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光迅推出10G APD芯片 有望打破外商壟斷

星之球激光 來源:未知2013-08-05 我要評論(0 )   

如今,快速發(fā)展的光通信市場需要大量10Gb/s APD光器件,而10Gb/s APD主要應用在距離大于40 km的光傳輸系統(tǒng)以及正在快速增長的10G E-PON中。 鑒于復雜的APD制作技術(shù),能...

       如今,快速發(fā)展的光通信市場需要大量10Gb/s APD光器件,而10Gb/s APD主要應用在距離大于40 km的光傳輸系統(tǒng)以及正在快速增長的10G E-PON中。

  鑒于復雜的APD制作技術(shù),能提供便于商用的2.5Gb/s APD的公司都不多,主流的國外供應商只有Sumitomo、D-tech、Cyoptics和Emcore。而國內(nèi)只有光迅旗下的WTD和成都44所能大規(guī)模提供,其中WTD的2.5Gb/s APD年產(chǎn)600萬只。

  對于10Gb/s APD,在結(jié)構(gòu)設計和制作技術(shù)提出了更高的要求,國外只有D-tech,Cyoptics,Emcore,Mitsubish能提供10Gb/s APD,10Gb/s APD的商用市場為國外完全壟斷,10Gb/s APD芯片價格昂貴。

  光迅自2006年開始10Gb/s APD的研究,承擔國家“863”課題“10Gb/s雪崩光電二極管及組件研究”。目前,從光迅芯片部岳愛文博士處獲得可喜信息,公司已經(jīng)在10Gb/s APD的結(jié)構(gòu)設計和制作技術(shù)上取得關鍵性突破,并已開發(fā)出完全滿足商用技術(shù)指標要求的10Gb/s APD芯片。

  光迅APD芯片為高可靠性的平面結(jié)構(gòu),具有暗電流小于10nA、低電容特點,APD芯片采用集成的微透鏡,容易耦合。APD的增益帶寬積高于90GHz。封裝后的APD ROSA在誤碼率1E-12下,靈敏度優(yōu)于-26dBm,APD BOSA在誤碼率1E-3下,靈敏度優(yōu)于-31dBm。

  目前,光迅的APD芯片正在進行可靠性試驗中,并將計劃于2013年Q3進入大批量生產(chǎn)階段。光迅10Gb/s APD芯片的量產(chǎn)低將極大提高公司光模塊特別是10G-EPON產(chǎn)品的競爭力。

  今年6月有報道稱,光迅科技推出臺式寬帶ASE光源,臺式寬帶ASE光源是一種高穩(wěn)定、高功率輸出的寬帶光源,廣泛應用于光纖無源器件的生產(chǎn)與測試。隨著光通信系統(tǒng)擴展到L波段,C+L波段的寬譜ASE光源將獲得極大的應用。

  而今年早些時候有消息稱,光迅旗下WTD在自制芯片方面進行了大量投入。多年以來,WTD一直堅持在自制芯片方面的研究及投入,尋求在高端前端技術(shù)上的研制和創(chuàng)新能力,并最終擁有了自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。一方面,為打破長年來國外器件廠商在此方面的壟斷做出了極大的貢獻。

 

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