命做出積極貢獻。創(chuàng)新引入激光垂直剝離技術
貢獻行業(yè)降本新選項
半導體材料是半導體產業(yè)鏈發(fā)展的基石，21世紀初至今，第三代半導體材料顯示出了優(yōu)于傳統硅基材料的特性，其中又以碳化硅為代表的第三代半導體材料功率器件逐漸進入產業(yè)化加速放量階段，市場景氣度持續(xù)提升。這是由于碳化硅具有大帶隙、大載流子漂移速率和大熱導率這三大特性，做成的器件有高功率密度、高頻率、高溫和高電壓這“四高”性能，因此是高壓功率器件的演進方向，在新能源汽車、光伏、軌道交通等各類場景下擁有廣泛的使用前景。在這一背景下，晶飛半導體的創(chuàng)業(yè)契機正源于對中國半導體產業(yè)發(fā)展的深刻理解以及對第三代半導體材料加工中存在問題的洞察。制約碳化硅在功率器件滲透率的核心要素便是成本，從成本結構來看，襯底成本占比在SiC器件中高達47%，傳統硅基器件僅有7%；因此碳化硅襯底降本是實現SiC快速滲透的重要途徑。當前，第三代半導體材料如碳化硅、氮化鎵等在硬度和脆性方面存在挑戰(zhàn)，而傳統金剛線切割方法在生產晶圓時導致切割損耗嚴重、切割速度慢等問題，從而推高了晶圓的價格。
傳統線切VS激光剝離（數據來源：elektroniknet.de)晶飛半導體成立的契機在于致力于解決這些難題。通過引入激光垂直剝離技術，公司能夠實現對第三代半導體材料的高效、精準剝離，相對于傳統金剛線切割工藝，不僅提高了加工速度，還減少了損耗，降低了生產成本。此技術創(chuàng)新為中國半導體產業(yè)帶來了新的可能性，使得高質量、低成本的第三代半導體材料的生產變得更為可行。自主研發(fā) 國內首創(chuàng)
“打磨”出更高效解決方案
晶飛專注于激光垂直剝離技術研究，旨在實現對第三代半導體材料的精準剝離，以有效降低碳化硅襯底的生產成本。在6英寸和8英寸碳化硅襯底激光垂直剝離技術的研發(fā)方面，公司近5年連續(xù)獲得“北京市科技計劃項目”支持，并正與國內頭部的襯底企業(yè)展開合作工藝開發(fā)。公司的技術源自中科院半導體所的科技成果轉化，創(chuàng)始團隊深耕于激光精細微加工領域，利用超快激光技術，為各種超薄、超硬、脆性材料提供激光解決方案，積極推動激光精細加工在制造業(yè)的國產化和傳統工藝替代。公司目前研發(fā)人員占比80%， 其中40%以上的人員具備博士學位，通過將高度多元化的專業(yè)團隊——包括機械、電氣、軟件和光學專業(yè)融合在一起，致力于技術創(chuàng)新。相較于傳統金剛線切割工藝，激光垂直剝離技術可完成高效、精準的材料剝離，同時減少了碳化硅晶圓的損傷，從而解決了加工速度低、損耗大、成本高等問題。從具體數據提升上來看，激光垂直剝離相比于金剛線剝離優(yōu)點在于：金剛線剝離的線損為200μm，研磨和拋光的損失為100μm；激光垂直剝離晶圓的線損為0，脈沖激光在晶錠內部形成爆破層，在分離后由于裂紋延伸的存在，在后續(xù)拋光加工后材料損失可控制在80~100μm。相比于金剛線剝離損失的1/3，這大大節(jié)約了剝離損失；對于厚度為 2 cm的晶錠，使用金剛線切割晶圓產出量約為 30 片，然而采用激光剝離技術晶圓產出量約為 45 片，增加了約 50 %。目前，晶飛的第一代樣機已完成組裝與調試，正在與頭部企業(yè)客戶進行合作驗證和工藝開發(fā)，加之團隊此前已經做了大量的知識產權儲備，使公司能夠在多個領域提供創(chuàng)新解決方案，通過與客戶的緊密合作以確保他們夠充分利用公司的設備和技術，讓公司的創(chuàng)新成果在半導體材料加工中具有巨大潛力，為客戶提供更高效、更精確的加工解決方案。適應下游迭代趨勢
為系統變革帶來更多創(chuàng)新性的可能
業(yè)內人士表示，晶飛的升級發(fā)展將對整個行業(yè)起到持續(xù)的推動作用。過去碳化硅襯底受制于成本，行業(yè)的滲透一直存在挑戰(zhàn)，而通過在切片加工新技術的部署，可以大幅降低碳化硅襯底成本從而完成下游，如新能源汽車、軌道交通、光伏等行業(yè)的進一步滲透，降低損耗，推動未來能源系統變革。
值得關注的是，當前國內主流碳化硅襯底企業(yè)主要生產6英寸晶圓，許多頭部企業(yè)和研究機構已完成8英寸晶圓開發(fā)并推進量產進程。未來8英寸襯底替代6英寸襯底的演進方向同樣決定線切方式存在極大挑戰(zhàn)，晶飛的激光垂直剝離技術將迎來更剛性的需求增長，加快滲透步伐。從另一個角度來看，晶飛的激光垂直剝離設備不受碳化硅晶錠尺寸限制，能夠為碳化硅襯底企業(yè)提供更靈活的晶圓切片解決方案，從而顯著提高切片效率和晶圓產出率。這一技術優(yōu)勢為碳化硅晶圓的制造提供了更高度的可定制性和效率優(yōu)勢，為行業(yè)的晶圓生產帶來了創(chuàng)新的可能性。
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