真空鍍膜主要利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶材(target)表面, 靶材的原子被彈出而堆積在基板表面形成薄膜。濺鍍薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜來(lái)的好,但是鍍膜速度卻比蒸鍍慢很多。新型的濺鍍?cè)O(shè)備幾乎都使用強(qiáng)力磁鐵將電子成螺旋狀運(yùn)動(dòng)以加速靶材周?chē)臍鍤怆x子化, 造成靶與氬氣離子間的撞擊機(jī)率增加, 提高濺鍍速率。一般金屬鍍膜大都采用直流濺鍍,而不導(dǎo)電的陶磁材料則使用RF交流濺鍍,基本的原理是在真空中利用輝光放電(glow discharge)將氬氣(Ar)離子撞擊靶(target)表面，電漿中的陽(yáng)離子會(huì)加速?zèng)_向作為被濺鍍材的負(fù)電極表面，這個(gè)沖擊將使靶材的物質(zhì)飛出而沉積在基板上形成薄膜。一般來(lái)說(shuō)，利用濺鍍制程進(jìn)行薄膜披覆有幾項(xiàng)特點(diǎn)：

(1)金屬、合金或絕緣物均可做成薄膜材料。

(2)再適當(dāng)?shù)脑O(shè)定條件下可將多元復(fù)雜的靶材制作出同一組成的薄膜。

(3)利用放電氣氛中加入氧或其它的活性氣體，可以制作靶材物質(zhì)與氣體分子的混合物或化合物。

(4)靶材輸入電流及濺射時(shí)間可以控制，容易得到高精度的膜厚。

(5)較其它制程利于生產(chǎn)大面積的均一薄膜。

(6)濺射粒子幾不受重力影響，靶材與基板位置可自由安排。

(7)基板與膜的附著強(qiáng)度是一般蒸鍍膜的10倍以上，且由于濺射粒子帶有高能量，在成膜面會(huì)繼續(xù)表面擴(kuò)散而得到硬且致密的薄膜，同時(shí)此高能量使基板只要較低的溫度即可得到結(jié)晶膜。

(8)薄膜形成初期成核密度高，可生產(chǎn)10nm以下的極薄連續(xù)膜。

(9)靶材的壽命長(zhǎng)，可長(zhǎng)時(shí)間自動(dòng)化連續(xù)生產(chǎn)。

(10)靶材可制作成各種形狀，配合機(jī)臺(tái)的特殊設(shè)計(jì)做更好的控制及最有效率的生產(chǎn)。