如今，快速發(fā)展的光通信市場(chǎng)需要大量10Gb/s APD光器件，而10Gb/s APD主要應(yīng)用在距離大于40 km的光傳輸系統(tǒng)以及正在快速增長(zhǎng)的10G E-PON中。

　　鑒于復(fù)雜的APD制作技術(shù)，能提供便于商用的2.5Gb/s APD的公司都不多，主流的國(guó)外供應(yīng)商只有Sumitomo、D-tech、Cyoptics和Emcore。而國(guó)內(nèi)只有光迅旗下的WTD和成都44所能大規(guī)模提供，其中WTD的2.5Gb/s APD年產(chǎn)600萬只。

　　對(duì)于10Gb/s APD，在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制作技術(shù)提出了更高的要求，國(guó)外只有D-tech，Cyoptics，Emcore，Mitsubish能提供10Gb/s APD，10Gb/s APD的商用市場(chǎng)為國(guó)外完全壟斷，10Gb/s APD芯片價(jià)格昂貴。

　　光迅自2006年開始10Gb/s APD的研究，承擔(dān)國(guó)家“863”課題“10Gb/s雪崩光電二極管及組件研究”。目前，從光迅芯片部岳愛文博士處獲得可喜信息，公司已經(jīng)在10Gb/s APD的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制作技術(shù)上取得關(guān)鍵性突破，并已開發(fā)出完全滿足商用技術(shù)指標(biāo)要求的10Gb/s APD芯片。

　　光迅APD芯片為高可靠性的平面結(jié)構(gòu)，具有暗電流小于10nA、低電容特點(diǎn)，APD芯片采用集成的微透鏡，容易耦合。APD的增益帶寬積高于90GHz。封裝后的APD ROSA在誤碼率1E-12下，靈敏度優(yōu)于-26dBm，APD BOSA在誤碼率1E-3下，靈敏度優(yōu)于-31dBm。

　　目前，光迅的APD芯片正在進(jìn)行可靠性試驗(yàn)中，并將計(jì)劃于2013年Q3進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段。光迅10Gb/s APD芯片的量產(chǎn)低將極大提高公司光模塊特別是10G-EPON產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。

　　今年6月有報(bào)道稱，光迅科技推出臺(tái)式寬帶ASE光源，臺(tái)式寬帶ASE光源是一種高穩(wěn)定、高功率輸出的寬帶光源，廣泛應(yīng)用于光纖無源器件的生產(chǎn)與測(cè)試。隨著光通信系統(tǒng)擴(kuò)展到L波段，C+L波段的寬譜ASE光源將獲得極大的應(yīng)用。

　　而今年早些時(shí)候有消息稱，光迅旗下WTD在自制芯片方面進(jìn)行了大量投入。多年以來，WTD一直堅(jiān)持在自制芯片方面的研究及投入，尋求在高端前端技術(shù)上的研制和創(chuàng)新能力，并最終擁有了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。一方面，為打破長(zhǎng)年來國(guó)外器件廠商在此方面的壟斷做出了極大的貢獻(xiàn)。