閱讀 | 訂閱
閱讀 | 訂閱
核心器件

舊晶體,新突破:深紫外激光性能的飛躍

來源:海松光電科技2025-06-02 我要評(píng)論(0 )   

深紫外(DUV)相干光源在光刻、缺陷檢測(cè)、計(jì)量學(xué)和光譜學(xué)等諸多領(lǐng)域具有極其重要的應(yīng)用價(jià)值。傳統(tǒng)193nm氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子高功率激光一直是光刻領(lǐng)域構(gòu)成高精度圖案化系...

深紫外(DUV)相干光源在光刻、缺陷檢測(cè)、計(jì)量學(xué)和光譜學(xué)等諸多領(lǐng)域具有極其重要的應(yīng)用價(jià)值。傳統(tǒng)193nm氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子高功率激光一直是光刻領(lǐng)域構(gòu)成高精度圖案化系統(tǒng)的核心部分。

 

然而,由于其原理固有的較低相干性(多模振蕩導(dǎo)致較大的M^2值以及10-100GHz的較寬譜寬),在一定程度上也限制了其在諸如干涉光刻等需要高分辨率圖案的應(yīng)用。

 

為實(shí)現(xiàn)干涉所需的相干長度,193nm種子激光的線寬必須被嚴(yán)格控制在4GHz以下,而固態(tài)激光器能夠輕松滿足這一要求。

 

“混合ArF準(zhǔn)分子激光器”的概念應(yīng)運(yùn)而生。通過用窄線寬的193nm固態(tài)種子激光器取代ArF激光振蕩器,沿用用于功率增強(qiáng)的ArF準(zhǔn)分子放大器。這一創(chuàng)新技術(shù)顯著提升了激光相干性和線寬穩(wěn)定性,優(yōu)化了高通量干涉光刻的性能,提高了圖案的精度以及光刻的速度。

 

 

193nm深紫外激光由級(jí)聯(lián)LBO晶體產(chǎn)生。

 

此外,混合ArF準(zhǔn)分子激光器憑借其高光子能量和優(yōu)異的相干性,能夠直接加工多種包括碳化合物的固體材料,且熱影響極小。這種多功能性充分展現(xiàn)了混合ArF準(zhǔn)分子激光器在從光刻到激光加工等多個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。

 

中國科學(xué)院的研究人員在2024年取得的突破推動(dòng)了這一領(lǐng)域的發(fā)展。據(jù)《Advanced Photonics Nexus》報(bào)道,他們利用三硼酸鋰(LBO)進(jìn)行雙級(jí)聯(lián)和頻(SFG)過程,實(shí)現(xiàn)了193nm、60mW的窄線寬固態(tài)深紫外激光輸出。

 

實(shí)驗(yàn)中,研究人員首先自主搭建了1030nm波長的Yb:YAG晶體高功率放大器和1553nm波長的摻鉺光纖放大器作為基礎(chǔ)激光源,使用LBO晶體將14.6W的1030nm脈沖激光倍頻(SHG)產(chǎn)生了10W的515nm綠光脈沖,隨后用硼酸銫鋰(CLBO)晶體產(chǎn)生了2W的258nm四倍頻(FHG)深紫外激光。產(chǎn)生的258nm激光再與1553nm激光通過兩個(gè)LBO晶體共線級(jí)聯(lián)和頻(SFG)過程實(shí)現(xiàn)了193nm的激光輸出。兩個(gè)階段的SFG過程通常是分開的,為簡(jiǎn)化設(shè)置,研究人員采用了共線級(jí)聯(lián)方案:

 

第一階段SFG在相位匹配類型Ⅱ [1553nm(o)+258nm(e)→221nm(o)]條件下產(chǎn)生221nm激光;第二階段SFG在相位匹配類型Ⅰ [1553nm(o)+221nm(o)→193nm(e)]條件下產(chǎn)生193nm激光。221nm激光和第一階段SFG的剩余1553nm激光的偏振態(tài)滿足第二階段SFG的I型相位匹配條件,因此兩個(gè)LBO晶體可以串聯(lián)放置。

 

 

193nm激光系統(tǒng)的實(shí)驗(yàn)裝置。

 

該成果實(shí)現(xiàn)了卓越的轉(zhuǎn)換效率。最后一級(jí)221nm到193nm的轉(zhuǎn)換效率高達(dá)27%,如果從258nm計(jì)算的話轉(zhuǎn)換到193nm的效率也達(dá)到了3%。這項(xiàng)研究突顯了LBO晶體在產(chǎn)生從幾百毫瓦到瓦級(jí)功率的深紫外激光方面的巨大潛力,并為探索其他深紫外激光波長開辟了道路。

 

隨后在2025年3月,《Advanced Photonics Nexus》又報(bào)道了該團(tuán)隊(duì)利用光學(xué)參量放大器和渦旋光束生成的緊湊型窄線寬固態(tài)193nm脈沖激光源的新進(jìn)展。

 

實(shí)驗(yàn)中,研究團(tuán)隊(duì)在上述研究的基礎(chǔ)上改進(jìn)了1553nm脈沖激光源。他們用實(shí)驗(yàn)中的1030nm Yb:YAG放大器泵浦周期性極化鈮酸鋰(PPLN)光學(xué)參量放大器(OPA)獲得1553nm激光脈沖。用OPA取代摻鉺光纖放大器使系統(tǒng)結(jié)構(gòu)更加緊湊,激光脈沖相對(duì)噪聲更小,輸出功率也從600mW提升到了700mW。

 

1553nm脈沖激光源由兩級(jí)OPA構(gòu)成,第一級(jí)OPA由單頻分布式反饋(DFB)連續(xù)波半導(dǎo)體激光器作為種子光以及Yb:YAG晶體放大器產(chǎn)生的700mW的1030nm激光作泵浦,通過PPLN晶體實(shí)現(xiàn)48mW的1553nm激光放大。隨后放大的1553nm激光再與3W的1030nm激光合束通過第二塊PPLN晶體進(jìn)一步放大,獲得700mW的1553nm激光。

 

 

1553nm的OPA實(shí)驗(yàn)裝置。

 

在該實(shí)驗(yàn)中,9W Yb:YAG放大器的脈沖光經(jīng)過SHG和FHG過程依次實(shí)現(xiàn)5.6W的515nm激光和1.2W的258nm激光。

 

繼續(xù)采用前述共線級(jí)聯(lián)SFG方案,為彌補(bǔ)258nm激光功率較之前降低的情況,選擇更長的LBO晶體,獲得了270 mW的221nm和70mW的193nm激光輸出。此193nm激光脈沖的線寬小于880MHz,可作為種子源輸入到ArF準(zhǔn)分子放大器進(jìn)行繼續(xù)放大以獲得幾十瓦到上百瓦平均功率的窄線寬混合ArF激光系統(tǒng)。

 

為探索新應(yīng)用,研究團(tuán)隊(duì)還通過在1553nm光束頻率混合前引入螺旋相位板,生成了一束攜帶軌道角動(dòng)量(OAM)的拉蓋爾-高斯(LG)模式的渦旋光束。該渦旋光束隨后用作頻率轉(zhuǎn)換的泵浦源,成功地將OAM轉(zhuǎn)移到221nm和193nm激光器中,成功地產(chǎn)生攜帶OAM的30mW的221nm激光和3mW的193nm激光。

 

 

高斯模式、LG模式和由熱電相機(jī)記錄的1553、221和193nm激光器的渦旋光束的衍射圖案。

 

這是首次從固態(tài)激光器中實(shí)現(xiàn)193nm渦旋光束的生成。這種渦旋光束不僅能對(duì)微納顆粒施加扭矩,宛如用光打造的“鑷子”,精準(zhǔn)操控納米級(jí)物體,更在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域具有深遠(yuǎn)意義?,F(xiàn)有的光刻機(jī)使用平面波激光,曝光時(shí)受限于衍射極限,而渦旋光束憑借其環(huán)形強(qiáng)度分布,理論上可使特征尺寸縮小約30%。

 

總之,該團(tuán)隊(duì)近兩年的工作成功地實(shí)現(xiàn)了窄線寬、高相干性、高光束質(zhì)量的193nm深紫外激光器,并首次實(shí)現(xiàn)了該波長的渦旋光產(chǎn)生。若將該技術(shù)與ArF準(zhǔn)分子放大器結(jié)合,可為半導(dǎo)體制造帶來重大突破。


轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

暫無關(guān)鍵詞
免責(zé)聲明

① 凡本網(wǎng)未注明其他出處的作品,版權(quán)均屬于激光制造網(wǎng),未經(jīng)本網(wǎng)授權(quán)不得轉(zhuǎn)載、摘編或利用其它方式使用。獲本網(wǎng)授權(quán)使用作品的,應(yīng)在授權(quán)范圍內(nèi)使 用,并注明"來源:激光制造網(wǎng)”。違反上述聲明者,本網(wǎng)將追究其相關(guān)責(zé)任。
② 凡本網(wǎng)注明其他來源的作品及圖片,均轉(zhuǎn)載自其它媒體,轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息,并不代表本媒贊同其觀點(diǎn)和對(duì)其真實(shí)性負(fù)責(zé),版權(quán)歸原作者所有,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除。
③ 任何單位或個(gè)人認(rèn)為本網(wǎng)內(nèi)容可能涉嫌侵犯其合法權(quán)益,請(qǐng)及時(shí)向本網(wǎng)提出書面權(quán)利通知,并提供身份證明、權(quán)屬證明、具體鏈接(URL)及詳細(xì)侵權(quán)情況證明。本網(wǎng)在收到上述法律文件后,將會(huì)依法盡快移除相關(guān)涉嫌侵權(quán)的內(nèi)容。

網(wǎng)友點(diǎn)評(píng)
0相關(guān)評(píng)論
精彩導(dǎo)讀