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市場研究

深紫外激光器技術(shù)及產(chǎn)業(yè)趨勢

來源:未來芯研究 辛路2024-03-12 我要評論(0 )   

近年來,隨著深紫外LED技術(shù)的發(fā)展,目前深紫外的光電轉(zhuǎn)換效率還偏低,在5-10%之間。在深紫外LED已有研究的的基礎(chǔ)上,深紫外激光器也越來越被關(guān)注和研究,本文介紹一篇波...

近年來,隨著深紫外LED技術(shù)的發(fā)展,目前深紫外的光電轉(zhuǎn)換效率還偏低,在5-10%之間。在深紫外LED已有研究的的基礎(chǔ)上,深紫外激光器也越來越被關(guān)注和研究,本文介紹一篇波長298.1nm的深紫外激光器材料生長及制備過程。

1.外延結(jié)構(gòu)

深紫外器件的外延結(jié)構(gòu)如下,其中在藍(lán)寶石襯底上生長周期性的AlN納米柱,納米柱排列為三角形圖案,納米柱高度300 nm,間距1 um,寬度400 nm,然后在此上面生長AlGaN材料。

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為了避免在激光剝離(LLO)過程中激光束穿透到活性層和其他層所造成的損傷,將170 nm厚的u-Al0.50Ga0.40N層作為激光束吸收層插入到結(jié)構(gòu)中。

2.芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

該芯片結(jié)構(gòu)的n電極和p電極分別在兩側(cè),為垂直結(jié)構(gòu)。

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SEM圖如下:

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下圖中的巴條具有腔長1200μm和p電極孔徑5μm。

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3.器件表征
以下對器件的發(fā)射光譜、I-V曲線、I-L電流功率曲線以及偏振特性等進(jìn)行說明。
(1)發(fā)射光譜-不同電流密度下的發(fā)射光譜
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以上圖有多個(gè)峰,可以通過腔面控制技術(shù),實(shí)現(xiàn)光場調(diào)控。
(2)I-V以及I-L曲線
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如圖所示,閾值電流和相應(yīng)的閾值電流密度分別為1.4 A和24kAcm?2。
(2)極化特性-偏振特性
從器件與偏振器的相關(guān)性推斷出的TE與TM偏振的比值超過兩個(gè)數(shù)量級,表明這種發(fā)射是強(qiáng)TE極化的。

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4.小結(jié)

半導(dǎo)體短波激光器領(lǐng)域已經(jīng)進(jìn)入發(fā)展期,如450nm的藍(lán)光激光器,從上游的GaN體材料襯底到外延生長再到器件制備,國內(nèi)均有產(chǎn)業(yè)化布局并在促進(jìn)技術(shù)進(jìn)步及成本降低,對于更短波長的深紫外激光器,需要AlN體材料以及缺陷密度的控制等。
短波激光器行業(yè)已經(jīng)走來,從藍(lán)光激光器到深紫外激光器,我們還有很多的工作要做,同時(shí)更要打通從襯底材料、外延結(jié)構(gòu)、芯片設(shè)計(jì)以及器件產(chǎn)品的有效反饋機(jī)制,只有這樣才能不斷的推進(jìn)該領(lǐng)域的發(fā)展和進(jìn)步,也才能真正實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)芯片的發(fā)展,解決卡脖子等問題。END


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深紫外激光器激光技術(shù)
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