激光調(diào)阻提升產(chǎn)品競爭力

為了滿足家用電器、汽車和其它電氣產(chǎn)品的更高要求，電子電器廠的研發(fā)工作主要專注于縮小產(chǎn)品尺寸、提高響應速度、延長工作壽命和提高可靠性。

在很多電路中對電阻的阻值要求十分精確，相對誤差要求達到千分之幾甚至萬分之幾，而由于厚膜絲網(wǎng)印刷操作固有的不準確性，基板表面的不均勻及燒結(jié)條件的不重復性，厚膜電阻常出現(xiàn)正負誤差，現(xiàn)在制造工藝相對誤差只能達到5%，甚至更低，所以必須進行電阻微調(diào)，使之達到高精度要求。

現(xiàn)有的操作方式是采用精密電阻人為測量調(diào)整，這種方式需要耗費較多人工，或者使用電位器進行阻值的調(diào)整，但這種存在超調(diào),電位器會回彈，產(chǎn)生電路振蕩,在移動或運輸過程中也易松動,產(chǎn)生參數(shù)漂移。

激光電阻微調(diào)是通過短脈沖激光掃描切割，改變電阻的導電截面積，達到把低于目標阻值的電阻體修調(diào)到阻值允許的偏差范圍內(nèi)。利用激光束按一定軌跡照射在電阻膜片上，基片電阻漿料層受激光照射加熱汽化，形成一定深度的刻痕，從而改變了電阻體的導體截面面積和導電體長度，從而達到微調(diào)電阻的目的。同時，對電阻進行動態(tài)測量，將測量結(jié)果與設(shè)定阻值進行比較，并反饋控制激光的掃射運動，達到預定的要求。

探針測量

調(diào)阻后的效果

激光調(diào)阻確實幫助客戶降低了電子元器件的制造成本，提高了生產(chǎn)效率，也提升了其新產(chǎn)品研發(fā)能力，縮短其新產(chǎn)品開發(fā)周期，使整個公司的競爭力都獲得了提升。以下是使用前與使用后的對比效果：#p#分頁標題#e#

表1：激光調(diào)阻VS 精密電位器調(diào)阻

所以，由此可以看到，激光調(diào)阻和傳統(tǒng)調(diào)阻方式相比，具有很大的優(yōu)勢，以后在行業(yè)內(nèi)的應用范圍內(nèi)會越來越廣泛。

激光晶圓劃片機幫助廠商(GPP）提高切割效率

出于對產(chǎn)品質(zhì)量的精益求精，半導體廠商不管在產(chǎn)品研發(fā)、科學研究、質(zhì)量管理等方面，都不斷的致力于尋求新的工藝提高工作效率，從而為客戶生產(chǎn)出更好的產(chǎn)品。

行業(yè)中大家都知道傳統(tǒng)的刀片切割速度較很慢，尤其是切割玻璃鈍化面速度只有7-8mm/s,切割一片4寸晶圓要花費1個小時。另外對于光阻法本應該可以提高到45mm/s的速度切割，卻為了避免大量芯片失效，被迫降低速度切割。#p#分頁標題#e#

刀片切割所需的大量耗材客戶也必須接受，每半個月需要替換一片刀片，需要連續(xù)使用去離子水等等，這些耗材用量大，而且切割后硅粉水很難處理，增加了環(huán)境的污染。

激光切割是由激光束經(jīng)透鏡聚焦，在焦點處聚成一極小的光斑，可以達到幾十微米最小幾微米，將焦點調(diào)制到工件平面，當足夠功率的光束照射到物體上時，光能迅速轉(zhuǎn)換為熱能，會產(chǎn)生10000°C以上的局部高溫使工件瞬間熔化甚至汽化，從而將工件切割到我們需要的深度或者切透。

對于GPP產(chǎn)品，主要是硅片，硅片的熔點是1420度，我們可以根據(jù)實際情況調(diào)整適當?shù)?a href="http://nonstopmall-jo.com">激光束輸出功率或者是焦點，獲得我們所需要的切割深度，實驗所得切割速度可以穩(wěn)定在150mm/s。

激光器發(fā)光源使用的是進口光纖激光器，光纖激光器屬于風冷設(shè)備，免維護使用時間可達10萬小時，不存在耗材。

結(jié)果：經(jīng)過我們不斷的努力與設(shè)備升級，我們成功使用激光切割替代了刀片切割設(shè)備，可以滿足客戶電泳法、光阻法、刀刮法制作的GPP芯片，使客戶不僅提升了切割效率，更節(jié)省了成本，促進了整體效益的提升，現(xiàn)激光切割設(shè)備在客戶處穩(wěn)定生產(chǎn)已達3年之久。

激光切割VS刀片切割

 生產(chǎn)現(xiàn)場