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半導體/PCB

GaN器件市場到2023年增長至224.7億美元

星之球科技 來源:光電匯OESHOW2017-11-29 我要評論(0 )   

根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的氮化鎵半導體器件市場2023年全球預測稱,氮化鎵(GaN)器件市場預計將從2016年的165億美元,增長至2023年的224.7億美元,年復合增長率為4....

根據(jù)RESEARCH AND MARKETS發(fā)布的“氮化鎵半導體器件市場2023年全球預測”稱,氮化鎵(GaN)器件市場預計將從2016年的165億美元,增長至2023年的224.7億美元,年復合增長率為4.6%。
 
驅(qū)動其增長的主要因素包括:GaN在消費電子和汽車領域廣泛的應用,GaN材料的寬帶隙特性促進了創(chuàng)新應用,GaN在RF射頻電子器件方面的成功應用,以及在軍事、國防和航空航天應用領域中采用的氮化鎵半導體器件日益增多。然而,碳化硅在高功率半導體器件中的優(yōu)先選擇預計將成為整個GaN市場的潛在限制。預計這將限制未來幾年的市場增長。
 
01
光電半導體器件類,GaN占比最大
 
光電半導體器件類別中,全球的GaN器件市場在2016年占有最大的市場份額,這主要歸因于其廣泛的應用市場,例如消費領域、工業(yè)領域和汽車行業(yè)。
 
GaN發(fā)光二極管廣泛用于筆記本電腦和筆記本顯示器、移動顯示器、投影儀、電視機和顯示器、標牌和大型顯示器等。使用氮化鎵基的LED作為室內(nèi)和室外照明設備,例如車燈和信號燈、汽車內(nèi)部照明、霧燈、停車燈和汽車行業(yè)的頂燈,也促成了更大的市場規(guī)模。
 
02
預測期內(nèi),驅(qū)動市場將出現(xiàn)大幅增長
 
與硅基功率器件相比,氮化鎵基功率驅(qū)動器的市場預計在預測期間會顯著增長,這是因為其具有諸如最小功率損耗、高速開關(guān)小型化和高擊穿電壓等優(yōu)異特性。此外,配電系統(tǒng)、工業(yè)系統(tǒng)、重型電力系統(tǒng)、渦輪機、重型機械、先進的工業(yè)控制系統(tǒng)和機電計算/計算機系統(tǒng)等; 還有高壓直流(HVDC)、智能電網(wǎng)電力系統(tǒng)、風力渦輪機、風力發(fā)電系統(tǒng)、太陽能發(fā)電系統(tǒng)、電動和混合動力電動車等幾個新的電力應用(清潔技術(shù))也是其較快增長的主要原因?! ? 
 
03
預測期內(nèi),亞太地區(qū)將會出現(xiàn)大幅增長
亞太地區(qū)在預測期內(nèi)將占據(jù)氮化鎵半導體器件市場的最大份額。這是由于消費市場、工業(yè)和汽車等各種行業(yè)對LED的需求日益增長。此外,電動汽車充電和電動汽車生產(chǎn)市場,以及可再生能源發(fā)電的增加正在推動亞太地區(qū)的市場。
 
原文鏈接:
https://www.researchandmarkets.com/reports/4420906/gallium-nitride-semiconductor-device-market-by

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