來自中國光學期刊網(wǎng)消息：Cymer公司推出了專為ASML光刻掃描儀配置的40W極紫外（EUV）光源，工作周期高達每小時刻蝕30張硅晶片，工作功率提高到55W時，性能更為優(yōu)異。
 
      2月底，這家總部位于圣地亞哥市的公司在SPIE先進光刻技術(shù)展覽會（美國加利福尼亞州圣何塞市）上展示了其最新研究成果。展覽會上，Cymer公司詳細介紹了這套EUV光源的研發(fā)工作。例如，模擬結(jié)果表明，多個晶圓批次的芯片成品率超過了99.7%；該光源可以±0.2%的輸出劑量穩(wěn)定性連續(xù)工作超過6個小時，滿足商業(yè)掃描儀的要求。公司還宣稱，該光源的功率可在一個小時內(nèi)逐步提高到55W，模擬的芯片成品率為97.5%。公司計劃穩(wěn)步提高EUV光源的功率，使其達到60W，并保持當前的工作周期和輸出劑量穩(wěn)定性。目前，Cymer公司正在與ASML公司洽談收購事宜。
 
      今年，ASML公司將幫助芯片制造商升級現(xiàn)有光源，使其到2014年中期具備每小時刻蝕70張晶圓的能力。要到達這一目標，輸出功率必須達到105W，而ASML掃描儀在升級之前，最初預計可提供80W的光源。
 
      現(xiàn)在，三臺正在接受測試的EUV光源都配有主振蕩器功率放大器（MOPA）升級和 “預脈沖”系統(tǒng)，可在超高功率CO2激光器轟擊光源內(nèi)的錫液滴靶丸之前將其尺寸擴大。
 
      擴大后的靶丸物理上可與激光更好地進行匹配，當錫被轟擊時，光源腔就能產(chǎn)生EUV輻射；接著，反射光學系統(tǒng)直接將光射向需要刻蝕的硅晶圓。眾所周知，使用預脈沖可提高整體的EUV光產(chǎn)生效率，經(jīng)濟效益更高。
 
      就EUV光刻的經(jīng)濟效益而言，如何保護光學薄膜免受光源等離子體腔中產(chǎn)生的碎片影響，是另一個關(guān)鍵要求。Cymer公司宣稱，他們已經(jīng)證實，所開發(fā)的60W光源發(fā)射出40億個EUV脈沖后，沒有出現(xiàn)任何早期損害機制的跡象。
 
      距離Cymer公司競爭對手Gigaphoton公司開發(fā)出一種類似“預脈沖”的方式，已經(jīng)有一段時間。上個月，Gigaphoton宣稱，其開發(fā)的光源已經(jīng)能夠?qū)崿F(xiàn)20W的峰值功率輸出。現(xiàn)在，雖然Cymer公司被公認處于EUV光源發(fā)展的前沿，但是ASML公司預計在未來的幾年里EUV光刻工具的出貨量是適度的（剛剛超過10臺），2015年之后其出貨量將大幅上升。
 
      針對EUV，Cymer公司的目標是趕超ArF準分子激光器的功率增長速度。在半導體行業(yè)當前這一代光刻掃描儀的光源中，ArF準分子激光器占據(jù)主導地位。Cymer公司生產(chǎn)的準分子激光器從1W的光源開始做起，目前其最新一代產(chǎn)品的功率可達120W——Gigaphoton公司所達到的功率水平。