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激光芯片

英特爾7nm工藝細節(jié)曝光:晶體管密度翻倍

來源:天極網(wǎng)2019-07-24 我要評論(0 )   

從2015年推出第一代14nm工藝之后,英特爾在最近的4年時間里不斷打磨14nm,推出14nm+、14nm++等工藝。雖然第一代10nnm工藝的Ice L

從2015年推出第一代14nm工藝之后,英特爾在最近的4年時間里不斷打磨14nm,推出14nm+、14nm++等工藝。雖然第一代10nnm工藝的Ice Lake處理器已經(jīng)在6月開始出貨,但工藝數(shù)字已經(jīng)落后臺積電、三星等公司。


在2019年5月份的投資會議上,英特爾公布新一代制程工藝路線圖,14nm工藝(對標臺積電10nm)會繼續(xù)充實產(chǎn)能,10nm工藝(對標臺積電7nm)消費級產(chǎn)品將在年底開始大規(guī)模出貨,服務(wù)器端也計劃在2020年上半年推出。


韓國媒體日前曝光了英特爾內(nèi)部資料,詳細介紹7nm工藝以及處理器架構(gòu)、傲騰、安全等方面的進展。英特爾7nm工藝是其首次使用EUV極紫外光刻工藝,有助于提升工藝微縮。對標臺積電5nm工藝的產(chǎn)品,則是英特爾預(yù)計于2021年量產(chǎn)的7nm工藝,首發(fā)產(chǎn)品將是英特爾全新Xe架構(gòu)的GPU加速卡,CPU最快會在2022年推遲。


與10nm工藝相比,英特爾7nm實現(xiàn)晶體管密度翻倍,每瓦性能提升20%,設(shè)計復(fù)雜度降低4倍。這是英特爾首次公布7nm工藝的具體細節(jié),晶體管密度翻倍在意料之中,但每瓦性能提升20%比預(yù)期低,也間接說明英特爾在10nm之后也遭遇到瓶頸。另外,英特爾沒有提及能耗,但作為對比的10nm工藝,比14nm降低60%的能耗或提升25%的性能。


英特爾現(xiàn)階段的服務(wù)器處理器采用14nm工藝的Cascade Lake,主要增加DL Boost指令集加速AI性能;10nm工藝的Ice Lake則采用Sunny Cove新底層架構(gòu),可實現(xiàn)3x倍無線速度、2倍視頻轉(zhuǎn)碼速度、2倍圖形性能、3倍AI性能這些也是之前說過的了。Ice Lake處理器增加GFNI、SGX、PCFONFIG等指令;下一代的Tiger Lake會支持CET增強指令,Atom處理器中的下代Tremont架構(gòu)也會增加SGX、GFNI等指令集。


英特爾在上半年推出傲騰H10,整合傲騰內(nèi)存及QLC閃存,英特爾還計劃在9月份推出傲騰M10/M15新品,但新一代傲騰內(nèi)存的具體規(guī)格目前尚無消息。

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